成長於非極化氮化鎵之寬能隙材料及光電元件研究---子計畫一：非極性氮化鎵半導體材料元件磊晶成長

Abstract

非極性氮化鎵半導體由於在成長方向上不具內建電場，因此在能帶結構上具平帶特 性可使電子、電洞波函數在空間中重合比率高，因此在理論上發光效率可以比傳統具極 性之發光元件還來得高，故在利用其製作高效率發光元件上極具潛力。此外由於非極性 三五氮化物具相當強的偏振光特性，故在光性應用上十分廣泛。本計畫主要目的為成長 高品質的非極性相關材料及元件。利用有機金屬氣相沈積系統成長非極性發光二極體並 以降低縲旋差排及疊差密度為首要目標，主要利用之技術如利用磊晶側向成長技術、同 步成長氮化矽奈米結構層於磊晶層、調整適當之磊晶參數，以增加元件之發光性能，並 製作出偏光效率良好之元件。另外在製程方面，計劃運用了基板圖案化及表面粗化之技 術來提升元件之光萃取效率。再者，結合元件特性模擬及結構設計，我們可以運用DBR 結構於非極性面射型雷射之共振腔結構中，進而量測、分析非極性面射型雷射之高效能 元件及物理特性。