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利用鑽石矽複合基板以製作高散熱的高功率發光二極體
(2013)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
本計畫是利用人工鑽石顆粒的高導熱性質，製作出高散熱基板。取代原有的LED 基板，進而改善高功率發光二極體在高電流驅動下的散熱問題。其中（1）利用大尺寸 (~200μm)的鑽石顆粒，以有效的利用鑽石的高導熱性質。加上（2）則是利用圖案化的結構化矽，裸露出矽走道做為切割區域，將可避開直接切割到鑽石導致的問題。
利用鑽石矽複合基板以製作高散熱的高功率發光二極體
(2014)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
本計畫是利用人工鑽石顆粒的高導熱性質，製作出高散熱基板。取代原有的LED 基板，進而改善高功率發光二極體在高電流驅動下的散熱問題。其中（1）利用大尺寸 (~200μm)的鑽石顆粒，以有效的利用鑽石的高導熱性質。加上（2）則是利用圖案化的結構化矽，裸露出矽走道做為切割區域，將可避開直接切割到鑽石導致的問題。
利用鑽石矽複合基板以製作高散熱的高功率發光二極體
(2012)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
本計畫是利用人工鑽石顆粒的高導熱性質，製作出高散熱基板。取代原有的LED 基板，進而改善高功率發光二極體在高電流驅動下的散熱問題。其中（1）利用大尺寸 (~200μm)的鑽石顆粒，以有效的利用鑽石的高導熱性質。加上（2）則是利用圖案化的結構化矽，裸露出矽走道做為切割區域，將可避開直接切割到鑽石導致的問題。
在圖案化碳化矽基板上成長氮化鎵系列薄膜
(2015)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
將發光二極體結構轉移到銅基材以製作高功率發光二極體(II)
(2006)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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交通大學材料科學與工程系
將發光二極體結構轉移到銅基材以製作高功率發光二極體(III)
(2007)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系(所)
將發光二極體轉移到鑽石基板與高散熱基座以製作高散熱的高功率發光二極體
(2009)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系(所)
將發光二極體轉移到鑽石基板與高散熱基座以製作高散熱的高功率發光二極體
(2011)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
將發光二極體轉移到鑽石基板與高散熱基座以製作高散熱的高功率發光二極體
(2010)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
藉著晶圓接合從藍寶石基板上剝離氮化鎵發光二極體
(2012)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
本計畫是利用(1)在氮化鎵磊晶層與藍寶石基板間的產生凹凸狀的空隙結構。加上（2）晶圓接合後降溫時，造成在氮化鎵與藍寶石介面間的熱應力集中而剝離。主要有2 種方法:(1)濕式蝕刻藍寶石方式 (1)濕式蝕刻氮化鎵方式。磊晶後，再藉著晶圓接合從藍寶石基板上剝離氮化鎵發光二極體。
藉著晶圓接合從藍寶石基板上剝離氮化鎵發光二極體
(2013)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
本計畫是利用(1)在氮化鎵磊晶層與藍寶石基板間的產生凹凸狀的空隙結構。加上（2）晶圓接合後降溫時，造成在氮化鎵與藍寶石介面間的熱應力集中而剝離。主要有2 種方法:(1)濕式蝕刻藍寶石方式 (1)濕式蝕刻氮化鎵方式。磊晶後，再藉著晶圓接合從藍寶石基板上剝離氮化鎵發光二極體。
藉著晶圓接合從藍寶石基板上剝離氮化鎵發光二極體
(2014)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
本計畫是利用(1)在氮化鎵磊晶層與藍寶石基板間的產生凹凸狀的空隙結構。加上（2）晶圓接合後降溫時，造成在氮化鎵與藍寶石介面間的熱應力集中而剝離。主要有2 種方法:(1)濕式蝕刻藍寶石方式 (1)濕式蝕刻氮化鎵方式。磊晶後，再藉著晶圓接合從藍寶石基板上剝離氮化鎵發光二極體。
銅基板之切割---運用在高功率發光二極體上的銅基板切割
(2007)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系(所)
藉著前一系列的計畫，銅基材上的高功率發光二極體已經被我們製作出來，且發表在 APL 期刊，引起國際間之報導(附件一)。研究中利用氧化銦錫（ITO）當作擴散阻礙層將磷化鋁銦鎵發光二極體晶圓接合在銅基材上。被接合在銅基材上的發光二極體元件，能夠在更高的順向注入電流下操作。而此發光二極體的發光強度比一般砷化鎵基材發光二極體高出約三倍之多。這顯著改善的原因是因為金屬銅基材具有較高的熱傳導率。可惜的是，銅金屬是延展性佳的材料，因此，在整個元件的製做過程中，易造成發光二極體元件毀壞（尤其是在切割晶粒時），良率不高。為了改善這問題，在這計畫，我們將藉著不同物質與銅反應，將銅基板改質以利後續的銅切割/分離。其中包括產生1) 較硬的介金屬化合物（intermetallic compound）,以利刀具（dicing saw）的切割。 2)特定的介金屬化合物（intermetallic compound），其與銅的對特定的蝕刻液,有不同的蝕刻速度。再藉著蝕刻就可將之分離。所用的發光二極體將包括現今較熱門的氮化鎵（GaN）系列與砷化鎵（GaAs）系列。這些方法將可提升製造高功率發光二極體之良率。
銅基板之切割-運用在高功率發光二極體上的銅基板切割
(2006)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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交通大學材料科學與工程系
藉著前一系列的計畫，銅基材上的高功率發光二極體已經被我們製作出來，且發表在 APL 期刊，引起國際間之報導(附件一)。研究中利用氧化銦錫（ITO）當作擴散阻礙層將磷化鋁銦鎵發光二極體晶圓接合在銅基材上。被接合在銅基材上的發光二極體元件，能夠在更高的順向注入電流下操作。而此發光二極體的發光強度比一般砷化鎵基材發光二極體高出約三倍之多。這顯著改善的原因是因為金屬銅基材具有較高的熱傳導率。可惜的是，銅金屬是延展性佳的材料，因此，在整個元件的製做過程中，易造成發光二極體元件毀壞（尤其是在切割晶粒時），良率不高。為了改善這問題，在這計畫，我們將藉著不同物質與銅反應，將銅基板改質以利後續的銅切割/分離。其中包括產生1) 較硬的介金屬化合物（intermetallic compound）,以利刀具（dicing saw）的切割。 2)特定的介金屬化合物（intermetallic compound），其與銅的對特定的蝕刻液,有不同的蝕刻速度。再藉著蝕刻就可將之分離。所用的發光二極體將包括現今較熱門的氮化鎵（GaN）系列與砷化鎵（GaAs）系列。這些方法將可提升製造高功率發光二極體之良率。
銅基板之切割-運用在高功率發光二極體上的銅基板切割
(2008)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系(所)
藉著前一系列的計畫，銅基材上的高功率發光二極體已經被我們製作出來，且發表在 APL 期刊，引起國際間之報導(附件一)。研究中利用氧化銦錫（ITO）當作擴散阻礙層將磷化鋁銦鎵發光二極體晶圓接合在銅基材上。被接合在銅基材上的發光二極體元件，能夠在更高的順向注入電流下操作。而此發光二極體的發光強度比一般砷化鎵基材發光二極體高出約三倍之多。這顯著改善的原因是因為金屬銅基材具有較高的熱傳導率。可惜的是，銅金屬是延展性佳的材料，因此，在整個元件的製做過程中，易造成發光二極體元件毀壞（尤其是在切割晶粒時），良率不高。為了改善這問題，在這計畫，我們將藉著不同物質與銅反應，將銅基板改質以利後續的銅切割/分離。其中包括產生1) 較硬的介金屬化合物（intermetallic compound）,以利刀具（dicing saw）的切割。 2)特定的介金屬化合物（intermetallic compound），其與銅的對特定的蝕刻液,有不同的蝕刻速度。再藉著蝕刻就可將之分離。所用的發光二極體將包括現今較熱門的氮化鎵（GaN）系列與砷化鎵（GaAs）系列。這些方法將可提升製造高功率發光二極體之良率。
高散熱鑽石複合基板
(2015)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
高散熱鑽石複合基板
(2016)
吳耀銓
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WU YEWCHUNG SERMON
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）