瀏覽 的方式: 作者 林國芳
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公開日期 | 標題 | 作者 |
---|---|---|
2010 | 以Drive-in 製程的修正來改善 0.4μm P型金屬/氧化層/半導體(PMOS)臨界電壓電性的異常 | 林國芳; Lin, Kuo-Fang; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung; 工學院半導體材料與製程設備學程 |
公開日期 | 標題 | 作者 |
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2010 | 以Drive-in 製程的修正來改善 0.4μm P型金屬/氧化層/半導體(PMOS)臨界電壓電性的異常 | 林國芳; Lin, Kuo-Fang; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung; 工學院半導體材料與製程設備學程 |