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公開日期標題作者
2003GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究李威儀; LEE WEI-I; 國立交通大學電子物理學系
2004GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究(I)李威儀; LEE WEI-I; 交通大學電子物理系
2005GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究(II)李威儀; LEE WEI-I; 交通大學電子物理系
2006GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究(III3)李威儀; LEE WEI-I; 交通大學電子物理系
2000GaNAs材料磊晶成長與AlAs濕氧化膜之研究李世昌; Shih-Chang Lee; 李威儀; Wei-I Lee; 電子物理系所
2000GaNAs與GaInNAs的磊晶成長與特性研究李威儀; LEE WEI-I; 交通大學電子物理系
2000InGaNAs與GaNAaSb量子井特性研究李威儀; LEE WEI-I; 國立交通大學電子物理學系
1994MOCVD 成長 GaAs 太陽電池研究葉庭弼; Ting-Be Yeh; 李威儀; Dr. Wei-I Lee; 電子物理系所
1994MOCVD成長GaAs太陽電池研究葉庭弼; YE, TING BI; 李威儀; LI, WEI YI; 物理研究所
1992Organometallic vapor phase epitaxy of Ga□In□ P/GaAs by flow rat modulation郭永杰; Guo, Yong-Jie; 李威儀; Li, Wei-Yi; 電子物理系所
1998p 型氮化鎵金屬接觸之電性研究吳岱隆; Dai-long Wu; 李威儀; Wei-I Lee; 電子物理系所
2006p型氮化鋁鎵之歐姆接觸研究陳彥偉; Yan-Wei Chen; 李威儀; Wei-I Lee; 電子物理系所
1996Reactive Ion Etch of Ⅲ-Ⅴ Compound Semiconductor張聖育; Zhang, Sheng-Yu; 李威儀; Li, Wei-Yi; 電子物理系所
1-七月-2014一種平整化氮化物基板的方法李威儀; 陳奎銘; 吳尹豪; 葉彥顯
16-七月-2012一種平整化氮化物基板的方法李威儀; 陳奎銘; 吳尹豪; 葉彥顯
16-十月-2010一種成長ＩＩＩ－Ｖ族氮化物薄膜之方法及其結構李威儀; 黃信雄; 陳奎銘; 葉彥顯
1-十一月-2008一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法李威儀; 黃信雄; 曾虹諭
1-三月-2012一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法李威儀; 黃信雄; 曾虹諭
16-三月-2012一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法李威儀; 徐瑩珈; 葉彥顯; 陳奎銘
1-九月-2013一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法李威儀; 徐瑩珈; 葉彥顯; 陳奎銘
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