光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫V：用晶圓接合與溼式蝕刻方式來剝離側向覆蓋生長之氮化鎵磊晶層(II)

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922216E009012.pdf (107.61 KB)

Date

Authors

YEWCHUNG SERMONWU

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=828332&docId=156981
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/92055

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研究計畫;;Research Plans