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氟鈍化應用於次世代快閃記憶體之可靠度研究
(2008)
羅正忠
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LOU JEN-CHUNG
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
本計畫為氟鈍化應用於次世代快閃記憶體之可靠度研究，利用氟離子佈植進入新式快閃記憶體內比較其優劣性，並進行氟離子佈植後的記憶體可靠度探討分析。預計分三年度執行：第一年度為氟鈍化應用於氮化矽快閃記憶體之可靠度研究。利用氟離子佈植並搭配氮化矽快閃記憶體，探討不同條件氟離子佈植後於記憶體元件後的分佈情形，並建立其物理機制。目標為製作出高可靠度快閃記憶體元件，並找到最佳化的氟離子佈植條件及製程參數。第二年度：局部單軸氮化矽應變層於氟鈍化後氮化矽快閃記憶體之特性研究。依據第一年度最佳化氟離子佈植條件搭配上局部氮化矽應變層於SONOS 快閃記憶體元件應用，應用局部應變層以提高驅動電流能力改善其寫入/抹除效率，並找到最佳化氮化矽應變層厚度及製程參數。目標為製作具有low operation voltage，large memory window，high quality retention and endurance 的高效能氮化矽快閃記體。第三年度為氟鈍化於金屬奈米點記憶體之可靠分析與研究。應用最佳化氟離子佈植條件及應變層厚度，搭配高功函數金屬材料及RTA 製程製作金屬奈米點記憶體，探討高功函數金屬材料及RTA 製程對金屬奈米點記憶體特性（寫入／抹除速度、endurance 及retention）的影響，最後建立高功函數金屬奈米點記憶體電荷流失（charge loss）可能的路徑並分析two-bit/cell 及 multi-bit/cell 高功函數金屬奈米點記憶體的特性。