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Browsing by Author "SHEU JENG TZONG"

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    以奈米粒子與量子點為電荷存取中心之矽奈米線快閃記憶元件研究(I)
    (2007)
    許鉦宗
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    SHEU JENG TZONG
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    國立交通大學奈米科技研究所
    非揮發性記憶(nonvolatile memory)元件主要必須符合高可靠度(reliability)、低功率消耗(power consumption)、與低工作電壓(working voltage)等等特性。由於元件尺寸快速scaling down，即使以分散電荷儲存的SONOS結構也面對了兩個彼此trade-off問題: 較長記憶儲存時間與更高存取速率。本研究擬利用掃瞄式探針顯微鏡微影技術與自組裝(self-assembly)沉積技術在(100)絕緣矽(SOI)矽晶基材上研製矽奈線快閃記憶元件。奈米線快閃記憶元件的主結構是用掃瞄式探針顯微鏡將矽轉換成奈米級矽氧化物，以此矽氧化物做為蝕刻罩幕(Mask)進行非等向性溼式蝕刻後產生矽奈米線為基礎。另外、利用自組裝沉積AEAPTMS或MPTMS單層分子膜於二氧化矽上，可以將奈米金粒子或是半導體量子點(CdSe等)選擇性沉積在分子層上。結合上述兩個技術，便可以研製以奈米金粒子或是半導體量子點為電荷儲存中心的奈米快閃元件。於不同溫度(4.2K~450K) 時，觀察矽奈米線快閃記憶元件的存取穩定性、電流/電壓特性、不同program/erase的穿隧現象如channel hot electrons或Folwer-Nordheim等等。另外、經由沉積多種奈米金粒子或是半導體量子點，來達成多階電荷儲存(Multiple-level charge storage)或多位元(multiple-bit)的元件也一併加以研製探討。最後、本研究將於第三年將研製單個(或數個) 奈米金粒子或是半導體量子點做為懸浮閘的矽奈米線快閃記憶元件，並建立相關理論模型。
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    以極少數奈米晶粒為電荷存取中心之矽奈米線非揮發記憶元件研究
    (2010)
    許鉦宗
    ;
    SHEU JENG TZONG
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    國立交通大學奈米科技研究所
    非揮發性記憶(nonvolatile memory)元件主要必須符合高可靠度(reliability)、低功率消耗(power consumption)、與低工作電壓(working voltage)等等特性。由於元件尺寸快速奈米化，即使以分散電荷儲存的SONOS結構也面對了兩個彼此trade-off問題: 較長記憶儲存時間與更高存取速率。本研究擬利用電子束微影(E-beam Lithography)與自組裝(self-assembly)沉積技術在(100)絕緣矽(SOI)矽晶基材上研製矽奈線非揮發記憶元件。奈米線非揮發記憶元件的主結構是用電子束微影將圖形轉換至top silicon上形成奈米級矽結構，並以此奈米級矽結構產生矽奈米線做為矽奈米線非揮發記憶元件之基礎。另外、利用自組裝沉積AEAPTMS或MPTMS單層分子膜於二氧化矽上，將奈米金屬粒子或是半導體量子點(CdSe等)選擇性沉積在分子層上。結合上述兩個技術與元件製程技術，便可以研製以奈米金粒子或是半導體量子點為電荷儲存中心的奈米非揮發記憶元件。本計畫將於不同溫度(4.2K~450K) 下，經由變溫I-V/C-V量測，觀察矽奈米線非揮發記憶元件的存取穩定性、電流/電壓特性、不同program/erase的穿隧現象如channel hot electrons或Folwer-Nordheim等將元件特性最佳化。另外、經由沉積多種或多層奈米金屬粒子或是半導體量子點，來達成多階電荷儲存(Multiple-level charge storage)或多位元(multiple-bit)的元件也一併加以研製探討。最後、本研究將於第三年將研製單個(或數個) 奈米金屬粒子或是半導體量子點做為懸浮閘的矽奈米線非揮發記憶元件，並建立相關理論模型。
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    以極少數奈米晶粒為電荷存取中心之矽奈米線非揮發記憶元件研究
    (2008)
    許鉦宗
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    SHEU JENG TZONG
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    國立交通大學奈米科技研究所
    非揮發性記憶(nonvolatile memory)元件主要必須符合高可靠度(reliability)、低功率消耗(power consumption)、與低工作電壓(working voltage)等等特性。由於元件尺寸快速奈米化，即使以分散電荷儲存的SONOS結構也面對了兩個彼此trade-off問題: 較長記憶儲存時間與更高存取速率。本研究擬利用電子束微影(E-beam Lithography)與自組裝(self-assembly)沉積技術在(100)絕緣矽(SOI)矽晶基材上研製矽奈線非揮發記憶元件。奈米線非揮發記憶元件的主結構是用電子束微影將圖形轉換至top silicon上形成奈米級矽結構，並以此奈米級矽結構產生矽奈米線做為矽奈米線非揮發記憶元件之基礎。另外、利用自組裝沉積AEAPTMS或MPTMS單層分子膜於二氧化矽上，將奈米金屬粒子或是半導體量子點(CdSe等)選擇性沉積在分子層上。結合上述兩個技術與元件製程技術，便可以研製以奈米金粒子或是半導體量子點為電荷儲存中心的奈米非揮發記憶元件。本計畫將於不同溫度(4.2K~450K) 下，經由變溫I-V/C-V量測，觀察矽奈米線非揮發記憶元件的存取穩定性、電流/電壓特性、不同program/erase的穿隧現象如channel hot electrons或Folwer-Nordheim等將元件特性最佳化。另外、經由沉積多種或多層奈米金屬粒子或是半導體量子點，來達成多階電荷儲存(Multiple-level charge storage)或多位元(multiple-bit)的元件也一併加以研製探討。最後、本研究將於第三年將研製單個(或數個) 奈米金屬粒子或是半導體量子點做為懸浮閘的矽奈米線非揮發記憶元件，並建立相關理論模型。
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    以極少數奈米晶粒為電荷存取中心之矽奈米線非揮發記憶元件研究
    (2009)
    許鉦宗
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    SHEU JENG TZONG
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    國立交通大學奈米科技研究所
    非揮發性記憶(nonvolatile memory)元件主要必須符合高可靠度(reliability)、低功率消耗(power consumption)、與低工作電壓(working voltage)等等特性。由於元件尺寸快速奈米化，即使以分散電荷儲存的SONOS結構也面對了兩個彼此trade-off問題: 較長記憶儲存時間與更高存取速率。本研究擬利用電子束微影(E-beam Lithography)與自組裝(self-assembly)沉積技術在(100)絕緣矽(SOI)矽晶基材上研製矽奈線非揮發記憶元件。奈米線非揮發記憶元件的主結構是用電子束微影將圖形轉換至top silicon上形成奈米級矽結構，並以此奈米級矽結構產生矽奈米線做為矽奈米線非揮發記憶元件之基礎。另外、利用自組裝沉積AEAPTMS或MPTMS單層分子膜於二氧化矽上，將奈米金屬粒子或是半導體量子點(CdSe等)選擇性沉積在分子層上。結合上述兩個技術與元件製程技術，便可以研製以奈米金粒子或是半導體量子點為電荷儲存中心的奈米非揮發記憶元件。本計畫將於不同溫度(4.2K~450K) 下，經由變溫I-V/C-V量測，觀察矽奈米線非揮發記憶元件的存取穩定性、電流/電壓特性、不同program/erase的穿隧現象如channel hot electrons或Folwer-Nordheim等將元件特性最佳化。另外、經由沉積多種或多層奈米金屬粒子或是半導體量子點，來達成多階電荷儲存(Multiple-level charge storage)或多位元(multiple-bit)的元件也一併加以研製探討。最後、本研究將於第三年將研製單個(或數個) 奈米金屬粒子或是半導體量子點做為懸浮閘的矽奈米線非揮發記憶元件，並建立相關理論模型。
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    應用於生物分子檢測與奈米元件之奈米技術平台(I)
    (2004)
    許鉦宗
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    SHEU JENG TZONG
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    國立交通大學奈米科技研究所
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    應用於生物分子檢測與奈米元件之奈米技術平台(II)
    (2005)
    許鉦宗
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    SHEU JENG TZONG
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    國立交通大學奈米科技研究所
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    應用於生物分子檢測與奈米元件之奈米技術平台(III)
    (2006)
    許鉦宗
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    SHEU JENG TZONG
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    國立交通大學奈米科技研究所
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    運用掃描式探針顯微鏡研製與分析矽奈米電子元件(II)
    (2004)
    許鉦宗
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    SHEU JENG TZONG
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    國立交通大學奈米科技研究所
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    運用掃描式探針顯微鏡研製與分析矽奈米電子元件(III)
    (2005)
    許鉦宗
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    SHEU JENG TZONG
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    國立交通大學奈米科技研究所
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    運用矽奈米元件陣列之生醫感測系統研發
    (2010)
    許鉦宗
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    SHEU JENG TZONG
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    國立交通大學奈米科技研究所
    據衛生署的統計，『癌症』是目前國內十大死亡原因之首。若能提高癌症初期篩 檢機率，將有助其治癒的機率與生活品質！所以，初期檢測技術，於癌症的防治工 作上，便成了很重要的一環 。本計畫擬運用奈米半導體元件，建立一“簡易”、“即 時”、與“精準”的癌症初期快篩系統並與傳統ELISA 檢測交叉驗證其可行性。 當場效應電晶體通道的厚度小於德拜長度(Debye length)，元件本身即具有高靈 敏的表面電位偵測特性。本計畫第一年將運用半導體製程，於Silicon-on-Insulator (SOI)基材上，開發“超薄(5~10 奈米)通道場效應電晶體陣列”與製作訊號放大電 路，單獨驗證胎兒球蛋白(α-fetoprotein, AFP)，磷脂肌醇蛋白聚-3 (Glypican-3, GPC3) 和血管內皮生長因子(vascular endothelial growth factor, VEGF)等個別癌症標誌 (Marker)之早期診斷特性，並與傳統ELISA 方式交叉驗證比較。 本計畫第二年將研製奈米線二極體(直徑10~30 奈米)作為極靈敏感測元件；這 主要因奈米線二極體的電流-電壓特性，對表面電位的改變有指數放大效應；奈米 線二極體除了本身具有奈米線的優點外，還具有內建電位或蕭特基能障，使生醫檢 體分子固定或吸覆於元件表面時，具有更明顯的變化，因此更適合用於低濃度生物 標記的偵測。第二年將驗證奈米線二極體於胎兒球蛋白(α-fetoprotein, AFP)，磷脂 肌醇蛋白聚-3 (Glypican-3, GPC3)和血管內皮生長因子(vascular endothelial growth factor, VEGF)等個別癌症標誌(Marker)之早期診斷特性，並與傳統ELISA 方式交 叉驗證比較。 由於單一癌症標於初期檢測篩檢準確度不高，本研究於第三年將建立一套“可 攜式多工分析癌症快篩系統”，將不同抗體分別固定於奈米元件陣列晶片表面，同 時偵測胎兒球蛋白，磷脂肌醇蛋白聚-3 和血管內皮生長因子等癌症標誌，祈即時 分析與提供多種癌症標誌資訊，提高初期檢測篩檢準確度，以作為肝癌診斷篩選與 治療追蹤的依據。