Browsing by Author "WANG SHING CHUNG"
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Item type:Item, 介觀尺度下氮化鎵量子侷限結構在高Q值微共振腔之光子輻射可控性研究(I)(2006) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG交通大學光電工程研究所Item type:Item, 介觀尺度下氮化鎵量子侷限結構在高Q值微共振腔之光子輻射可控性研究(II)(2007) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 介觀尺度下氮化鎵量子侷限結構在高Q值微共振腔之光子輻射可控性研究(III)(2008) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 可控制光的奈米光電元件之研究(2009) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 可控制光的奈米光電元件之研究(2011) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 可控制光的奈米光電元件之研究(2010) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 學研合作計畫---新穎奈米技術製作高效率半導體發光元件(I)(2009) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)在本計畫中,我們將利用氮化鎵材料及新穎奈米技術製作高效率半導體發光元件,其中研究主軸可歸納為以下幾點研究重點: (1) 發展並製作室溫下電激發藍光面射型雷射。 (2) 利用光子晶體技術製作電激發光子晶體面射型雷射。 (3) 製作半導體微共振腔、奈米共振腔及奈米雷射元件。 (4) 利用奈米製程技術發展高效率氮化鎵發光二極體。 (5) 利用新穎基板成長技術以開發高品質氮化鎵磊晶材料及氮化鎵基板。 在第一項研究重點中,我們已成功達成國際上第一個低溫連續操作之電激發面射型雷射,因此在此研究領域上已具有國際競爭優勢,若能在此計畫期間內達成室溫下之連續操作電激發面射型雷射,此研究成果必然受到國際上的重視,亦會是此研究領域的重大突破。第二項光子晶體面射型雷射方面,由於我們的雷射結構同時具有DBR與光子晶體,可提供橫向與縱向的光子侷限,亦是我們實驗室所提出的獨特結構。第三項半導體微共振腔與奈米雷射方面,由於此元件結構與面射型雷射相似,因此基於我們實驗室目前的技術,十分適合進行此研究領域的探討。第四項高效率發光二極體方面,由於目前LCD背光與未來白光照明的需要,高效率高亮度的白光發光二極體將是未來光電產業的需求。而決定各種發光元件之特性將是仰賴高品質氮化鎵基板,因此如何提升基板品質以改善各項氮化鎵發光元件將是本計畫的第五項重點。計畫內容中,不但包括目前產業需求的氮化鎵發光二極體、深具應用潛力的電激發氮化鎵面射型雷射、電激發氮化鎵光子晶體雷射與奈米雷射,我們更與國際知名的史丹佛大學Prof. Fan與Prof. Yamamoto合作,亦與日本東京工業大學Prof. Iga與Prof. Koyama合作,因此此計畫研究內容不但具有產業上的需求效益,更可提前產出專利布局,具有國際上的競爭優勢。Item type:Item, 學研合作計畫-新穎奈米技術製作高效率半導體發光元件( III )(2011) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 成長於非極化氮化鎵之寬能隙材料及光電元件研究---子計畫一:非極性氮化鎵半導體材料元件磊晶成長(2007) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)非極性氮化鎵半導體由於在成長方向上不具內建電場,因此在能帶結構上具平帶特 性可使電子、電洞波函數在空間中重合比率高,因此在理論上發光效率可以比傳統具極 性之發光元件還來得高,故在利用其製作高效率發光元件上極具潛力。此外由於非極性 三五氮化物具相當強的偏振光特性,故在光性應用上十分廣泛。本計畫主要目的為成長 高品質的非極性相關材料及元件。利用有機金屬氣相沈積系統成長非極性發光二極體並 以降低縲旋差排及疊差密度為首要目標,主要利用之技術如利用磊晶側向成長技術、同 步成長氮化矽奈米結構層於磊晶層、調整適當之磊晶參數,以增加元件之發光性能,並 製作出偏光效率良好之元件。另外在製程方面,計劃運用了基板圖案化及表面粗化之技 術來提升元件之光萃取效率。再者,結合元件特性模擬及結構設計,我們可以運用DBR 結構於非極性面射型雷射之共振腔結構中,進而量測、分析非極性面射型雷射之高效能 元件及物理特性。Item type:Item, 成長於非極化氮化鎵之寬能隙材料及光電元件研究---子計畫一:非極性氮化鎵半導體材料元件磊晶成長(2009) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)非極性氮化鎵半導體由於在成長方向上不具內建電場,因此在能帶結構上具平帶特 性可使電子、電洞波函數在空間中重合比率高,因此在理論上發光效率可以比傳統具極 性之發光元件還來得高,故在利用其製作高效率發光元件上極具潛力。此外由於非極性 三五氮化物具相當強的偏振光特性,故在光性應用上十分廣泛。本計畫主要目的為成長 高品質的非極性相關材料及元件。利用有機金屬氣相沈積系統成長非極性發光二極體並 以降低縲旋差排及疊差密度為首要目標,主要利用之技術如利用磊晶側向成長技術、同 步成長氮化矽奈米結構層於磊晶層、調整適當之磊晶參數,以增加元件之發光性能,並 製作出偏光效率良好之元件。另外在製程方面,計劃運用了基板圖案化及表面粗化之技 術來提升元件之光萃取效率。再者,結合元件特性模擬及結構設計,我們可以運用DBR 結構於非極性面射型雷射之共振腔結構中,進而量測、分析非極性面射型雷射之高效能 元件及物理特性。Item type:Item, 成長於非極化氮化鎵之寬能隙材料及光電元件研究---子計畫一:非極性氮化鎵半導體材料元件磊晶成長(2008) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)非極性氮化鎵半導體由於在成長方向上不具內建電場,因此在能帶結構上具平帶特 性可使電子、電洞波函數在空間中重合比率高,因此在理論上發光效率可以比傳統具極 性之發光元件還來得高,故在利用其製作高效率發光元件上極具潛力。此外由於非極性 三五氮化物具相當強的偏振光特性,故在光性應用上十分廣泛。本計畫主要目的為成長 高品質的非極性相關材料及元件。利用有機金屬氣相沈積系統成長非極性發光二極體並 以降低縲旋差排及疊差密度為首要目標,主要利用之技術如利用磊晶側向成長技術、同 步成長氮化矽奈米結構層於磊晶層、調整適當之磊晶參數,以增加元件之發光性能,並 製作出偏光效率良好之元件。另外在製程方面,計劃運用了基板圖案化及表面粗化之技 術來提升元件之光萃取效率。再者,結合元件特性模擬及結構設計,我們可以運用DBR 結構於非極性面射型雷射之共振腔結構中,進而量測、分析非極性面射型雷射之高效能 元件及物理特性。Item type:Item, 成長於非極化氮化鎵之寬能隙材料及光電元件研究---總計畫(2008) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)本計畫係一跨領域、跨校之整合性研究計畫,本整合計畫整合了寬能隙光電半導體材料 之研發、奈米材料之研製、奈米微結構及表面電漿等製程技術、光電新穎光子晶體元件 結構特性模擬計算與製作、光偵測元件設計與製造、以及光致氧化製作新穎元件技術等 各領域技術,利用非極性基板與新穎製程設計與研發寬能隙三五族高量子效率之光電材 料、結構與發光及偵測元件,如:高品質之發光異質結構(Heterostrcture)、非極性 寬能隙材料及元件之成長與特性分析、非極性高效率寬能隙材料發光元件或雷射結構之 設計、成長與製作,以及具有光學微共振腔結構之寬能隙發光元件,低維結構之製作等。 本總計畫提供各子計畫合作平臺並控制計畫進度與掌握研究方向與進展,以期整合計畫 能順利達成預期成果,及提昇國內原創水準並為國內培養光電研發人才,並提昇我國之 光電研究在國際學術界水準。Item type:Item, 成長於非極化氮化鎵之寬能隙材料及光電元件研究---總計畫(2009) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)本計畫係一跨領域、跨校之整合性研究計畫,本整合計畫整合了寬能隙光電半導體材料 之研發、奈米材料之研製、奈米微結構及表面電漿等製程技術、光電新穎光子晶體元件 結構特性模擬計算與製作、光偵測元件設計與製造、以及光致氧化製作新穎元件技術等 各領域技術,利用非極性基板與新穎製程設計與研發寬能隙三五族高量子效率之光電材 料、結構與發光及偵測元件,如:高品質之發光異質結構(Heterostrcture)、非極性 寬能隙材料及元件之成長與特性分析、非極性高效率寬能隙材料發光元件或雷射結構之 設計、成長與製作,以及具有光學微共振腔結構之寬能隙發光元件,低維結構之製作等。 本總計畫提供各子計畫合作平臺並控制計畫進度與掌握研究方向與進展,以期整合計畫 能順利達成預期成果,及提昇國內原創水準並為國內培養光電研發人才,並提昇我國之 光電研究在國際學術界水準。Item type:Item, 成長於非極化氮化鎵之寬能隙材料及光電元件研究---總計畫(2007) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)本計畫係一跨領域、跨校之整合性研究計畫,本整合計畫整合了寬能隙光電半導體材料 之研發、奈米材料之研製、奈米微結構及表面電漿等製程技術、光電新穎光子晶體元件 結構特性模擬計算與製作、光偵測元件設計與製造、以及光致氧化製作新穎元件技術等 各領域技術,利用非極性基板與新穎製程設計與研發寬能隙三五族高量子效率之光電材 料、結構與發光及偵測元件,如:高品質之發光異質結構(Heterostrcture)、非極性 寬能隙材料及元件之成長與特性分析、非極性高效率寬能隙材料發光元件或雷射結構之 設計、成長與製作,以及具有光學微共振腔結構之寬能隙發光元件,低維結構之製作等。 本總計畫提供各子計畫合作平臺並控制計畫進度與掌握研究方向與進展,以期整合計畫 能順利達成預期成果,及提昇國內原創水準並為國內培養光電研發人才,並提昇我國之 光電研究在國際學術界水準。Item type:Item, 新穎元件架構實驗型高密度多段波長多工通訊網路系統整合研究---子計畫III:DWDM長波長面射型雷射之研發(II)(2002) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG交通大學光電工程研究所Item type:Item, 新穎元件架構實驗型高密度多段波長多工通訊網路系統整合研究---子計畫III:DWDM長波長面射型雷射之研發(III)(2003) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程研究所Item type:Item, 新穎元件架構實驗型高密度多段波長多工通訊網路系統整合研究---子計畫三:DWDM長波長面射型雷射之研發(I)(2001) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程研究所Item type:Item, 新穎奈米技術製作高效率半導體發光元件(II)(2010) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 新穎高效率混合型之量子點光電元件---子計畫三:週期性結構結合奈米粒子應用於新穎發光元件之研究 (II)(2014) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 新穎高效率混合型之量子點光電元件---子計畫三:週期性結構結合奈米粒子應用於新穎發光元件之研究( III )(2015) ;王興宗 ;WANG SHING CHUNG國立交通大學光電工程學系(所)