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dc.contributor.author范震宇en_US
dc.contributor.authorFAN,ZHEN-YUen_US
dc.contributor.author王淑霞en_US
dc.contributor.authorWANG,SHU-XIAen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:06:29Z-
dc.date.available2014-12-12T02:06:29Z-
dc.date.issued1989en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782123003en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54327-
dc.description.abstract本文主要是探討水平排列之線狀液晶樣品(ROTN–200) 中,以外加縱向似靜電場(∼5 60KHZ)與垂直入射光重疊作用;從而誘發分子指向一階相變和光雙穩態。 由自由能 (free energy)出發,根據連體理論,推導出一階相變和雙穩態產生的材料 參數條件: u>w>0 。進而由空間自我相位調變,解釋了繞射環的產生,並預測了 第二套環的存在。 在實驗上,我們固定電場大小,改變光場強度,觀測繞射環的變化。在低電場時其相 變為二階相變;在高電場時,其相變為一階相變並伴隨著雙穩態,同時也觀測到第二 套繞射環,與理論預測的現象相同。此外,尚對有限光束效應進行定性上的討論,以 解釋實驗結果。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject水平排列zh_TW
dc.subject液晶zh_TW
dc.subject電場zh_TW
dc.subject誘發zh_TW
dc.subject光場雙穩態zh_TW
dc.subject階相變zh_TW
dc.subject自由能zh_TW
dc.subject連體理論zh_TW
dc.subject(FREE-ENERGY)en_US
dc.title水平排列液晶中電場誘發之光場雙穩態zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
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