金屬氧化物薄膜電晶體結構及其製造方法

Abstract

一種金屬氧化物薄膜電晶體結構,包含:一閘極;一設於該閘極上的介電層;一設於該介電層上之主動層;分別設於該主動層上相間隔之一源極與一汲極;以及一臨界電壓調製層,其係直接接觸於該電晶體結構的背通道,該臨界電壓調製層與該主動層具有功函數差。藉此,本發明係使用功函數差進行元件之臨界電壓的調製。