半導體製程方法

Abstract

本發明提供一種半導體製程方法,包含下列步驟:提供一成長基板;形成一凹凸結構於該成長基板上;形成一半導體元件層於該凹凸結構上;以及改變該成長基板與該半導體元件層的溫度。