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Browsing by Author "Voskoboynikov Oleksa"

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    半導體奈米元件的軌道與電子自旋磁性
    (2010)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    現代的半導體技術已經發展到可以製作人造半導體介觀物質，利用數十奈米尺度 的微小物體來建構這些新的介物質。而這些奈米半導體介物質讓我們很有潛能在 一個非常廣的範圍內操縱電磁場，這可以應用在很多新的應用元件或基礎科學， 短期可能的偉大成就包含：大規模量子計算、光學的負折射率介物質、使用非磁 性物質來產生靜磁性或動態磁性，等等驚人的發展。 明顯的，奈米半導體介物質需要一個合適的半導體奈米材料組成，近年來，量子 點、量子環、量子線、量子點分子的物理特性大幅被瞭解，包括他們的傳輸、磁 場還有光學行為，他們會是很合適的候選人。但是，我們對這些奈米材料相對應 的動態靜態的軌道與自旋的磁學卻所知不多。 在我們先前的工作，我們已經在理論上成功驗證了，在非磁性半導體上獲得特殊 動態靜態磁性的機會。我們也成功驗證了量子環複合材料足以產生等效負介電常 數與透磁率。 在這個接續的計畫中，我們設計發展一個有力的理論基礎去描述半導體奈米材料 與介物質的磁場控制行為。包含兩方面: 1. 擁有少數可控制的電子(電洞)能階的半導體奈米材料的軌道與自旋磁學的量 化描述 2. 在一個包含兩個以上的奈米材料的系統中，這些奈米材料間的量子與電磁交 互作用 我們將發展一套方法去設計並控制非磁性半導體奈米材料(包含量子點，量子 環，量子點分子)的軌道與自旋磁性，這將提供我們對半導體介物質特殊磁性的 最重要的資訊。我們強調，這個方法將有與傳統半導體科技相容的優勢。
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    半導體奈米元件的軌道與電子自旋磁性
    (2009)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    現代的半導體技術已經發展到可以製作人造半導體介觀物質，利用數十奈米尺度 的微小物體來建構這些新的介物質。而這些奈米半導體介物質讓我們很有潛能在 一個非常廣的範圍內操縱電磁場，這可以應用在很多新的應用元件或基礎科學， 短期可能的偉大成就包含：大規模量子計算、光學的負折射率介物質、使用非磁 性物質來產生靜磁性或動態磁性，等等驚人的發展。 明顯的，奈米半導體介物質需要一個合適的半導體奈米材料組成，近年來，量子 點、量子環、量子線、量子點分子的物理特性大幅被瞭解，包括他們的傳輸、磁 場還有光學行為，他們會是很合適的候選人。但是，我們對這些奈米材料相對應 的動態靜態的軌道與自旋的磁學卻所知不多。 在我們先前的工作，我們已經在理論上成功驗證了，在非磁性半導體上獲得特殊 動態靜態磁性的機會。我們也成功驗證了量子環複合材料足以產生等效負介電常 數與透磁率。 在這個接續的計畫中，我們設計發展一個有力的理論基礎去描述半導體奈米材料 與介物質的磁場控制行為。包含兩方面: 1. 擁有少數可控制的電子(電洞)能階的半導體奈米材料的軌道與自旋磁學的量 化描述 2. 在一個包含兩個以上的奈米材料的系統中，這些奈米材料間的量子與電磁交 互作用 我們將發展一套方法去設計並控制非磁性半導體奈米材料(包含量子點，量子 環，量子點分子)的軌道與自旋磁性，這將提供我們對半導體介物質特殊磁性的 最重要的資訊。我們強調，這個方法將有與傳統半導體科技相容的優勢。
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    半導體奈米元件的軌道與電子自旋磁性
    (2008)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    現代的半導體技術已經發展到可以製作人造半導體介觀物質，利用數十奈米尺度 的微小物體來建構這些新的介物質。而這些奈米半導體介物質讓我們很有潛能在 一個非常廣的範圍內操縱電磁場，這可以應用在很多新的應用元件或基礎科學， 短期可能的偉大成就包含：大規模量子計算、光學的負折射率介物質、使用非磁 性物質來產生靜磁性或動態磁性，等等驚人的發展。 明顯的，奈米半導體介物質需要一個合適的半導體奈米材料組成，近年來，量子 點、量子環、量子線、量子點分子的物理特性大幅被瞭解，包括他們的傳輸、磁 場還有光學行為，他們會是很合適的候選人。但是，我們對這些奈米材料相對應 的動態靜態的軌道與自旋的磁學卻所知不多。 在我們先前的工作，我們已經在理論上成功驗證了，在非磁性半導體上獲得特殊 動態靜態磁性的機會。我們也成功驗證了量子環複合材料足以產生等效負介電常 數與透磁率。 在這個接續的計畫中，我們設計發展一個有力的理論基礎去描述半導體奈米材料 與介物質的磁場控制行為。包含兩方面: 1. 擁有少數可控制的電子(電洞)能階的半導體奈米材料的軌道與自旋磁學的量 化描述 2. 在一個包含兩個以上的奈米材料的系統中，這些奈米材料間的量子與電磁交 互作用 我們將發展一套方法去設計並控制非磁性半導體奈米材料(包含量子點，量子 環，量子點分子)的軌道與自旋磁性，這將提供我們對半導體介物質特殊磁性的 最重要的資訊。我們強調，這個方法將有與傳統半導體科技相容的優勢。
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    半導體奈米結構分散性群體的磁性與磁光特性
    (2011)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    對於半導體元件多功能的日益需求促使了形狀複雜的半導體奈米物件的發展，其展現出無論在光、電、量子資訊、生醫影像的發展性。然而，奈米物件本身複雜的變異性(形狀、大小、組成)造成其物理性質上的極大變異；為了對半導體奈米物件有更深的了解和更精確的掌握，我們發展出一套一般性的理論描述半導體奈米物件的物理響應，此理論根據多變異分布函數可描述不同的物理性質的變異。在此報告中，我們計算了半導體奈米物件的能階和其對應之電子電洞波函數，並考慮其形狀、物質參數和分布上的變異。為了驗證我們的方法，我們對ZnTe/CdSe的量子點和InAs/GaAs量子環做光譜和磁化率的模擬，其結果和實驗所得數據相符。因此我們的這一套理論方法將給予最佳化奈米物件的平均物理特性很大的幫助。
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    半導體奈米體中的自旋軌道偶和及等效Lande因子
    (2013)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    半導體奈米體中的自旋軌道偶和及等效Lande因子
    (2014)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    半導體異質結構一致和非一致自旋相依傳輸(I)
    (2002)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    交通大學電子工程系
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    半導體異質結構一致和非一致自旋相依傳輸(II)
    (2003)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    國立交通大學電子工程學系
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    半導體異質結構一致和非一致自旋相依傳輸(III)
    (2004)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    交通大學電子工程系
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    在半導體奈米混和體中量子與電子力學的偶合現象
    (2012)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    近來在半導體技術的成長使得半導體奈米混和體同時包含擁有不同物理性質的成分變為可 能。他們在各新興領域的需求應用上展開了一扇非常有前瞻性的大門。 奈米混和體中的半導體部分控制了量子特性，而金屬部分提供了非常大的偏極化。這兩部分 彼此的交互作用造成非常強的非線性效應。這項效應表露出難得的機會去觀測和使用介於不 同力學間的相互作用。少數最近發現的現象被認為是量子和電子直接和反轉偶合的效應。不 幸的是，相對應知識的缺乏和沒有完備的理論可以在相關文獻中被找到。於是填補這個研究 領域的空缺就是此計畫的目標。反轉多重物理偶合問題的公式化和計算技術的發展將是首要 任務。 我們近來發展了兩種有效率的計算方法：混和多尺度法和映射法，藉由非常有效率的計算方 式去得到半導體奈米體中電子和電洞的能階和波函數；接著，去模擬和分析這些半導體奈米 體的各種特性。 我們特別關注三個觀點：偶合模型適當的公式和推導出非線性三維薛丁格-帕森-納維爾方程式 的全自滿足的解；詳細的分析並決定最佳的條件和系統；及對於進一步此效應的應用公式化 的陳述。
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    奈米結構合成材料的磁光效應(I)
    (2005)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    交通大學電子工程系
    微結構材料可以控制電磁輻射這件事已久為人知，光子晶體的概念在1987年首次被提出，然後微結構的運用也被展示出來，然而，目前合成材料可以得到的頻率範圍仍遠遠落後於實際應用的迫切需求，在此同時，一般皆相信縮小合成材料基本組成單元的物理大小可以提升可用的頻率範圍至光學波段。 隨著近年來微影技術、膠體化學及磊晶成長技術的大幅進展，使得製造人工半導體合成材料變得可能，奈米結構合成材料可以控制光學波段的電磁場，對於潛在的應用及元件有很大的益處，同樣也有益於基礎科學，可能的應用包括實現光量子計算、光學波段負折射率的合成材料、使非磁材料產生人造磁性等。 我們在近來的研究中掌握了多層對準排列的InAs/GaAs量子點及奈米環半導體結構的成長技術，奈米環是目前最新且擁有不尋常的磁及磁光性質的非單連通量子奈米系統，最近我們也以理論展示了有機會利用奈米環來製造可以同時擁有負的等效介電係數及導磁係數的合成材料，我們強調：可以經由外加磁場來控制合成材料的特性參數，這開放了可以利用此特性製作光學開關、耦合及動態記憶體的機會。 在此計畫中我們將進行以奈米結構（量子點及奈米環）組成的人工合成材料的整體磁光特性的研究，主要將專注在以下實驗及理論的研究探討： .. 瞭解及控制多層量子點及奈米環的磁光性質 .. 尋找探究控制量子點及奈米環製作的奈米結構合成材料的磁光響應的相關議題 .. 從理論及實驗上驗證光學Aharonov-Bohm效應及量子點及奈米環製作的奈米結構合成材料在負折射角時的折射現象 我們將發展設計及控制人工奈米結構合成材料磁光特性的方法，研究量子點及奈米環製作的合成材料在長波長範圍及短波長範圍（光子晶體）上的可能應用。
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    奈米結構合成材料的磁光效應(II)
    (2006)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    交通大學電子工程系
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    奈米結構合成材料的磁光效應(III)
    (2007)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    複雜幾何形狀及材料的半導體奈米物體系綜中載子自旋與光之耦合
    (2015)
    霍斯科
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    Voskoboynikov Oleksa
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所