Browsing by Author "Tai Ya-Hsiang"

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Active touch sensing circuit apparatus
(2012-11-15)
Tai Ya-Hsiang
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Chou Lu-Sheng
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Chiu Hao-Lin
The invention discloses an active matrix touch sensing circuit apparatus used in a touch panel comprises a sensing unit, a resistance, and a thin film transistor. The resistance connects the sensing unit and the first scan line. The control end of the thin film transistor connects the sensing unit, the second scan line connects the input end of the thin film transistor, and the read out line connects the output end of the thin film transistor. When the sensing value of the body touch sensing unit is changed, and then the input wave form of the control end is changed. The output end generates an open current, and the read out line transmits the open current.
Active X-ray sensing circuit and the sensing method thereof
(2013-10-01)
Tai Ya-Hsiang
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Chou Lu-Sheng
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Chen Bo-Cheng
The present invention provides an active X-ray sensing circuit and the sensing method thereof, it is applied in X-ray panel. The X-ray sensing circuit comprises two row of pixel circuit, and the two row of pixel circuit shares one scan line, and each data line connects with two switches. It is compensated the threshold voltage when it switches to the current source. It operates reading when it switches to amplifier. By applying specific scan line signal, the last-row pixel circuit is compensated and the next-row pixel row is read at the same time, so that the sensing circuit array can compensate and sense in one scan to avoid the effect of the leakage current.
低溫複晶矽薄膜電晶體電容特性及模型之研究
(2007)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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國立交通大學光電工程學系(所)
在實現系統面板的目標上，多晶矽主動元件的技術是一個非常重要的角色。多晶矽主動元件相較於傳統的非晶矽能夠更迅速的傳遞電子(高電子遷移率)。在應用上，其劣化的行為是一個非常重要的課題。之前的研究指出，多晶矽薄膜電晶體容易受到幾個劣化機制影響，包含熱載子效應，自發熱效應，水氣，光漏電和其他交流偏壓造成的效應。然而，由於電流傳導行為是被通道全部的劣化區域影響，要詳細暸解被破壞的區域是不容易的。在本計畫中，一些受偏壓影響的條件，除了傳統電壓電流特性之外，亦將以電壓電容量測加以討論，這將能夠進一步的檢驗局部的劣化。另外藉由電容量測的頻率反應，也能夠有助於瞭解劣化的機制是來自於被捕獲的載子亦或是形成的能態，這都將會在我們的計畫中加以研究。為了研究這幾個課題，本計畫著重在其劣化機制以及描述劣化行為之模型。這樣的電壓電容行為的研究提供我們更多有關於低溫多晶矽薄膜電晶體之電壓電流的訊息。並將所研究的電路模型引入SPICE解釋其電壓電容的行為。同時，我們希望藉由計畫的執行能達到卓越的研究成果，能更提昇我國技術水準，趕上世界的技術水平，衍生更具附加價值的面板產品。
利用偵測RC時間延遲改變之主動式觸控面板
(2012)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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國立交通大學光電工程學系（所）
Solid-state lighting has attracted much attention due to advantages of compactness, high efficiency and environmental friendliness. Organic light-emitting diodes (LEDs) exhibit better potential in mass production in comparison of inorganic LEDs since they are flat light sources, are compatible with flexible substrates and have cost-effective fabrication processes. In this proposal, we will study highly power-efficient single-layered white organic LEDs based on solid-state light-emitting electrochemical cells (LECs). In LECs, electrochemically doped regions induced by spatially separated ions under a bias form ohmic contacts with electrodes, giving balanced carrier injection, low operating voltages and consequently high power efficiencies. However, carrier balance can not be easily achieved in single-layered LECs and thus device efficiency is limited. Carrier balance of the devices will be optimized by tuning the mixing ratio of electron and hole transport host materials in the emissive layer or by doping a low-gap guest to trap the carrier with a relatively higher mobility. Furthermore, thickness of the emissive layer will also be tuned to optimize device efficiency. To further enhance the device efficiency in the forward direction, diffuser films will be fabricated on the substrates to improve the light out-coupling efficiency.
利用偵測RC時間延遲改變之主動式觸控面板
(2013)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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國立交通大學光電工程學系（所）
Solid-state lighting has attracted much attention due to advantages of compactness, high efficiency and environmental friendliness. Organic light-emitting diodes (LEDs) exhibit better potential in mass production in comparison of inorganic LEDs since they are flat light sources, are compatible with flexible substrates and have cost-effective fabrication processes. In this proposal, we will study highly power-efficient single-layered white organic LEDs based on solid-state light-emitting electrochemical cells (LECs). In LECs, electrochemically doped regions induced by spatially separated ions under a bias form ohmic contacts with electrodes, giving balanced carrier injection, low operating voltages and consequently high power efficiencies. However, carrier balance can not be easily achieved in single-layered LECs and thus device efficiency is limited. Carrier balance of the devices will be optimized by tuning the mixing ratio of electron and hole transport host materials in the emissive layer or by doping a low-gap guest to trap the carrier with a relatively higher mobility. Furthermore, thickness of the emissive layer will also be tuned to optimize device efficiency. To further enhance the device efficiency in the forward direction, diffuser films will be fabricated on the substrates to improve the light out-coupling efficiency.
氧化物半導體薄膜電晶體透明感測電路之研究
(2014)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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國立交通大學光電工程學系（所）
氧化物半導體薄膜電晶體透明感測電路之研究(II)(III)
(2016)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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國立交通大學光電工程學系（所）
氧化物半導體薄膜電晶體透明感測電路之研究(II)(III)
(2015)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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國立交通大學光電工程學系（所）
雙閘極氧化物半導體薄膜電晶體應用於X光主動感測陣列之研究
(2013)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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國立交通大學光電工程學系（所）
生醫光電設備的研究開發，朝向更低成本、更精確及更安全的目標前進。以成熟的薄膜電晶體(TFT)技術製成主動式X光感測器可降低製作成本，且其感測解析度可精確至30微米，並使用較安全的低劑量X光。然而，如何進一步降低X光劑量而仍能讀取到此更微弱之訊號，是本計畫欲克服的課題。本計畫提出利用新型雙閘極氧化物(IGZO) TFT來建構X射線感測系統。利用雙閘極IGZO TFT 受上下二個閘極控制之效應，以及上閘極電容極小的特性，可利用感光元件將低劑量X光所產生的微小電荷累積，改變上閘極電壓，再藉由適當的下閘極操作，可使得TFT的輸出電流訊號有較大的變化。我們可妥善設計電路操作模式，進一步將此電流變化轉換成更高敏感度的變化信號。為完成整體X光感測系統的設置，考量X光實驗有安全上之顧慮，本計畫擬與加拿大滑鐵盧大學的Karim 教授團隊進行國際合作。Karim 教授在X光感測領域上有豐富的經驗及設備，將與 Karim 教授協同開發對應之X光感光元件，完成相關電路設計與後端處理系統，並進行X光實測。此計畫雖以Ｘ光感測器為目標，但其技術重點在極低電荷讀取電路，其應用性不只限於X光感測，只要找到相對應之感測材料，此電路可應用在其他感測系統上，如UV光、有毒氣體、重金屬汙染感測等。
雙閘極氧化物半導體薄膜電晶體應用於X光主動感測陣列之研究
(2011)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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國立交通大學光電工程學系（所）
生醫光電設備的研究開發，朝向更低成本、更精確及更安全的目標前進。以成熟的薄膜電晶體(TFT)技術製成主動式X光感測器可降低製作成本，且其感測解析度可精確至30微米，並使用較安全的低劑量X光。然而，如何進一步降低X光劑量而仍能讀取到此更微弱之訊號，是本計畫欲克服的課題。本計畫提出利用新型雙閘極氧化物(IGZO) TFT來建構X射線感測系統。利用雙閘極IGZO TFT 受上下二個閘極控制之效應，以及上閘極電容極小的特性，可利用感光元件將低劑量X光所產生的微小電荷累積，改變上閘極電壓，再藉由適當的下閘極操作，可使得TFT的輸出電流訊號有較大的變化。我們可妥善設計電路操作模式，進一步將此電流變化轉換成更高敏感度的變化信號。為完成整體X光感測系統的設置，考量X光實驗有安全上之顧慮，本計畫擬與加拿大滑鐵盧大學的Karim 教授團隊進行國際合作。Karim 教授在X光感測領域上有豐富的經驗及設備，將與 Karim 教授協同開發對應之X光感光元件，完成相關電路設計與後端處理系統，並進行X光實測。此計畫雖以Ｘ光感測器為目標，但其技術重點在極低電荷讀取電路，其應用性不只限於X光感測，只要找到相對應之感測材料，此電路可應用在其他感測系統上，如UV光、有毒氣體、重金屬汙染感測等。
雙閘極氧化物半導體薄膜電晶體應用於X光主動感測陣列之研究
(2012)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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國立交通大學光電工程學系（所）
生醫光電設備的研究開發，朝向更低成本、更精確及更安全的目標前進。以成熟的薄膜電晶體(TFT)技術製成主動式X光感測器可降低製作成本，且其感測解析度可精確至30微米，並使用較安全的低劑量X光。然而，如何進一步降低X光劑量而仍能讀取到此更微弱之訊號，是本計畫欲克服的課題。本計畫提出利用新型雙閘極氧化物(IGZO) TFT來建構X射線感測系統。利用雙閘極IGZO TFT 受上下二個閘極控制之效應，以及上閘極電容極小的特性，可利用感光元件將低劑量X光所產生的微小電荷累積，改變上閘極電壓，再藉由適當的下閘極操作，可使得TFT的輸出電流訊號有較大的變化。我們可妥善設計電路操作模式，進一步將此電流變化轉換成更高敏感度的變化信號。為完成整體X光感測系統的設置，考量X光實驗有安全上之顧慮，本計畫擬與加拿大滑鐵盧大學的Karim 教授團隊進行國際合作。Karim 教授在X光感測領域上有豐富的經驗及設備，將與 Karim 教授協同開發對應之X光感光元件，完成相關電路設計與後端處理系統，並進行X光實測。此計畫雖以Ｘ光感測器為目標，但其技術重點在極低電荷讀取電路，其應用性不只限於X光感測，只要找到相對應之感測材料，此電路可應用在其他感測系統上，如UV光、有毒氣體、重金屬汙染感測等。
非晶矽薄膜電晶體作為光感測元件及電路之研究
(2009)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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國立交通大學光電工程學系(所)
非晶矽薄膜電晶體由於它的高光感測性以及較易製作於大面積上，在主動矩陣液晶顯示器以及偵測器上受到廣泛的注意。之前的研究指出，ㄧ些使用薄膜電晶體的感測機構都已經被論証討論。然而，大部分傳統型的光感測器都是用外部的分離元件去裝置的，所以會造成額外的成本與設計上的複雜度。為了研究上述的這個課題，增加畫素開關薄膜電晶體的速度與光電晶體的動態偵測範圍。在本計畫中，我們設計多種類型的薄膜電晶體元件，藉由不同結構亦或閘極電壓的調整，我們可以依照需求決定光產生電流的效率區域多寡。同時，所設計的光電晶體在不同操作區域的不同偵測能力的特性可被用做動態偵測範圍中提升訊號雜訊的比值。並且此系統的特殊設計結構亦可用作偵測背光源。並且由於整個製程並沒有額外的流程，這對我們要將光感測器整合是相當有幫助的。同時，我們希望藉由計畫的執行能達到卓越的研究成果，能更提昇我國技術水準，趕上世界的技術水平，衍生更具附加價值的面板產品。
非晶矽薄膜電晶體作為光感測元件及電路之研究(II)
(2010)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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國立交通大學光電工程學系（所）
在顯示面板上加入光感測功能，可增加其附加價值，是重要的應用需求。然而，大部分傳統型的光感測器都是用外部的分離元件去裝置的，所以會造成額外的成本與設計上的複雜度。非晶矽薄膜電晶體由於本身便具有光感測特性以及較易製作於大面積上，在主動矩陣液晶顯示器以及偵測器上受到廣泛的注意。目前已有許多使用薄膜電晶體的感測機構被發表討論。在本計畫中，將延續第一年的成果，增加電晶體對光感測的動態偵測範圍，並且使其較不光電流劣化的影響。我們使用不同類型的薄膜電晶體元件設計多種光感測電路，藉由不同結構亦或閘極電壓的調整，我們可以依照需求決定光產生電流的效率區域多寡。因此，所設計的光感測電路可在不同區域操作下不同的光偵測能力，在動態偵測範圍中提升訊號雜訊的比值。此外，此系統的特殊設計結構亦可用作偵測背光源。由於整個方法的製程與習知的相同，並沒有額外的特殊製程，易於將光感測器整合到面板上，在接近既有成本的情況下，使面板產品更具競爭力。
高效率智慧型面板之研究---子計畫四：智慧型面板內建電路設計(III)
(2006)
戴亞翔
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Tai Ya-Hsiang
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交通大學光電工程研究所