場發射顯示系統技術之研究

Abstract

場發射顯示系統乃是結合了傳統半導體元件製 造技術與新進發展的真空微電子學,所形成的一 種新型顯示系統.由於場發射電子元件具有在高速操作模式下對溫 度不敏感性,抗輻射性,高頻操作性,可在高或低電 壓操作......等優點,所以在未來電子工業上,相信 會有很多應用領域被開發出來,其中以真空微電 子元件與顯示器上之用途,更具有發展潛能.以整個系統來看,由於元件的高積體度與微米水 準的尺寸,是以場發射顯示,整個系統得以和液晶 顯示器(LCD)一樣,採用矩陣定址的平面顯示方式. 此外,它的每個點素包含了三個原色單元,而每一 單元皆由數百個場發射尖錐,並行操作來定址,因 為每一點素都相當於一個小CRT的縮影,因此,此種 元件具有亮度可與傳統陰極射線管相同的優勢. 因此,場發射顯示技術兼有平面LCD與傳統電視螢 幕技術的優點,將成為一擁有高解析度,高可靠性, 長壽命,全彩色,和高亮度的超薄型平面顯示器.為了配合既有國內半導體製作技術之資源,並推 動國內平面發射顯示器工業發展,本計畫分三年 執行,其目標如下:第一年:以蒸鍍或蝕刻的方式,製造出陰極尖端.第二年:真空量測系統之組裝,完成基本電性與光 電性的量測,並尋求二極與三極化結構之製造條 件.