製作低溫(450℃)鋁閘極複晶矽薄膜電晶體之相關技術發展---低溫薄膜電晶體之相關薄絕緣層之製備研究(I)

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882215E009054.pdf (412 KB)

Date

Authors

Keywords

複晶矽 , 薄絕緣層 , 化學氣相沈積法 , 電漿加強化學氣相沈積法 , 快速熱處理 , Polysilicon , Thin dielectric , Chemical vapor deposition , Plasma-enhance CVD , Rapid thermal process (RTP)

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444146&docId=80428
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/94527

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研究計畫;;Research Plans