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Browsing by Author "KWEI CHENG-MAY"

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    反射電子的角度分布之研究
    (1995)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    國立交通大學電子工程研究所
    電子與物質的交互作用包含了數種基本過 程,而電子受到固態原子之屏障位能的彈性散 射為其中之一.部分入射電子因彈性散射由固 態表面反射.此種現象的了解對一些表面靈敏 的分析技術非常重要,如低能電子繞射.一些對 彈性反射電子實驗研究發現,其角度分布的複 雜性,以及彈性反射係數與入射電子之能量的 相關性.然而,目前尚無完整之理論模式來描述 此現象.本計畫主要在建立電子由非晶體表面 反射之角度分布的理論模式,在彈性散射方面, 利用光學位勢及分波法計算各物質內不同電子 能量的彈性散射截面,此光學位勢包含了靜位 勢、交換位勢、極化位勢,為了包含固態效應,將採用Hartree-Fock-Wigner-Seitz的電子分布計算靜 位勢與交換位勢,以及利用實驗的光學常數計 算極化位勢之極化常數.在非彈性散射方面,則 利用一理論的介電函數,使其吻合物質的光學 介電函數及能量損失函數,並且滿足粒子數守 恆的"總和規則"(Sum rule),應用此模式及玻恩近 似法可計算各物質中價電子所造成的非彈性散 射截面和阻擋能力,進而求出非彈性平均自由 徑及表面激發機率.對於內層電子的貢獻,則利 用古典雙體碰撞模式計算廣義振盪強度.然後 用Monte Carlo模擬方法,將前面所得的電子遷移之 基本物理量輸入,模擬電子由固態表面反射情 形並探討多次散射理論(Multiple scatteringmodel)之 限制,最後發展新的理論解析模式來計算反射 電子的角度分布.
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    反射電子能量損失分布之研究
    (1996)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    國立交通大學電子工程學系
    本計劃利用蒙地卡羅法(Monte Carlo method)分析 電子在能量100eV至2keV範圍內,由各向同性及均 勻之物質表面彈性反射的彈性反射係數及角度 分布. 結果顯示大部份的彈性反射電子只經過 少數幾次散射,同時大約一半是僅經過一次散 射. 因此,多次散射模式或一次散射模式,都不 足以描述反射電子的角度分布. 為了改良這些 模式,我們真正的計算了一次至三次散射的貢 獻,對其他更多次散射,則採用P1多次散射近似 法,來解波玆曼遷移方程式. 這樣,我們可得彈 性反射係數及角度分布的解析公式. 利用此公 式所得結果和蒙地卡羅模擬結果及實驗數據相 當吻合.
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    固體對低速投射原子之電子阻擋本領
    (2000)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    國立交通大學電子工程學系
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    帶電粒子平行於雙層系統運動之激發電位及阻擋本領
    (2001)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    國立交通大學電子工程學系
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    延遲效應對固體表面附近運動的相對論性帶電粒子能量損失影響
    (2004)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    交通大學電子工程系
    當一個帶電粒子，以平行於固體表面做運動時，會因為受到來自粒子與固體表 面電子的交互作用產生之激發電位，而使其所帶能量造成損失。過往之研究結果適 合應用在沒有電磁延遲效應的情況下，但是當帶電粒子以非常快的速度平行經過表 面時，其與固體表面電子的交互作用激發電位，將會受到電磁延遲效應的影響。所 以本計畫目的在探討，當帶電粒子以高速平行經過固體表面時，電磁延遲效應對激 發電位及阻擋本領的影響。我們將利用介電理論，並根據邊界條件及勞倫茲規範， 去解在傅立葉空間中的馬克斯威爾方程式，而得到包含電磁延遲效應並且符合相對 論質能守恆及動量守恆，以及平行固體表面運動帶電粒子之激發電位和阻擋本領模 式。本計畫將探討高速運動帶電粒子激發電位的空間分佈，計算不同速度帶電粒子 受到的阻擋本領，比較有無考慮延遲效應影響的結果差異，並證明含電磁延遲效應 模式在粒子速度小時，會回到以前研究所推導不含延遲效應之模式結果。
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    彈性波峰電子能譜術之準彈性散射能量損失
    (2002)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    交通大學電子工程系
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    彈性碰撞反射電子徑長分布之研究
    (1999)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    交通大學電子工程系
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    Ⅲ族氮化半導體的表面激發參數
    (2007)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    當快速電子穿越一個固體表面時會產生表面激發。在射入固體之前或射出 固體之後，電子在真空中移動所產生激發的總機率通常用表面激發參數來詮 釋。Ⅲ族氮化物在雷射及發光二極體的應用上具有極大的重要性。在本計劃 中，我們將計算200-2000 eV 能量之電子，以各種不同穿越角度穿越Ⅲ族氮化 半導體表面的表面激發參數。這些參數將根據電磁介電理論加以計算，並使用 與光學資料匹配且滿足總和律所建立的延伸式德魯特介電函式。藉由分析表面 激發參數和電子能量，以及穿越角度的關係，我們將更進一步地找出匹配表面 激發參數的簡單通式。
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    表面效應對電子能譜定量分析之影響
    (1997)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    交通大學電子工程系
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    表面電子能譜學之電子非彈性散射截面研究(I)
    (2005)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    交通大學電子工程系
    電子與固體發生之非彈性交互作用，在定量分析電子散射能譜中極為重要， 本計畫擬探討電子在固體中遷移的基本物理量，如：電子非彈性微分倒數平均自 由行徑、電子非彈性平均自由行徑及表面激發參數等。過往所發表過的研究成果當 中，並未真正考慮到電子移動方向對這些物理量所造成的影響，連帶影響到模擬電 子散射能譜理論建構的真確性。所以在本計畫的第一年期間，將要探討電子移動方 向，對電子非彈性微分倒數平均自由行徑、電子非彈性平均自由行徑的影響，再利 用電磁介電理論，根據邊界條件，去解在傅立葉空間中的柏松方程式，得出移 動電子所受到的阻擋力，進一步推導出，與電子瞬時位置及移動方向有關之電子 非彈性微分倒數平均自由行徑和電子非彈性平均自由行徑，並針對不同固體計算其 結果。透過第一年所達成的成果，我們將在第二年的計畫中，推出與電子移動方向 有關之表面激發參數，並加以計算針對不同固體的表面激發參數，再藉由模擬軟體 的協助，找出可以匹配表面激發參數的簡單通式，以方便日後能直接應於相關研究 上。在有了上述針對非彈性散射的研究成果，我們將改善蒙地卡羅法電子散射能譜 模擬程式，以俾使模擬更真確，並且使計算出的電子散射能譜更能接近實驗所量測 的數值。
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    雙層系統之彈性背向散射電子研究
    (1998)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    交通大學電子工程系
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    電子沿固體表面運動之非彈性作用的記憶效應
    (2003)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    國立交通大學電子工程學系
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    電子穿越固體表面的角度對表面激發參數之影響
    (2006)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    交通大學電子工程系
    在許多電子散射能譜的定量分析中，電子與固體間的非彈性交互作用扮演 著非常重要的角色。過去的研究顯示，要瞭解非彈性散射截面，就不能不瞭解 表面激發效應，而註釋表面激發效應最為適當的莫過於表面激發參數。表面激 發參數可以利用介電理論來推導，而在介電理論中，相關的激發效應都需要用 到介電函式來描述。本計畫將利用光學性質來尋找延伸式德魯特介電模型在光 學極限下的參數，再擴展到其他動量轉移之下的介電函式。接著將此介電函式 代入柏松方程式，解得電位分佈、電子阻擋力、倒數非彈性平均自由行徑，最 後求得表面激發參數與電子入射或出射角度的關係式。利用此關係式，將可計 算不同固體的表面激發參數。進一步地，再利用模擬軟體的協助，找出可以匹 配表面激發參數的簡單通式，以方便日後能直接應用於相關研究上。
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    電子經由雙層系統介質彈性反射之角度分布
    (2000)
    桂正楣
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    KWEI CHENG-MAY
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    交通大學電子工程系