半導體奈米材料光學性質與聲子頻譜之研究

Abstract

本計畫將根據歷年計畫中進行的實驗以及第一原理的計算與分析能 力，針對特定成份(矽、鍺元素以及氧化鋅二元化合物)之奈米微粒與奈米 線進行理論計算與光學特性量測。我們利用不同的方法成長矽、鍺奈米微 粒在多孔矽內、氧化鋅(II-VI 族)半導體奈米線，進行初步結構鑑定與分析 檢測。並利用第一原理結合緊束縛分子動力學(Tight-Binding Approximation) 分析奈米微粒與奈米線結構，以及研究奈米材料分子振動頻譜模式。 在光學性質、奈米結構及電子能態性質量測方面，本計畫包含了變溫 拉曼光譜、光致螢光、穿隧式電子顯微鏡以及兆赫光波等量測。奈米材料 之大小相應的尺寸效應、維度效應、發光機制以及聲子頻譜，是我們希望 觀察並研究的現象。