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Item type:Item, 一種新穎絕緣層上矽動態起啟電壓金氧半元件(2002) ;趙天生 ;TIEN-SHENGCHAO交通大學電子物理系Item type:Item, 利用MOCVD製備高介電閘極材料之研究(2001) ;趙天生 ;TIEN-SHENGCHAO國立交通大學電子物理學系Item type:Item, 氣化氫氟酸在奈米金氧半電晶體之應用及其設備之開發(I)(2005) ;趙天生 ;TIEN-SHENGCHAO交通大學電子物理系在我們之前的研究成果,已經可以感受到氣化氫氟酸可以明顯改進氧化層與矽界 面。為能符合奈米電子技術發展所需之各種技術,我們在第一年、第二年將氣化氫 氟酸應用在最新的技術,包含第一年目標:氣化氫氟酸不同晶向之遷移率影響,及 其對絕緣層界面品質改進之機制研究、利用氣化氫氟酸製作系統晶片所需之高品質 雙閘極氧化層;第二年目標:氣化氫氟酸對local strain n 型及p 型金氧半電晶體遷 移率之影響、氣化氫氟酸對SiGe-(100), -(110), -(111) 之閘極氧化層品質及n 型及p 型金氧半電晶體遷移率之影響等。然而對氣化氫氟酸而言,在純度及安全性皆需考 慮下,因此我們希望在計劃第三年能製作新一代較為安全的原型氣化氫氟酸系統。Item type:Item, 製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究(2002) ;趙天生 ;TIEN-SHENGCHAO交通大學電子物理系Item type:Item, 製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究(II)(2003) ;趙天生 ;TIEN-SHENGCHAO國立交通大學電子物理學系Item type:Item, 製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究(III)(2004) ;趙天生 ;TIEN-SHENGCHAO交通大學電子物理系Item type:Item, 高效能動態起始電壓絕緣層上矽元件(2003) ;趙天生 ;TIEN-SHENGCHAO國立交通大學電子物理學系Item type:Item, 高電容比值之矽可變電容二極體(2005) ;趙天生 ;TIEN-SHENGCHAO交通大學電子物理系