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偏壓法於非導體基材成長磊晶鑽石之研究
(1999)
張立
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CHANG LI
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交通大學材料科學與工程研究所
偏壓法於非導體基材成長磊晶鑽石之研究(II)
(2000)
張立
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CHANG LI
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交通大學材料科學與工程研究所
光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫IV：磊晶氧化鋅之製程及特性研究(I)
(2002)
張立
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CHANG LI
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交通大學材料科學與工程系
光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫IV：磊晶氧化鋅之製程及特性研究(II)
(2003)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學工程研究所
光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫四:磊晶氧化鋅之製程及特性研究(II)
(2004)
張立
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CHANG LI
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交通大學材料科學與工程研究所
化學氣相沉積鑽石之新技術研究
(2012)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
本計畫主要探討新的化學氣相沉積技術，用以增加鑽石薄膜沉積的品質。計畫分三年執行，目標分為兩大部分:一是利用金剛烷增加成核密度於表面平整之矽基板上，另一則是利用金屬改進同質磊晶鑽石成長的品質與厚度。金剛烷(C10H16)的碳原子互相之間是sp3 鍵結，最外圍則是氫原子包覆所有碳原子，可視為具有最小鑽石單位的分子，亦可做為薄膜形成所需之核種。室溫下，金剛烷為固態，但具有高揮發性，且價格不貴。因此，本計畫擬開發適當的溶液溶解金剛烷，然後以浸潤塗佈(dip coating)方式，使金剛烷附著於矽晶片上，做為晶種，再置入微波電漿中沉積出鑽石。另外，將以金剛烷氣體為碳源，導入微波電漿中沉積鑽石於基板之上，並研究成核與成長的可行性。計劃從電漿光譜與材料分析之結果，研究各種不同的製程條件下金剛烷可能發生的變化以及對鑽石沉蹟之影響，主要關鍵著重在成核階段，因此高解析之電子顯微鏡將是重要的觀察與分析技術。同質磊晶鑽石成長之研究，則是在(111)單晶鑽石上，鍍上20-100 nm 之金，微波電漿化學氣相沉積仍可以同質磊晶方式成長，並有助於磊晶薄膜的成長。本計畫擬使用金、銅、鎳等不形成碳化物之金屬，將其鍍於單晶鑽石之上，並加以熱處理，然後觀察與分析這些金屬對微波電漿化學氣相沉積鑽石的影響。金屬熱處理的主要目的，期望使其成為島狀顆粒，具有各種不同尺寸與密度，對磊晶鑽石膜的應力、缺陷、厚度可能有不同程度的影響。除此之外，將利用電子顯微鏡、高解析X 光繞射及拉曼光譜等分析技術分析鑽石薄膜與金屬之特徵。最後綜合三種不同金屬的效應，研究鑽石磊晶成長的過程與形成連續膜的合併機制。
化學氣相沉積鑽石之新技術研究
(2013)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
本計畫主要探討新的化學氣相沉積技術，用以增加鑽石薄膜沉積的品質。計畫分三年執行，目標分為兩大部分:一是利用金剛烷增加成核密度於表面平整之矽基板上，另一則是利用金屬改進同質磊晶鑽石成長的品質與厚度。金剛烷(C10H16)的碳原子互相之間是sp3 鍵結，最外圍則是氫原子包覆所有碳原子，可視為具有最小鑽石單位的分子，亦可做為薄膜形成所需之核種。室溫下，金剛烷為固態，但具有高揮發性，且價格不貴。因此，本計畫擬開發適當的溶液溶解金剛烷，然後以浸潤塗佈(dip coating)方式，使金剛烷附著於矽晶片上，做為晶種，再置入微波電漿中沉積出鑽石。另外，將以金剛烷氣體為碳源，導入微波電漿中沉積鑽石於基板之上，並研究成核與成長的可行性。計劃從電漿光譜與材料分析之結果，研究各種不同的製程條件下金剛烷可能發生的變化以及對鑽石沉蹟之影響，主要關鍵著重在成核階段，因此高解析之電子顯微鏡將是重要的觀察與分析技術。同質磊晶鑽石成長之研究，則是在(111)單晶鑽石上，鍍上20-100 nm 之金，微波電漿化學氣相沉積仍可以同質磊晶方式成長，並有助於磊晶薄膜的成長。本計畫擬使用金、銅、鎳等不形成碳化物之金屬，將其鍍於單晶鑽石之上，並加以熱處理，然後觀察與分析這些金屬對微波電漿化學氣相沉積鑽石的影響。金屬熱處理的主要目的，期望使其成為島狀顆粒，具有各種不同尺寸與密度，對磊晶鑽石膜的應力、缺陷、厚度可能有不同程度的影響。除此之外，將利用電子顯微鏡、高解析X 光繞射及拉曼光譜等分析技術分析鑽石薄膜與金屬之特徵。最後綜合三種不同金屬的效應，研究鑽石磊晶成長的過程與形成連續膜的合併機制。
化學氣相沉積鑽石之新技術研究
(2014)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
本計畫主要探討新的化學氣相沉積技術，用以增加鑽石薄膜沉積的品質。計畫分三年執行，目標分為兩大部分:一是利用金剛烷增加成核密度於表面平整之矽基板上，另一則是利用金屬改進同質磊晶鑽石成長的品質與厚度。金剛烷(C10H16)的碳原子互相之間是sp3 鍵結，最外圍則是氫原子包覆所有碳原子，可視為具有最小鑽石單位的分子，亦可做為薄膜形成所需之核種。室溫下，金剛烷為固態，但具有高揮發性，且價格不貴。因此，本計畫擬開發適當的溶液溶解金剛烷，然後以浸潤塗佈(dip coating)方式，使金剛烷附著於矽晶片上，做為晶種，再置入微波電漿中沉積出鑽石。另外，將以金剛烷氣體為碳源，導入微波電漿中沉積鑽石於基板之上，並研究成核與成長的可行性。計劃從電漿光譜與材料分析之結果，研究各種不同的製程條件下金剛烷可能發生的變化以及對鑽石沉蹟之影響，主要關鍵著重在成核階段，因此高解析之電子顯微鏡將是重要的觀察與分析技術。同質磊晶鑽石成長之研究，則是在(111)單晶鑽石上，鍍上20-100 nm 之金，微波電漿化學氣相沉積仍可以同質磊晶方式成長，並有助於磊晶薄膜的成長。本計畫擬使用金、銅、鎳等不形成碳化物之金屬，將其鍍於單晶鑽石之上，並加以熱處理，然後觀察與分析這些金屬對微波電漿化學氣相沉積鑽石的影響。金屬熱處理的主要目的，期望使其成為島狀顆粒，具有各種不同尺寸與密度，對磊晶鑽石膜的應力、缺陷、厚度可能有不同程度的影響。除此之外，將利用電子顯微鏡、高解析X 光繞射及拉曼光譜等分析技術分析鑽石薄膜與金屬之特徵。最後綜合三種不同金屬的效應，研究鑽石磊晶成長的過程與形成連續膜的合併機制。
單光子源之奈米鑽石製備及特性研究
(2007)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系(所)
鑽石之光學中心缺陷如氮-空位(N-V, nitrogen vacancy)、矽-空位(Si-V)、鎳-氮(Ni-N)可放出單光子，其波長範圍在500-800 nm，因具有優越的室溫穩定的光學特性，已經證明可應用於長距離光纖通訊、量子科技中的量子計算與量子密碼學等領域。本研究計畫擬嘗試用微波電漿化學氣相沉積法成長奈米鑽石，利用先進的材料分析技術瞭解鑽石形成的行為及氬氣與氮氣等氣體對磊晶之影響，並測量相關的電性與光學性質、奈米尺寸的量子侷限效應；進而研究鍍膜、離子束等方法添加氮、矽、鎳等元素於奈米鑽石薄膜之中的條件，以形成光學中心，並探討使其成為導體同時兼具單光子之特性的可行性，同時利用蝕刻法，製備尺寸100 nm 以下之鑽石晶體，做為高效率單光子源。
單光子源之奈米鑽石製備及特性研究
(2006)
張立
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CHANG LI
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交通大學材料科學與工程系
鑽石之光學中心缺陷如氮-空位(N-V, nitrogen vacancy)、矽-空位(Si-V)、鎳-氮(Ni-N)可放出單光子，其波長範圍在500-800 nm，因具有優越的室溫穩定的光學特性，已經證明可應用於長距離光纖通訊、量子科技中的量子計算與量子密碼學等領域。本研究計畫擬嘗試用微波電漿化學氣相沉積法成長奈米鑽石，利用先進的材料分析技術瞭解鑽石形成的行為及氬氣與氮氣等氣體對磊晶之影響，並測量相關的電性與光學性質、奈米尺寸的量子侷限效應；進而研究鍍膜、離子束等方法添加氮、矽、鎳等元素於奈米鑽石薄膜之中的條件，以形成光學中心，並探討使其成為導體同時兼具單光子之特性的可行性，同時利用蝕刻法，製備尺寸100 nm 以下之鑽石晶體，做為高效率單光子源。
單光子源之奈米鑽石製備及特性研究
(2008)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系(所)
鑽石之光學中心缺陷如氮-空位(N-V, nitrogen vacancy)、矽-空位(Si-V)、鎳-氮(Ni-N)可放出單光子，其波長範圍在500-800 nm，因具有優越的室溫穩定的光學特性，已經證明可應用於長距離光纖通訊、量子科技中的量子計算與量子密碼學等領域。本研究計畫擬嘗試用微波電漿化學氣相沉積法成長奈米鑽石，利用先進的材料分析技術瞭解鑽石形成的行為及氬氣與氮氣等氣體對磊晶之影響，並測量相關的電性與光學性質、奈米尺寸的量子侷限效應；進而研究鍍膜、離子束等方法添加氮、矽、鎳等元素於奈米鑽石薄膜之中的條件，以形成光學中心，並探討使其成為導體同時兼具單光子之特性的可行性，同時利用蝕刻法，製備尺寸100 nm 以下之鑽石晶體，做為高效率單光子源。
基材影響鑽石成長之機制研究(I)
(2003)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系
基材影響鑽石成長之機制研究(II)
(2004)
張立
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CHANG LI
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交通大學材料科學與工程系
基材影響鑽石成長之機制研究(III)
(2005)
張立
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CHANG LI
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交通大學材料科學與工程系
基板工程應用於氧化鋅與鑽石異質磊晶成長之研究
(2010)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
基板工程應用於氧化鋅與鑽石異質磊晶成長之研究
(2011)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
基板工程應用於氧化鋅與鑽石異質磊晶成長之研究
(2009)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系(所)
富銦之氮化鋁銦薄膜成長與性質
(2010)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
AlInN 是新興之氮化物半導體材料，富銦之AlxIn1-xN(x<0.4)之能隙小於2eV，可成為新世代太陽能電池之材料之一。本計劃擬以電漿輔助有機金屬分子束磊晶法(MOMBE)沉積高品質Al0.4In0.6N 磊晶薄膜於在(0001)sapphire、(0001)GaN/sapphire、Si(110)、YSZ(111) [yttria-stabilized zirconia]四種基板，並經由X 光繞射、電子顯微鏡等材料分析了解薄膜之微觀結構及成長機制，並測量其光電性質，探討其跟微觀結構之關係。最後，根據薄膜結構與特性，評估應用於太陽能電池之潛力。
微波輔助化學浴沉積法成長氧化鋅晶體於圖案化基板之研究
(2016)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
微波輔助化學浴沉積法成長氧化鋅晶體於圖案化基板之研究
(2015)
張立
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CHANG LI
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）