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2013a-IGZO 薄膜電晶體的製作與特性分析張維軒; Chang, Wei-Hsuan; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子工程學系 電子研究所
2010a-IGZO 薄膜電晶體的製作與特性分析顏同偉; Yen, Tung-Wei; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子研究所
2001NBTI對具有超薄介電層深次為P米型通道電晶體特性影響之研究江婉如; Chiang Wan-Ju; 黃調元; 林鴻志; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Horng-Chih Lin; 電子研究所
2012N型多晶矽薄膜電晶體元件製作與高頻特性分析林廷燿; Lin, Ting Yao; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng Chih; Huang, Tiao Yuan; 電子研究所
2012N型無接面多晶矽薄膜電晶體之製作與特性分析鄭靜玲; Cheng, Ching-Ling; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子工程學系 電子研究所
2017P型金氧半場效電晶體與薄膜輪廓工法之氧化鋅薄膜電晶體之單片整合製作與特性研究吳宗易; 林鴻志; Wu, Tzong-Yi; Lin, Horng-Chih; 電子研究所
9-四月-2009サスペンデッドナノワイヤチャネルを有するトランジスタ構造とその製造方法林鴻志; 蘇俊榮; 徐行徽; 李冠樟
24-二月-2012サスペンデッドナノワイヤチャネルを有するトランジスタ構造とその製造方法林鴻志; 蘇俊榮; 徐行徽; 李冠樟
2005一個用來改善形變通道N型金氧半場效電晶體黃健銘; Jian-Ming Huang; 黃調元; 林鴻志; 電子研究所
2013一氧化錫薄膜電晶體的製作與特性分析陳旭培; Chen, Hsu-Pei; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子工程學系 電子研究所
2010一種具懸浮奈米通道之元件製作與其分析模型許宇賢; Hsu, Yu-Hsien; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子研究所
2009一種具有懸浮奈米線通道之新式元件的研製與分析李冠樟; Li, Guan-Jang; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子研究所
2003一種分析薄膜電晶體內完整能帶隙態位密度分佈的新穎方法蘇育正; Yu-Cheng Su; 黃調元; 林鴻志; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Horng-Chin Lin; 電子研究所
2016以”薄膜輪廓工法”研製金屬氧化物薄膜電晶體及反向器呂榮哲; 林鴻志; 黃調元; Lyu, Rong-Jhe; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子工程學系 電子研究所
2013以氧化鉿為介電層的電阻式記憶體之電性與分析王佳文; Wang, Chia-Wen; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子工程學系 電子研究所
2013以薄膜工程製作次微米無接面銦錫氧化物薄膜電晶體及其特性分析黃宇安; Huang, Yu-An; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子工程學系 電子研究所
2016以薄膜形貌工程製作非晶態銦鎵鋅氧化物單極性反向器之改善與分析邱韻璇; 林鴻志; 黃調元; Chiu, Yun-Hsuan; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子工程學系 電子研究所
2007低溫多晶矽技術對多晶矽奈米線薄膜電晶體通道結晶特性影響之研究林漢仲; Han-Chung Lin; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電子研究所
2010使用I-Line雙重曝光技術實現非對稱0.1μm P型金氧半場效電晶體與相關可靠度問題之研究張博翔; Chang, Po-Hisang; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子研究所
2009使用I射線步進機的雙重圖形曝光技術以及其應用在元件製作之研究謝瑞桀; Hsieh, Rei-Jay; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子研究所
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