Browsing by Author "Chao Shuchi"
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Item type:Item, W0/sub 3/-IrO/sub 2/二極體陣列感測元件之抗干擾特性研究(2000) ;趙書琦 ;Chao Shuchi交通大學電子物理系Item type:Item, 二極體WO3-IRO2陣列酵素型生物感測器之研究(1999) ;趙書琦 ;Chao Shuchi交通大學電子物理系Item type:Item, 固態微型化WO/sub 3/薄膜CO/sub 2/感測元件(1995) ;趙書琦 ;Chao Shuchi國立交通大學電子物理學系一種用WO/sub 3/粒子介於相近之微電極間、 固態、微型化,並能在常溫、常壓下工作的CO /sub 2/氣體感測器已於目前初步完成.該元件原 理基於CO/sub 2/在介質中之Equilibration釋出H/sup +/ 供WO/sub 3/粒子Intercalation,使其轉變為導電態的H /subx/WO/sub 3/.該元件對應CO/sub 2/濃度不但全然 可逆,並在0□%間呈線性電阻降(梯度□0k.OMEGA./1 %CO/sub 2/,每對應CO/sub 2/開、閉路須時約80秒).由 於粒子間存在高串連電阻,元件之總電阻變化 只限於15倍,尚未及WO/sub 3/材料10/sup 4/倍之理論 上限.而且,由於粒子/微電極間接觸不好和粒子 本身光學品質不理想,阻礙了進一步WO/sub 3/在CO /sub 2/下之電化學、光學研究.本計畫擬用WO/sub 3/薄膜替換原來的粒子,以大幅提昇元件之CO /sub2/感測性能.將採濺鍍法沈積高品質WO/sub 3/ 薄膜於微電極上,連接微電極,以改進元件電性( 對應CO/sub 2/之總電阻降、開、閉路時間).也將 從事WO/sub 3/薄膜在CO/sub 2/下之電化學測量,包 括H/sup +/Intercalation和Electrochromism,以解讀元件 之CO/sub 2/感測機制和了解WO/sub 3/薄膜的品質. 此外,亦將以微電極表面當作鏡子,透過WO/sub 3/ 薄膜之上色/消色Electrochromism,並在植入光纖之 後,試驗一種固態的CO/sub 2/Optrode.這種感測元件 在電性和光學性上的優缺點互補作用將深入探 討.本計畫另擬採濺鍍法沈積IrO/sub 2/、Ni(OH) /sub 2/、RuO/sub 2/和MoO/sub 3/等氧化金屬,以研製 其他氣體(SO/sub 2/、NO/sub x/和NH/sub 3/)之固態,微型化感測元件.Item type:Item, 多孔質Si電極介面電化學研究(1994) ;趙書琦 ;Chao Shuchi國立交通大學電子物理學系Si晶體本身的發光性複合效率偏低,一直是Si 不能用作發光性半導體元件的材料的原因,而 能隙的過小和能帶結構的非直遷性質則是這種 結果的導因.近來,藉由量子結構的載子局限作 用而能夠改造能帶結構的工程科技有很大的進 展,不但Si的能隙可以加大,能帶結構也可以轉 變為直遷性質.光致發光(Photoluminescence)實驗結 果顯示,經過改造後具有量子結構的Si表面可以 發出肉眼可見的光.這種利用電化學陽極化的方法產生的多孔質Si,目前在製作方面已相當成 熟,但是,其物理量測卻有很大爭議.例如,拉曼 實驗結果顯示,相對Si晶體本身,多孔質Si的Shift 差有報告是~ 20□/sup -1/也有報告是~ 1□/sup -1/. 導因對發光結構和其物理還不很清楚,多孔質Si 的高效率發光性複合機制尚無法論定.現在,本 計畫擬進行一系列多孔質Si電極/電解質介面電 化學的實驗,包括激態Cyclicvoltammetry,Mott-schottky 表面電容測量和Fermi-level pinning實驗等,以研究 其能態結構,表面電荷和其他表面能態的情形. 這些結果,將有助於對多孔質Si表面之物質□結 構和能態的認識,並提供其發光機制的線索.Item type:Item, 奈米WO3二極體之NH3冷媒感測研究(2006) ;趙書琦 ;Chao Shuchi交通大學電子物理系實驗發現,基於WO3-IrO2 薄膜結構的二極體,可以在未外加電解質的環境 下正常工作,其整流特性和有電解質的元件比較,並不遜色。最近,實驗進一步 發現,在低溫環境中(至-150oC)將微量NH3 氣體(~82 ppm)注入背景空氣 中,該元件在正、反向偏壓下皆會有「低溫氣敏電性反應」產生,電流會呈現大 幅度的變動。當IrO2 側被絕緣epoxy 覆蓋後,這種「氣敏電性反應」也會照常的 發生,可見主要是WO3 之作用。首先,本計畫為符合當下「金屬氧化物」感測元 件研究水準,擬以「反應性氣體沈積法」(reactive gas deposition),對WO3 薄 膜進行奈米結晶化研究,並製作nc-WO3-IrO2 二極體(nc = nano-crystalline), 以提昇其低溫NH3 氣體感度(至1 ppm 程度)和達到強化其他性能的目地。另 外,本計畫擬以系統性更動製程的方式(鍍膜時間、反應性氣體沈積條件等), 觀察nc-WO3 之厚度、結構、顆粒大小等變動,會與低溫NH3「氣敏反應」產生 何種關連性,並據以強化nc-WO3-IrO2 薄膜的氣體感度(gas sensitivity)。另 外,本計畫擬製作一批「最佳化」nc-WO3-IrO2 低溫NH3「氣敏二極體」,研究 其IV 電性, 包括氣體感度( gas sensitivity) 、操作溫度區間( operating temperature)、濃度嚮應(dynamic range)、反應速度(switching time)、選擇 性( selectivity) 、電雜訊特性( noise)、可逆性( reversibility) 、再現性 (reproducibility)、可靠性(reliability)、耐用性(durability)、和耗電性 (power consumption)等IV 特性。Item type:Item, 快速微型化IrO/sub x/固態CO/sub 2/感測元件(1996) ;趙書琦 ;Chao Shuchi國立交通大學電子物理學系Item type:Item, 效素型WO/sub 3/-IRO/sub 2/二極體陣列葡萄糖感測元件之可靠性研究(2000) ;趙書琦 ;Chao Shuchi國立交通大學電子物理學系Item type:Item, 氣敏WO3-IrO2二極體研究(2005) ;趙書琦 ;Chao Shuchi交通大學電子物理系實驗發現,基於WO3-IrO2 薄膜結構的二極體,可以在未外加電解質的環境 下正常工作,其整流特性和有電解質的元件比較,並不遜色。最近,實驗進一步 發現,當背景空氣中被注入微量有害氣體後(~37 ppm,NO2、NO、H2S、SO2、 CO),在正、反向偏壓下,該元件皆會有「氣敏電性反應」產生,電流呈現大幅 度的變動。當IrO2 側被絕緣epoxy 覆蓋後,這種「氣敏電性反應」尚能照常的發 生,可見主要是WO3 之作用。本計畫擬以系統性更動製程的方式(鍍膜時間、燒 結溫度、RF 濺鍍條件等),觀察WO3 之厚度、結構、顆粒大小等變動,會與 「氣敏反應」產生何種關連性,並據以強化WO3-IrO2 薄膜的氣體感度(gas sensitivity)。另外,本計畫擬製作一批「最佳化」WO3-IrO2「氣敏二極體」, 研究其IV 電性,包括氣體感度(gas sensitivity)、操作溫度區間(operating temperature)、濃度嚮應(dynamic range)、反應速度(switching time)、選擇 性( selectivity) 、電雜訊特性( noise)、可逆性( reversibility) 、再現性 (reproducibility)、可靠性(reliability)、耐用性(durability)、和耗電性 (power consumption)等特性。Item type:Item, 無外加電解質WO/sub 3/-IrO/sub 2/電色胞研究(2004) ;趙書琦 ;Chao Shuchi交通大學電子物理系實驗發現,基於WO3-IrO2 結構的二極體,可以在未外加電解質的環境下正 常工作,其整流特性和有電解質的元件比較,並不遜色。根據insertion oxide會 在內部儲存H+離子,以及H+會於室溫下在WO3 內部移動之現象,可以推論, WO3 和IrO2「互相充當」對方電解質的可能性很高,因此,並不須要再外加電解 質。本計畫擬對WO3-IrO2 結構進行「驅趕水份」和「三極」實驗,研究其H+ 離子導電特性,並由I V曲線、對溫度的依賴性,模擬H+離子在WO3-IrO2 內部 的傳導機制。另外, 本計畫擬製作「無外加電解質WO3 -IrO2 電色胞」 (electrochromic display cell),研究其電色特性,色括上色和消色切換的光穿透 率( switching transmittances) 、反應速度( response time) 、可逆性 (reversibility)、再現性(reproducibility) 、可靠性( reliability)、耐用性 (durability)、和耗電性(power consumption)等特性。Item type:Item, 酵素型WO/sub 3/-IrO/sub 2/二極體陣列葡萄糖感測元件之儲氧特性研究(2002) ;趙書琦 ;Chao Shuchi交通大學電子物理系Item type:Item, 酵素型WO/sub 3/-IrO/sub 2/二極體陣列葡萄糖感測元件之速率研究(2001) ;趙書琦 ;Chao Shuchi國立交通大學電子物理學系