雙埠次臨界靜態隨機存取記憶體單元

Abstract

本發明係提供一種創新的雙埠次臨界靜態隨機存取記憶體(static random access memory，下稱SRAM)單元，適用於次臨界電壓(substhreshold voltage)下操作。本發明之雙埠次臨界SRAM單元在寫入時，會切斷記憶元件之正回授，並應用反短通道效應(reverse short-channel effect，RSCE)增強寫入能力。而本發明單端讀寫的架構更能夠進一步降低長位線(long bit line)所造成的功率消耗，因此更適合應用於長時間工作之先進先出(first-in first-out，FIFO)記憶體設計。據此，本發明之SRAM單元在次臨界電壓下仍然能夠提供穩定的操作，解決習知記憶體單元因降低電壓而造成穩定度下降的問題。