Title: | 半導體元件之內連接結構 |
Authors: | 陳冠能 張耀仁 |
Issue Date: | 1-Dec-2015 |
Abstract: | 一種半導體元件之內連接結構,架構於一半導體基材內,該內連接結構包括:一第一矽晶直通孔,貫穿該半導體基材;以及一第二矽晶直通孔,貫穿該半導體基材,該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互間隔一距離,其中,該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互電性絕緣,且該距離介於2μm以及40μm之間。 |
Gov't Doc #: | H01L023/52 H01L021/768 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/128817 |
Patent Country: | TWN |
Patent Number: | I511257 |
Appears in Collections: | Patents |
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