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dc.contributor.author陳衛國en_US
dc.contributor.authorWEI-KUOCHENen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:39:35Z-
dc.date.available2014-12-13T10:39:35Z-
dc.date.issued1995en_US
dc.identifier.govdocNSC84-2215-E009-028zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/96645-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=175882&docId=30089en_US
dc.description.abstract本計畫擬以AlAsSb/InP結構,提昇InP材料肖特基 能障.長久以來InP因本身與金屬介面的費米能 階針扎效應(Fermi-pinning)造成能障過低,致使其 肖特基元件性能不佳.一般而言,較高能隙常較 易獲得較高的肖特基能障.而AlAsSb是InP材料系 列中最高能隙半導體,若以AlAsSb作為金屬與半 導體之中介層,應可有效提昇InP肖特基特性. AlAsSb雖屬熱力學晶體禁制區材料(Miscibillity gap) ,磊晶條件狹窄,但本實驗室已成功以MOCVD合成AlAsSb薄膜.在計畫過程中,將深入探討如何降低 薄膜背景濃度,尤其是AlAsSb表面清洗技術,事關 Schottky特性之良寙,以及適合的肖特基金屬蒸鍍 材料,以尋求適當的InP肖特基結構.zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject磷化銦zh_TW
dc.subject肖特基能障zh_TW
dc.subject費米針孔效應zh_TW
dc.subjectIndium phosphideen_US
dc.subjectSchottky barrier heighten_US
dc.subjectFermi pinning effecten_US
dc.title磷化銦高能隙材料能障研究zh_TW
dc.titleEnhancement of InP Schottky Barrier Height by Using AlAs Intermediate Layeren_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子物理研究所zh_TW
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