| 标题: | 半導體元件之內連接結構 |
| 作者: | 陳冠能 張耀仁 |
| 公开日期: | 1-十二月-2015 |
| 摘要: | 一種半導體元件之內連接結構，架構於一半導體基材內，該內連接結構包括：一第一矽晶直通孔，貫穿該半導體基材；以及一第二矽晶直通孔，貫穿該半導體基材，該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互間隔一距離，其中，該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互電性絕緣，且該距離介於2μm以及40μm之間。 |
| 官方说明文件#: | H01L023/52 H01L021/768 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/128817 |
| 专利国: | TWN |
| 专利号码: | I511257 |
| 显示于类别： | Patents |
文件中的档案：
If it is a zip file, please download the file and unzip it, then open index.html in a browser to view the full text content.
Loading...