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BIOCHEMICAL SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(2012-09-06)
ZAN Hsiao-Wen
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Tsai Chuang-Chuang
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Meng Hsin-Fei
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Yeh Chun-Cheng
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Dai Ming-Zhi
A biochemical sensor and a method of manufacturing the same are disclosed. The biochemical sensor includes a substrate, a gate arranged on one side of the substrate, a gate insulating layer arranged on one side of the gate opposite to the substrate, an active layer arranged on one side of the gate insulating layer opposite to the gate, a source and a drain arranged on one side of the active layer opposite to the gate insulating layer, and a biochemical sensing layer arranged on one side of the active layer opposite to the gate insulating layer and between the source and the drain.
Self-aligned top-gate thin film transistors and method for fabricating same
(2012-01-26)
Zan Hsiao-Wen
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Chen Wei-Tsung
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Chou Cheng-Wei
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Tsai Chuang-Chuang
A self-aligned top-gate thin film transistor and a fabrication method thereof. The method includes preparing a substrate having sequentially formed thereon an oxide semiconductor layer, a dielectric layer, and a metallic layer, wherein the oxide semiconductor layer includes first and second connecting regions that are not covered by the dielectric layer and the metallic layer thereon respectively, the first and second connecting regions having a property of a conductor after undergone a heating process or an ultraviolet irradiation; and a source electrode and a drain electrode formed on the substrate and connected to the first and second connecting regions, respectively. Therefore, the contact resistance of the first and second connecting regions can be reduced without the process of ion dopants as required by prior art techniques, thereby simplifying the manufacturing process. Also, the source electrode and the drain electrode can be exactly relocated and further increase performance of the device.
低成本全低溫溶液製程高性能非晶銦鎵鋅氧化物電晶體開發
(2011)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系（所）
本計劃三年內主要研究目標有二，(1).全低溫溶膠凝膠(sol-gel)製程(<180oC)，製備具有良好電性與高穩定度之高性能非晶銦鎵鋅氧化物電晶體(a-IGZO TFT)於各式軟性基板。(2).開發多功能 a-IGZO 軟性電子元件。目前一般文獻的sol-gel製程中，關鍵的聚縮合步驟乃利用加熱平台直接加熱至~200oC以上，此溫度相當不適合一般塑膠等軟性基板。因此，本計畫將同時利用紫外光照射與加熱平台直接加熱，希望降低sol-gel法的聚縮合溫度至180oC以下，並研究其他能夠降低聚縮合溫度的因素與方法。其次，欲利用光退火降低sol-gel法在傳統爐管所需的退火溫度(~400oC)，以此將所有製程溫度低於180oC，進而達到全低溫製程。本計畫將引入背通道覆蓋層技術以提高 sol-gel 法製備之a-IGZO TFT 特性，並深入探討影響元件的因素與物理機制與嘗試其他方法提高此製程的 a-IGZO TFT 特性，如鈍化層技術等。我們將應用不同材料背通道覆蓋層導致元件有不同特性的產生，如：臨界電壓改變、具有光偵測之效果，讓前瞻材料 a-IGZO 開發於更廣泛的軟性電子元件。最後，將運用sol-gel 法製備全低溫且具備良好電性與穩定性之高性能 a-IGZO TFT 於軟性基板上，並利用研究成果開發具新穎性多功能之 a-IGZO 軟性電子元件或商品，如：反相器、光偵測器、電子書…等。
推動能源國家型科技計劃太陽能(有機+無機)100年策略規劃
(2011)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系（所）
推動能源國家型科技計畫台美雙邊國際合作計畫
(2011)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系（所）
推動能源國家型科技計畫太陽能(有機及無機)之策略規劃
(2010)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系（所）
太陽電能(有機與無機)的規劃分為半導體太陽電池與有機太陽電池，以模組與零組件為技術目標。本計畫期望透過堅強的產學合作平台，結合產學研之能量，加強與國外技術合作，研發我國自主技術，致力於太陽光電產業核心技術之研發。考量我國科技獨特特色，規劃重點研究課題，加強基礎研究，培育產業科技人才與進行專利智權佈局。
整合光捕獲設計之高效率雙接面矽薄膜太陽能電池
(2014)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系（所）
能源國家型科技計畫太陽能(有機+無機)子項推動及管理計畫(III)
(2012)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系（所）
太陽電能（有機與無機）的規劃分為半導體太陽電池與有機太陽電池，以模組與零組件為技術目標。本計畫期望透過堅強的產學合作平台，結合產學研之能量，加強與國外技術合作，研發我國自主技術，致力於太陽光電產業核心技術之研發。考量我國科技獨特特色，規劃重點研究課題，加強基礎研究，培育產業科技人才與進行專利智權佈局。
能源國家型科技計畫太陽能(有機+無機)子項推動及管理計畫(Ⅳ)
(2013)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系（所）
軟性透明a-IGZO薄膜電晶體之前瞻研究
(2009)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系(所)
本計劃預計以三年時間，開發高效能、高穿透率非晶氧化物半導體（amorphous oxide semiconductor）的薄膜電晶體。研究元件電極接面、通道區域/閘極絕緣層介面特性、與元件結構對電晶體效能的影響，並進行一系列的可靠度分析。在本計劃初期，藉由低溫濺鍍法製作非晶氧化物薄膜，利用濺鍍氣體分壓的調控及沉積溫度來改變薄膜特性，研究薄膜成份、晶相對於載子濃度與電特性的影響，並分析沉積條件對於穿透率等相關光特性的影響。根據初期研究的成果，開發非晶氧化物薄膜電晶體，並針對電極接面與閘極絕緣層接面進行改質。在研究中，我們將利用氧組成的調控對上述區域進行改質處理，並輔以元件結構的設計、與源極（ Source ）汲極（ Drain ）的重新配置（re-configuration）提升元件效能，並以四端點探針量測來驗證上述的結果。最後，以本計畫開發的高效能元件來研究非晶氧化合物載子傳輸的機制，並對該高效能元件進行可靠度分析。利用熱應力（thermal stress）、電偏壓應力（bias stress）、與光浸潤（light soaking）來加速元件退化，研究元件的可靠度與退化的物理機制。尋找影響非晶氧化合物元件退化的關鍵因素，以期提升元件長時間的穩定性。
軟性透明a-IGZO薄膜電晶體之前瞻研究
(2008)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系(所)
本計劃預計以三年時間，開發高效能、高穿透率非晶氧化物半導體（amorphous oxide semiconductor）的薄膜電晶體。研究元件電極接面、通道區域/閘極絕緣層介面特性、與元件結構對電晶體效能的影響，並進行一系列的可靠度分析。在本計劃初期，藉由低溫濺鍍法製作非晶氧化物薄膜，利用濺鍍氣體分壓的調控及沉積溫度來改變薄膜特性，研究薄膜成份、晶相對於載子濃度與電特性的影響，並分析沉積條件對於穿透率等相關光特性的影響。根據初期研究的成果，開發非晶氧化物薄膜電晶體，並針對電極接面與閘極絕緣層接面進行改質。在研究中，我們將利用氧組成的調控對上述區域進行改質處理，並輔以元件結構的設計、與源極（ Source ）汲極（ Drain ）的重新配置（re-configuration）提升元件效能，並以四端點探針量測來驗證上述的結果。最後，以本計畫開發的高效能元件來研究非晶氧化合物載子傳輸的機制，並對該高效能元件進行可靠度分析。利用熱應力（thermal stress）、電偏壓應力（bias stress）、與光浸潤（light soaking）來加速元件退化，研究元件的可靠度與退化的物理機制。尋找影響非晶氧化合物元件退化的關鍵因素，以期提升元件長時間的穩定性。
軟性透明a-IGZO薄膜電晶體之前瞻研究
(2010)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系（所）
本計劃預計以三年時間，開發高效能、高穿透率非晶氧化物半導體（amorphous oxide semiconductor）的薄膜電晶體。研究元件電極接面、通道區域/閘極絕緣層介面特性、與元件結構對電晶體效能的影響，並進行一系列的可靠度分析。在本計劃初期，藉由低溫濺鍍法製作非晶氧化物薄膜，利用濺鍍氣體分壓的調控及沉積溫度來改變薄膜特性，研究薄膜成份、晶相對於載子濃度與電特性的影響，並分析沉積條件對於穿透率等相關光特性的影響。根據初期研究的成果，開發非晶氧化物薄膜電晶體，並針對電極接面與閘極絕緣層接面進行改質。在研究中，我們將利用氧組成的調控對上述區域進行改質處理，並輔以元件結構的設計、與源極（ Source ）汲極（ Drain ）的重新配置（re-configuration）提升元件效能，並以四端點探針量測來驗證上述的結果。最後，以本計畫開發的高效能元件來研究非晶氧化合物載子傳輸的機制，並對該高效能元件進行可靠度分析。利用熱應力（thermal stress）、電偏壓應力（bias stress）、與光浸潤（light soaking）來加速元件退化，研究元件的可靠度與退化的物理機制。尋找影響非晶氧化合物元件退化的關鍵因素，以期提升元件長時間的穩定性。
開發氫化非晶與微晶矽氧以提升光利用及穿隧復合應用於高效率多接面矽基薄膜太陽能電池
(2013)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系（所）
高效率矽基薄膜太陽能電池
(2009)
蔡娟娟
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Tsai Chuang-Chuang
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國立交通大學光電工程學系（所）