一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法

Abstract

本發明於氮化鎵層上形成介電層,利用曝光以及顯影蝕刻製程使該介電層形成條狀或點狀之圖形,並以該介電層作為後續氮化鎵層進行側向成長(Epitaxy Lateral Overgrowth)之遮罩,在氮化鎵層上方長成氮化鎵厚膜,接著以濕蝕刻方式將介電層移除,並蝕刻介電層上方之氮化鎵厚膜,以形成所需之特定形狀。