Browsing by Author "LEE CHIEN-PING"
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Item type:Item, 0.98微米波長砷化銦鎵扭曲量子井脊狀波導雷射研製(1994) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING交通大學電子研究所本期計畫將在以往的研究成果的良好基礎 上,進行半導體雷射元件高溫,連續操作的研究 與實現.在過去的兩期計畫中,我們和交通部電 信研究所共同合作,已成功地研究製出低起始 電流、高量子效率等的0.98.mu.m InGaAs/GaAs/AlGaAs strained-layer量子井半導體雷射元件.同時,我們 也針對雷射結構中的厚度參數進行理論上和實 驗上的研究.因此,我們對0.98.mu.mInGaAs/GaAs/AlGaAs strained-layer量子井半導體雷射, 已經有了相當的了解,同時也獲致了相當的研 究成果發表於國際性或學術刊物上.由於過去 國內各研究單位,在半導體雷射的研究和製作 上,並沒有特別傑出,甚至可以和世界知名的實 驗室並駕齊驅的成果,所以很少人考慮到要將 其研製的半導體雷射元件做高溫的連續操作. 但是,近幾年來,國內的研究經費補助有所改善 下,成長晶體薄膜(Thin film)的磊晶機器,如MOCVD, MBE,已有多所研究單位獲得,並用於光電元件(諸 如半導體雷射等)的研製上,例如交大MBE實驗室 便已獲致多項良好的成果.而在0.98.mu.m半導體 量子井雷射的研究上,由於它對未來的光纖通 訊應用上,占有舉足輕重的地位,因此國內有些 研究單位也開始注意和投入,因為此方面的研 究不僅深具應用價值,同時也深具學術價值.也 因此,我們在本期計畫中,將本著以往良好的基 礎,做進一步的研製,以期能夠實際應用在光纖 通訊上.而此一計畫的重要性在於藉著此一計 畫的執行,建立真正屬於國內的自我技術.事實 上,這些經驗和技術的建立,也可以應用到其它 波長範圍的半導體雷射元件中,對於國內欲建 立和發展的光電工業將有相當的幫助和影響. 因為一個商業化的半導體雷射元件,其成本有 一大半(1/3~1/2)是耗費在包裝和生命期的測試等 後續動作上面.所以,本期計畫即在藉此建立光 電工業的基礎技術,期望能對國內正在起步的 光電工業有所貢獻.Item type:Item, III-V族半導體量子元件研究(1995) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING國立交通大學電子工程研究所Item type:Item, III-V族半導體高速及光電元件研究(1995) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING國立交通大學電子工程研究所Item type:Item, 三五族半導體量子光電元件研究(1997) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING交通大學電子工程系Item type:Item, 三五族半導體量子結構的物理研究及元件應用(1996) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 三五族半導體量子點結構之物理與元件(1999) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING交通大學電子工程系Item type:Item, 半導體奈米結構的磁性與光學性質之研究(I)(2002) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING交通大學電子工程系Item type:Item, 半導體奈米結構的磁性與光學性質之研究(II)(2003) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 半導體奈米結構的磁性與光學性質之研究(III)(2004) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING交通大學電子工程系Item type:Item, 半導體量子元件及奈米結構之高效能與節能應用( I )(2010) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING國立交通大學電子工程學系及電子研究所自本世紀之初,天然資源的快速消耗及油價高漲已經對我們日常生活造成威脅。如果想 要維持現在甚至將來的生活水準,開源節流成為一個必需的課題。 在節能的概念下,能源再生及能源有效利用是一體兩面的,更是能源政策中兩大重要支 柱,所以需要同時對這兩種議題的相關科技應用進行研究發展。 這個計畫的主旨是在發展多種節能且高效率的奈米尺寸元件。在我們構想藍圖中,是要 利用半導體奈米結構及量子元件去製作出一系列新穎高效率元件來達到節能的目標,這 些元件包括半導體電漿子冷光致冷器、可利用磁場加強放光效率的發光元件、及增強光 電轉換率的量子點太陽能晶片。 現階段大部份以上所提到的元件都僅止於理論的探索及初步的實稔結果,要製作出 真實可以利用的元件將是一項很大的挑戰。我們的團隊集結了各種領域的專家,包括理 論與實驗範疇的物理學家及工程師,這使得我們有著可以從不同的角度去切入並共同解 決問題的優勢。這個計畫可以畫分為四個相關的部份:(1)半導體致冷晶片,(2)高效能 光電奈米元件,(3)高光電轉換率量子點太陽能晶片,(4)綠能電子學的模型理論計算。 我們綜合了本世紀中重要的奈米、材料及光電技術來進行研究,並期望能整合這些技術 提供全新的功能應用來回饋社會。 計畫中的研究目的及技術優勢總合如下:Item type:Item, 半導體量子元件及奈米結構之高效能與節能應用( II )(2011) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING國立交通大學電子工程學系及電子研究所Item type:Item, 半導體量子元件及奈米結構之高效能與節能應用( III )(2012) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING國立交通大學電子工程學系及電子研究所Item type:Item, 半導體量子光電元件之研究(III)(2001) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING交通大學電子工程系Item type:Item, 半導體量子光電元件之研究---中加合作案(II)(2000) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 半導體量子環和其在自旋電子元件之應用(I)(2004) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING交通大學電子工程系從開始到現在,小尺寸和中尺寸的金屬與半導體的量子環已被注意有10 多年了。 因為先進的半導體奈米結構技術如分子束磊晶和金屬有機氣相沉積技術,使得我們可以 在單一長晶製程中成長出半導體量子環。最近之砷化銦鎵量子環實驗結果已經驗證出量 子環之各種不尋常之激發性質如擁有捕捉單一磁通量之能力和具有巨大之激發永久偶 級矩等特性。這些結果對奈米等級之環狀結構可呈現旋轉對稱之量子力學特性,提供了 無容置疑之證據。 目前本實驗室已經發展出一種長晶條件更為寬鬆的量子環成長方法。因此在本計畫 中,預計更深入的研究量子環的各種光學性質及幾何結構,並量測量子環之磁矩,以及 觀測A-B effect 和永久電流。接下來我們實際的將量子環應用在元件上。我們的終極目 標是希望能在非磁性半導體材料中成長出具有磁偶極之結構以及實現自旋電子元件。Item type:Item, 半導體量子環和其在自旋電子元件之應用(II)(2005) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING交通大學電子工程系Item type:Item, 半導體量子環和其在自旋電子元件之應用(III)(2006) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING交通大學電子工程系Item type:Item, 半導體量子結構與量子元件前瞻性研究(II)---子計畫I:半導體量子結構的成長,物理與元件應用(2002) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING交通大學電子工程系Item type:Item, 半導體量子結構與量子元件前瞻性研究(II)---總計畫(2002) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING交通大學電子工程系Item type:Item, 半導體量子結構與量子元件前瞻性研究---子計畫I---半導體量子結構的成長、物理與元件應用(III)(2003) ;李建平 ;LEE CHIEN-PING國立交通大學電子工程學系