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CARBON-DOPED SILICON NITRIDE THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD AND DEVICE THEREOF
(2013-12-12)
Leu Jihperng
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Tu Hung-En
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Chiu Wei-Gan
The present invention relates to carbon-doped silicon nitride thin film and forming method and device thereof The carbon-doped silicon nitride thin film is prepared by using a precursor having at least one of bis(dimethylamino)diethylsilane, N,N-Dimethyltrimethylsilylamine and a cyclic structure with a N—Si bond. The method for forming a carbon-doped silicon nitride thin film includes: providing a precursor having at least one of bis(dimethylamino)diethylsilane, N,N-Dimethyltrimethylsilylamine and a cyclic structure with a N—Si bond to form the carbon-doped silicon nitride thin film. The device for forming the carbon-doped silicon nitride thin film includes a reactor and a container with the aforementioned precursor coupled to the reactor.
ELECTROLUMINESCENT DEVICE INCLUDING MOISTURE BARRIER LAYER
(2014-03-20)
Leu Jihperng
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Syu Shu-Hao
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Tu Hung-En
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Wang Chih
An electroluminescent device includes: a substrate; an electroluminescent layered structure disposed over the substrate and including first and second electrode layers and an electroluminescent material layer disposed between the first and second electrode layers; and a moisture barrier layer in contact with the electroluminescent layered structure for preventing moisture from diffusing into the electroluminescent layered structure. The moisture barrier layer includes at least two inorganic films of a silicon-nitrogen-containing compound and at least one polymer film interposed between the inorganic films.
Electroluminescent device including moisture barrier layer
(2015-02-24)
Leu Jihperng
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Syu Shu-Hao
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Tu Hung-En
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Wang Chih
An electroluminescent device includes: a substrate; an electroluminescent layered structure disposed over the substrate and including first and second electrode layers and an electroluminescent material layer disposed between the first and second electrode layers; and a moisture barrier layer in contact with the electroluminescent layered structure for preventing moisture from diffusing into the electroluminescent layered structure. The moisture barrier layer includes at least two inorganic films of a silicon-nitrogen-containing compound and at least one polymer film interposed between the inorganic films.
利用離子型界面活性劑探討旋塗性多孔超低介電薄膜中起孔洞劑與孔洞尺寸及其分散行為之研究
(2012)
呂志鵬
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Leu Jihperng
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
後22 奈米元件的製程需引進超低介電材料（k ≤2.2），其關鍵技術是將大量的起孔洞劑（porogen）加入低介電基材中，然後藉由熱處理將其移除後得到多孔性低介電薄膜。然而porogen 在溶液或薄膜中會發生團聚現象，使最後孔洞尺寸在升溫後或在高孔隙率下，形成大孔洞且分佈不均。但實際應用上，超低介電材料卻需要分佈均勻的奈米級孔洞。迄今雖有研究利用改變升溫速率或合成接枝的方式限制porogen 的團聚行為，但改變升溫速率可能會影響薄膜性質，接枝方法又較繁瑣。故本計畫在不改變後段製程的升溫速率下，利用控制porogen 表面電位的方式限制其在低介電基材中的團聚行為，以達到控制孔洞大小的目的。本計畫第一年將利用陰/陽離子型界面活性劑改變porogen 的表面電位，達到奈米粒子間分散的效果。探討升溫過程中，改質前後porogen 與基材間的交互行為和自身團聚之現象，以瞭解不同界面活性劑對porogen 在低介電基材中分散的影響；第二年計畫將試圖增加porogen 含量，並改變porogen 與溶劑種類或性質，期望能提出一套完整的「陰 /陽離子型界面活性劑對起孔洞劑分散機制模型」，並製備出孔隙率>50%、孔洞分散效果佳且尺寸均一的多孔性超低介電薄膜。此外，探討多孔型低介電材料之介電常數、機械性質及漏電行為等關鍵性質。
利用離子型界面活性劑探討旋塗性多孔超低介電薄膜中起孔洞劑與孔洞尺寸及其分散行為之研究
(2013)
呂志鵬
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Leu Jihperng
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
後22 奈米元件的製程需引進超低介電材料（k ≤2.2），其關鍵技術是將大量的起孔洞劑（porogen）加入低介電基材中，然後藉由熱處理將其移除後得到多孔性低介電薄膜。然而porogen 在溶液或薄膜中會發生團聚現象，使最後孔洞尺寸在升溫後或在高孔隙率下，形成大孔洞且分佈不均。但實際應用上，超低介電材料卻需要分佈均勻的奈米級孔洞。迄今雖有研究利用改變升溫速率或合成接枝的方式限制porogen 的團聚行為，但改變升溫速率可能會影響薄膜性質，接枝方法又較繁瑣。故本計畫在不改變後段製程的升溫速率下，利用控制porogen 表面電位的方式限制其在低介電基材中的團聚行為，以達到控制孔洞大小的目的。本計畫第一年將利用陰/陽離子型界面活性劑改變porogen 的表面電位，達到奈米粒子間分散的效果。探討升溫過程中，改質前後porogen 與基材間的交互行為和自身團聚之現象，以瞭解不同界面活性劑對porogen 在低介電基材中分散的影響；第二年計畫將試圖增加porogen 含量，並改變porogen 與溶劑種類或性質，期望能提出一套完整的「陰 /陽離子型界面活性劑對起孔洞劑分散機制模型」，並製備出孔隙率>50%、孔洞分散效果佳且尺寸均一的多孔性超低介電薄膜。此外，探討多孔型低介電材料之介電常數、機械性質及漏電行為等關鍵性質。
超低介電碳氮化矽薄膜之研究
(2015)
呂志鵬
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Leu Jihperng
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
超低介電碳氮化矽薄膜之研究
(2016)
呂志鵬
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Leu Jihperng
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）
超低介電碳氮化矽薄膜之研究
(2014)
呂志鵬
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Leu Jihperng
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國立交通大學材料科學與工程學系（所）