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| 公開日期 | 標題 | 作者 |
|---|---|---|
| 2000 | SiGe/Si之THz光電特性 | 楊峻鳴; Chun Ming Yang; 孟心飛; 鄭鴻祥; H. F. Meng; H. H. Cheng; 物理研究所 |
| 2015 | 利用原子層沉積技術在不同溫度下製作氧化鋁/鍺金氧半元件之研究 | 林立騫; Lin,Li-Chien; 楊斯博; 鄭鴻祥; Yang, Zu-Po; Yang, Hung-Hsiang; 照明與能源光電研究所 |
| 公開日期 | 標題 | 作者 |
|---|---|---|
| 2000 | SiGe/Si之THz光電特性 | 楊峻鳴; Chun Ming Yang; 孟心飛; 鄭鴻祥; H. F. Meng; H. H. Cheng; 物理研究所 |
| 2015 | 利用原子層沉積技術在不同溫度下製作氧化鋁/鍺金氧半元件之研究 | 林立騫; Lin,Li-Chien; 楊斯博; 鄭鴻祥; Yang, Zu-Po; Yang, Hung-Hsiang; 照明與能源光電研究所 |