Ⅲ-V族半導體元件的內連銅導線、銅空氣橋及其製作方法

Abstract

一種Ⅲ–V族半導體元件的內連銅導線、銅空氣橋及其製作方法，而其內連銅導線適於連接一Ⅲ–V族半導體元件，其結構包括一介電層、數個銅導線以及一擴散阻障層，其中介電層係覆蓋Ⅲ–V族半導體元件，且介電層具有數個開口，暴露出Ⅲ–V族半導體元件，而銅導線係藉由開口該Ⅲ–V族半導體元件電性相連。擴散阻障層則是配置於銅導線與介電層及開口表面之間。本發明因為使用電阻值低及散熱性佳的銅作為連接導線，故可使元件的特性更為優異。