阻擋銅擴散之障礙層複合材料

Abstract

本發明關於銅擴散障礙層複合材料或具有該材料之裝置,係由Ta與Pt所組成,Pt之摻雜量約在35原子數(at.)%以下,且於500℃以上之高溫下,該材料仍可維持非結晶之特性而可阻擋銅原子擴散並具有與Ta等同低之電阻係數。本發明之製法,包括TaPt合金材料之選取步驟,及進行該障礙層之沉積步驟,使該合金材料於一蒸鍍系統中,形成於Cu導電層與預定之隔離物之間,該預定之隔離物,可為一矽基板,或半導體裝置之閘極,或多重導線之電極等裝置其中之一。