Title: 半導體元件之內連接結構
Authors: 陳冠能
張耀仁
Issue Date: 1-Dec-2015
Abstract: 一種半導體元件之內連接結構,架構於一半導體基材內,該內連接結構包括:一第一矽晶直通孔,貫穿該半導體基材;以及一第二矽晶直通孔,貫穿該半導體基材,該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互間隔一距離,其中,該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互電性絕緣,且該距離介於2μm以及40μm之間。
Gov't Doc #: H01L023/52
H01L021/768
URI: http://hdl.handle.net/11536/128817
Patent Country: TWN
Patent Number: I511257
Appears in Collections:Patents


Files in This Item:

  1. I511257.pdf

If it is a zip file, please download the file and unzip it, then open index.html in a browser to view the full text content.