标题: 半導體元件之內連接結構
作者: 陳冠能
張耀仁
公开日期: 1-十二月-2015
摘要: 一種半導體元件之內連接結構,架構於一半導體基材內,該內連接結構包括:一第一矽晶直通孔,貫穿該半導體基材;以及一第二矽晶直通孔,貫穿該半導體基材,該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互間隔一距離,其中,該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互電性絕緣,且該距離介於2μm以及40μm之間。
官方说明文件#: H01L023/52
H01L021/768
URI: http://hdl.handle.net/11536/128817
专利国: TWN
专利号码: I511257
显示于类别:Patents


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  1. I511257.pdf

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