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Browsing by Author "LIN CHIEN-CHENG"

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    二氧化鈦/氧化鈣/氧化釔系陶瓷材料與熔融鈦介面反應
    (2014)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    以SIMS法量測氧在莫來石/氧化鋯複合材料的擴散係數
    (2002)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    交通大學材料科學與工程系
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    以Sol-Gel方法製備Li20-Al203-Si02系玻璃陶瓷---微觀結構的發展和物它的物理特性
    (1996)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學工程研究所
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    從AlN/TiN、TiN/Ti、TiN/Ti3Al等介面現象探討AlN/Ti介面反應機構
    (2006)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    交通大學材料科學與工程系
    本實驗過去已研究氮化鋁與鈦金屬在經900~1500oC 熱處理後之界面 微觀結構反應，並建立起AlN 與Ti 面反應生成機制，並與Ti-Al-N 三元相圖互相配合，清楚瞭解其微觀結構的變化如附件一中所述。可 是仍發現許多問題例如:(1)AlN/Ti 介面在初期反應所生成的TiN，其 生成的機制是由化學反應或是擴散反應所控制?(2)當TiN 生成後， Ti、Al 與N 在界面處所扮演的角色是如何、對後續反應層影響是如 何?(3)在AlN/Ti 的介面反應結果發現後續反應皆在TiN/Ti3Al 介面處 生成，仍然有許多疑惑，需要去釐清。因此本實驗計畫進行AlN/TiN、 TiN/Ti 與TiN/Ti3Al 在經過900o~1500oC 熱處理，藉由穿透式電子顯 微鏡（TEM/EDS）、掃瞄式電子顯微鏡(SEM)、電子微探分析儀(EPMA) 及X-射線繞射儀(x-ray)分析界面反應的微觀結構與反應機制。經由 AlN/TiN、TiN/Ti 與TiN/Ti3Al 介面反應的結果，去進一步探討AlN/Ti 之界面反應，以期建立更完整的AlN/Ti 界面反應機構。
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    氧化誥種類對Mullite/Zirconia/Silicon Carbide 陶瓷基複合材料氧化行(II)
    (2000)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學與工程學系
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    氧化誥種類對mullite/zirconia/silicon carbide陶瓷基複合材料氧化行為的影響
    (2000)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    交通大學材料科學與工程系
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    氧化釔含量對氧化釔/氧化鋯複合材料與鈦介面反應的影響(I)
    (2000)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學與工程學系
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    氧化釔含量對氧化釔/氧化鋯複合材料與鈦介面反應的影響(II)
    (2001)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學與工程學系
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    氧化鈣含量對氧化鈣/氧化鋯系陶瓷材料與熔融鈦介面反應的影響
    (2008)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    一般鈦合金之精密鑄造係採用電弧熔融法（vacuum arc melting, VAR, 一名 skull melting, 骸式熔融法），以水冷式銅坩鍋盛裝鈦融液，在坩鍋壁上產生凝固 層，以保護銅坩鍋，惟此法的液態鈦金屬流動性不良，故多以離心鑄造法進行鈦 合金之鑄造。鈦金屬在熔融時是一種活性極強的金屬，直接與陶瓷模接觸，易在 介面發生劇烈反應，產生表面硬化層，常是鑄件產生裂縫成長的起始點。因此， 一般在鑄件完成後會以化學溶液洗蝕或噴砂法除去表面硬化層，如此不僅增加成 本，亦影響鑄件精密度。欲選用最適合的坩堝與陶模材料應用於精密鑄造，應先 瞭解鈦合金與陶瓷的介面反應，並有效控制之。 本實驗室過去已研究氧化鋯與鈦金屬的介面反應機構，並探討氧化釔含量對 介面反應的影響，有非常重要的成果發表於美國陶瓷學會期刊上。本實驗將研究 CaO/ZrO2 系陶瓷材料與高溫熔融鈦金屬的介面反應。以x-ray 繞射儀、熱場發射 掃瞄式電子顯微鏡及能量分散能譜儀（FESEM/EDS）、電子微探分析儀 （EPMA）、穿透式電子顯微鏡能量分散能譜儀（TEM/EDS）等分析鈦金屬與陶 瓷間反應介面之微觀結構，並探討CaO 含量對CaO/ZrO2 系陶瓷材料與熔融Ti 介面反應的影響。
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    氧化鈣含量對氧化鈣/氧化鋯系陶瓷材料與熔融鈦介面反應的影響
    (2009)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    一般鈦合金之精密鑄造係採用電弧熔融法（vacuum arc melting, VAR, 一名 skull melting, 骸式熔融法），以水冷式銅坩鍋盛裝鈦融液，在坩鍋壁上產生凝固 層，以保護銅坩鍋，惟此法的液態鈦金屬流動性不良，故多以離心鑄造法進行鈦 合金之鑄造。鈦金屬在熔融時是一種活性極強的金屬，直接與陶瓷模接觸，易在 介面發生劇烈反應，產生表面硬化層，常是鑄件產生裂縫成長的起始點。因此， 一般在鑄件完成後會以化學溶液洗蝕或噴砂法除去表面硬化層，如此不僅增加成 本，亦影響鑄件精密度。欲選用最適合的坩堝與陶模材料應用於精密鑄造，應先 瞭解鈦合金與陶瓷的介面反應，並有效控制之。 本實驗室過去已研究氧化鋯與鈦金屬的介面反應機構，並探討氧化釔含量對 介面反應的影響，有非常重要的成果發表於美國陶瓷學會期刊上。本實驗將研究 CaO/ZrO2 系陶瓷材料與高溫熔融鈦金屬的介面反應。以x-ray 繞射儀、熱場發射 掃瞄式電子顯微鏡及能量分散能譜儀（FESEM/EDS）、電子微探分析儀 （EPMA）、穿透式電子顯微鏡能量分散能譜儀（TEM/EDS）等分析鈦金屬與陶 瓷間反應介面之微觀結構，並探討CaO 含量對CaO/ZrO2 系陶瓷材料與熔融Ti 介面反應的影響。
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    氧化鈦/氧化鈣/氧化鋁複合材料與鈦金屬之介面反應
    (2015)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    氧化鋁-氧化鈣-氧化鋯三元複合材料與鈦金屬高溫擴散介面反應
    (2011)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
    鈦合金之精密鑄造係採用電弧熔融法（vacuum arc melting, VAR, 一名skull melting, 骸式熔融 法），以水冷式銅坩鍋盛裝鈦融液，在坩鍋壁上產生凝固層，以保護銅坩鍋，惟此法的液態鈦金屬流 動性不良，故多以離心鑄造法進行鈦合金之鑄造。 鈦金屬在熔融時是一種活性極強的金屬，直接與陶瓷模接觸，易在介面發生劇烈反應，產生表面 硬化層，常是鑄件產生裂縫成長的起始點。因此，一般在鑄件完成後會以化學溶液洗蝕或噴砂法除去 表面硬化層，如此不僅增加成本，亦影響鑄件精密度。欲選用最適合的坩堝與陶模材料應用於精密鑄 造，應先瞭解鈦合金與陶瓷的介面反應，並有效控制之。 本實驗室過去已研究氧化鋯與鈦金屬的介面反應機構，並探討氧化釔含量與氧化鈣含量對介面反 應的影響，其中氧化釔含量對介面反應的影響已經有非常重要的成果發表於美國陶瓷學會期刊上，經 由實驗室建立Ti 和不同組成Y2O3/ZrO2 的基礎文獻可發現當Y2O3 添加量大於30 vol%時可以有效地抑 制Ti 側的介面反應，然而Y2O3 價格昂貴，因此利用CaO 取代Y2O3 以降低成本，發現17 mol% CaO 全安定氧化鋯於鈦側生成CaZrO3 以抑制Ti 擴散。 本實驗研究以抗介面反應性質優異之17 mol%CaO + 83 mol%ZrO2 為基準，嘗試加入Al2O3 以進一 步地降低材料的成本，探討Al2O3/CaO/ZrO2 三元複合材料與鈦金屬高溫擴散的介面反應機制，並且調 整Al2O3 的含量，檢視是否存在一個門檻，在Al2O3 含量在一定比例以下，仍保有優異之抗介面反應 特性。 本實驗以熱壓法製備Al2O3/CaO/ZrO2 三元複合材料試片，在陶瓷試片與鈦在高溫介面反應後，以 x-ray 繞射儀、熱場發射掃瞄式電子顯微鏡及能量分散能譜儀（FESEM/EDS）、電子微探分析儀 （EPMA）、穿透式電子顯微鏡能量分散能譜儀（TEM/EDS）等分析鈦金屬與陶瓷間反應介面之微觀 結構，並探討微結構的演化和每一個相的生成機構以及Al2O3 含量對CaO+ZrO2 三元複合材料與鈦金 屬高溫擴散介面反應的影響。
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    氧化鋁-氧化鈣-氧化鋯三元複合材料與鈦金屬高溫擴散介面反應
    (2012)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
    鈦合金之精密鑄造係採用電弧熔融法（vacuum arc melting, VAR, 一名skull melting, 骸式熔融 法），以水冷式銅坩鍋盛裝鈦融液，在坩鍋壁上產生凝固層，以保護銅坩鍋，惟此法的液態鈦金屬流 動性不良，故多以離心鑄造法進行鈦合金之鑄造。 鈦金屬在熔融時是一種活性極強的金屬，直接與陶瓷模接觸，易在介面發生劇烈反應，產生表面 硬化層，常是鑄件產生裂縫成長的起始點。因此，一般在鑄件完成後會以化學溶液洗蝕或噴砂法除去 表面硬化層，如此不僅增加成本，亦影響鑄件精密度。欲選用最適合的坩堝與陶模材料應用於精密鑄 造，應先瞭解鈦合金與陶瓷的介面反應，並有效控制之。 本實驗室過去已研究氧化鋯與鈦金屬的介面反應機構，並探討氧化釔含量與氧化鈣含量對介面反 應的影響，其中氧化釔含量對介面反應的影響已經有非常重要的成果發表於美國陶瓷學會期刊上，經 由實驗室建立Ti 和不同組成Y2O3/ZrO2 的基礎文獻可發現當Y2O3 添加量大於30 vol%時可以有效地抑 制Ti 側的介面反應，然而Y2O3 價格昂貴，因此利用CaO 取代Y2O3 以降低成本，發現17 mol% CaO 全安定氧化鋯於鈦側生成CaZrO3 以抑制Ti 擴散。 本實驗研究以抗介面反應性質優異之17 mol%CaO + 83 mol%ZrO2 為基準，嘗試加入Al2O3 以進一 步地降低材料的成本，探討Al2O3/CaO/ZrO2 三元複合材料與鈦金屬高溫擴散的介面反應機制，並且調 整Al2O3 的含量，檢視是否存在一個門檻，在Al2O3 含量在一定比例以下，仍保有優異之抗介面反應 特性。 本實驗以熱壓法製備Al2O3/CaO/ZrO2 三元複合材料試片，在陶瓷試片與鈦在高溫介面反應後，以 x-ray 繞射儀、熱場發射掃瞄式電子顯微鏡及能量分散能譜儀（FESEM/EDS）、電子微探分析儀 （EPMA）、穿透式電子顯微鏡能量分散能譜儀（TEM/EDS）等分析鈦金屬與陶瓷間反應介面之微觀 結構，並探討微結構的演化和每一個相的生成機構以及Al2O3 含量對CaO+ZrO2 三元複合材料與鈦金 屬高溫擴散介面反應的影響。
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    氧化鎂含量對氧化鎂/氧化鋯系陶瓷材料與鈦金屬高溫擴散介面反應之影響
    (2009)
    林健正
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    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
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    氧化鎂含量對氧化鎂/氧化鋯系陶瓷材料與鈦金屬高溫擴散介面反應之影響
    (2010)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    氧在Mullite/Zirconia複合材料內擴散行為的探討
    (1998)
    林健正
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    交通大學材料科學與工程研究所
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    氧在Mullite/Zirconia複合材料內擴散行為的探討(II)
    (1999)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    交通大學材料科學與工程研究所
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    氮化鋁與鈦金屬介面反應之微觀結構分析(I)
    (2003)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    國立交通大學材料科學與工程學系
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    氮化鋁與鈦金屬介面反應之微觀結構分析(II)
    (2004)
    林健正
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    交通大學材料科學與工程系
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    溫度對鈦與氧化鋯擴散偶介面微觀結構演化的效應
    (2005)
    林健正
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    LIN CHIEN-CHENG
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    交通大學材料科學與工程系
    在過去將近半世紀內，曾有不少文獻探討鈦(或鈦合金)與氧化鋯介面 反應，由於介面的TEM 試片製作非常不易，截至目前為止，甚少有 以TEM/EDS 的成果發表，無人能夠明確地鑑定出介面相的晶體結構 及成分，以致吾人尚未完全明白鈦(或鈦合金)與氧化鋯的介面反應機 構。 本實驗室的最重要貢獻在於突破過去半世紀的研究瓶頸，以TEM 觀 察鈦(或鈦合金)與氧化鋯的介面微觀結構，以附加在TEM 上的EDS 定量分析出生成相的化學成分，從TEM 擇區電子繞射圖形(SADP)， 同時亦鑑定出不同生成相的方位關係，進而闡明鈦與氧化鋯介面反應 及擴散的機構。 最近吾人以SEM/EDS 觀察Ti 與ZrO2 擴散偶經1100-1550oC 熱處理後 的微觀結構時，發現熱處理溫度的差異造成反應後介面微觀結構的明 顯差異。本研究計畫將進一步利用TEM/EDS 分析Ti 與ZrO2擴散偶經 1100-1500oC 之間高溫介面反應後的微觀結構，深入探討不同熱處理 溫度的介面微觀結構的差異性，並且進一步探討Ti 與ZrO2擴散偶介 面微觀結構的演化(microstructural evolution)。