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串接式之高電子遷移率電晶體元件及其製造方法
串接式之高電子遷移率電晶體元件及其製造方法
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201218319.pdf
(787.41 KB)
Date
2012-05-01
Authors
張翼
許恒通
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
DOI
Abstract
一種串接式之高電子遷移率電晶體元件的製造方法,該方法係利用製程中定義出多個高電子遷移率電晶體,並以內連接的方式將所述高電子遷移率電晶體進行串接。因此,在等效電路上可達到累加電壓的效果,故可形成具有高崩潰電壓特性的元件。
Description
Keywords
Citation
URI
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103461
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