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    DEVELOPMENT AND ANALYSIS OF A NETWORK-BASED MULTI-MEDIA TOUR GUIDING SYSTEM
    (1993)
    CHEN, FR
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    HWANG, GJ
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    資訊工程學系
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    Department of Computer Science
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    自動化工廠設施佈置與無人搬運車路軌系統並行設計之研究
    (1993)
    沙永傑
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    SHA YUNG-JYE ( D. Y.
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    交通大學工業工程研究所
    工廠自動化是產業發展之趨勢;於生產自動化 體系中設施佈置(Facilities Layout)與無人搬運車(AGV) 路軌系統扮演系統整合之角色;工廠設備之佈置 及搬運路徑設計之良劣,將直接影響系統之績效; 故本研究針對設施佈置及無人搬運車路徑設計作 一整合性研究,期使生產系統內之設施佈置與搬 運路徑能達成最適之配合,本研究並以建立有效 之設計模式為主要目標.一般無人搬運車之研究皆假設工廠之設施佈置圖 為已知條件,再以最短路徑之總距離為目標函數 進行研究;其中包括0-1整數規劃法(0-1 Integer Programming)及界限分枝法(Branch and BoundApproach)等. 無人搬運車為生產自動化中不可或缺的一環,近年來有多位學者投入研究,並嘗試將最短路徑及 搬運密度列為系統設計之主要考慮因素;即先考 慮無人搬運車於設備間搬運之頻率,規劃出設備 間之相關位置,其後再應用各種規劃方法,求得搬 運路徑之最佳解或可行解.本研究將應用並行工程(Concurrent Engineering)的觀念 同時規劃設施佈置與搬運路徑.並行工程是一種 系統化方法,整合產品生命週期中有關設計,製程 規劃,製造,裝配及檢驗等功能,使產品在設計階段 就能考慮其在生命週期各功能的運作,並適時提 供有關製程規劃,製造,裝配,檢驗等資訊,期使產 品在加工時所遭遇的問題降為最少.本研究主要 分為兩部份進行;第一部份,將應用數學規劃模式, 將自動化工廠中之設施佈置與路徑設計問題同時 考慮並予以模式化,以求得最適解或可行解;第二 部份,應用並行工程觀念,對設施佈置與AGV路徑兩 部份作並行設計,並適時提供資訊回饋,期使設計 的整合達較佳之結果;本研究並針對上述兩種方 法之結果做比較分析,以了解其間之差異性.
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    銅膜之化學氣相沈積法及其在積體電路連線應用上之相關特性研究
    (1993)
    陳茂傑 
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    交通大學電子研究所 
    銅(Cu)具有比鋁(Al)和絕大多數金屬更低的電 阻率(1.67.mu..OMEGA.-cm for bulk)和優異的電子遷移( Electromigration)抗拒性,已被初步認為是解決未來 深次微米(Deep submicron)積體電路連線問題的新 希望.本計畫擬以自行設計和組裝建立的冷壁式低壓化學氣相沈積系統(Cold wall LPCVD system), 以有機金屬複合體[ Cu/sup +1/(hfac).bul.Olefin organometallic complexes] 當作Cu-source,以氮氣(N/sub 2/ )或氫氣(H/sub 2/)或氬氣(Ar)當作Carrier gas,將Cu-source帶入反應室中,使銅膜沈積在加溫的基 板上.基板可為矽晶片,其上長有SiO/sub 2/或金屬 矽化物(Metal silicide).是以本計畫亦將對Cu-CVD沈 積於Si,Silicide,及SiO/sub 2/的選擇性(Selectivedeposition)加以探討.對於沈積之銅膜,本計畫將 分析評估其均勻性□成長速率□微結構和電特 性,以及影響上列各項之製程參數,如基板溫度 □氣體流量□反應時之氣壓,使用之Carrier gas等 ,以期尋求最佳之製程條件.由於銅與一些積體 電路製程上常用的材料易於在高溫發生反應, 所以對Cu/Si,Cu/SiO/sub 2/及Cu/Silicide等系統的高 溫穩定性,以及Barrier metal(如TiN,TiW,W等) 的效用 和運用亦將為本計畫探討的主要項目.此外 ,在 Cu-CVD之研究過程中,並將隨時與Sputtering 所製備 之銅膜作必要的比較 . 
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    高速光纖網路高速傳輸系統之設計、效能分析、及其雛型之建構(II)
    (1993)
    楊啟瑞
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    YUANG MARIA C.
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    交通大學資訊工程研究所
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    基礎剛度對動力反矩陣之影響
    (1993)
    劉俊秀
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    LIOU GIN-SHOW
    ;
    交通大學土木工程學系
    本研究將發展一方法以求土壤-結構動力互制 分析中,所需之土壤動力反力矩陣(Impedance Matrix). 在此方法中,基礎之形狀假設為軸對稱(Axial Symmetry),但基礎本身的剛度(Stiffness)將在推導的過 程中加以考慮.利用次結構(Sub-Structure)之方法,吾人將先求層狀 半空間(Layered Half-Space)上受任意載重之解析解( Analytic Solution).此解析解為圓柱坐標系統內( Cylindrical Coordinates)波動方程式之解.然後再利用 古典板之理論(Classical Plate Theory)求得軸對稱基礎 受任意載重之解析解.當兩箇次結構(層狀半空間 及基礎)之解求得後,吾人可利用應力與位移之連 續條件(Stress andDisplacement Compatibility)求得動力反 力矩陣.在求得動力反力矩陣的過程中,基礎與層狀半空 間之間的互制應力在圓柱坐標系統中之r-方向假 設為Piecewise Linear,Variational Principle及Reciprocal Theorem也將被利用以求得動力反力矩陣(Impedance Matrix).
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    視訊處理之即時模擬器(II)
    (1993)
    任建葳
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    交通大學電子物理研究所
    本計畫旨在發展一個即時模擬器以處理視像訊 號.此實體模擬器可以用在即時環境下,驗證軟體 模組或硬體模組設計.模擬器本身是一個接在主 機上的多處理機陣列和一個系統軟體,此系統軟 體負責計算法則對應,效能評估等.在上一年度,我們分析了視像處理常用的計算法 則,並完成了此可程式,可再組的處理機陣列設計. 此外,系統軟體也已設計發展完成.今年(第二年) 我們將強調此模擬器的實作驗證與界面研究,主 要工作包括:(i)採用TI TMS320C40處理機完成陣列實作,並設計此 陣列在工作上所需的記憶界面和輸出入界面,(ii)研究處理機陣列和ASIC之間的界面技術.
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    THE PERCEPTRON TRAINING RULE FOR BIDIRECTIONAL ASSOCIATIVE MEMORY
    (1993)
    LIN, JK
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    CHANG, JY
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    電控工程研究所
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    Institute of Electrical and Control Engineering
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    同步波長光纖網路之研究
    (1993)
    高銘盛
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    交通大學電信工程研究所
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    具高可撓資料表示性的整合式佈局系統設計與實作(II)
    (1993)
    蕭培墉
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    HSIAO PEI-YUNG
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    交通大學資訊科學研究所
    超大型積體電路設計自由化(VLSI Design Automation) 由於各種資料量非常龐大且數據種類繁多,互相 間關係複雜,因此各個設計工具間常須藉專用的 資料庫來互相溝通並有效的管理資料.CAD專用資 料庫的設計是一項龐大而瑣碎的工作,目前已進 入以商品化設計為主,而較少有進一步做深入研 究的體裁.本計畫基於研究發展的訴求,提出以高 可撓資料表示性的資料結構為基底,設計並實作 一個整合式的實體佈局系統(簡稱ILFD),有別於直 接基植於專用資料庫的整合式佈局系統之設計方 法.過去二十幾年來,有許多處理二度空間問題的空 間資料結構(Spatial Data Structures)不斷的被提出來 應用在影像處理與VLSI佈局工具設計上,基於大部 分的空間資料表示式都因更有效率的空間資料結 構的出現,而被取代或拋棄.本計畫意圖找出同一 系列通泛型的空間資料結構,並充分擴充其二度 空間的搜尋功能.本系統架設在該系列空間資料 表示式後,縱然這些資料表示式將來仍難免要被 進一步改善或更新,但所有建在本ILFD上面的子佈 局工具已經隔離化,故只要使用同一系列空間資 料結構,整合系統將不受因資料表示式更新而需 重新設計之影響.事實上,任何對該系列空間資料 結構本身以及其所附屬之搜尋功能的改善,反而 直接地會提高ILFD的整體執行效益.
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    圖論中的分割及相關問題
    (1993)
    張鎮華
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    Chang Gerard Jennhwa
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    交通大學應用數學系
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    以QSARs推測綜合毒性反應之研究
    (1993)
    陳重元
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    CHEN CHUNG-YUAN
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    交通大學環境工程研究所
    放流水中化合物的組成往往極為複雜,欲了解 其毒性,除考慮各化合物不同相間的平衡,亦須考 慮不同化合物之毒性加成效應.以往毒性評估研究,雖有可觀之單一毒性實驗資 料及一些混合毒性理論產生,然而兩者間缺乏進 一步的關連,儘管知道每種單一化合物之毒性,其 混合毒性效應仍要依賴嘗試一錯誤(Trial & Error)法 則,將各種不同組合的混合化學物--實驗,以決定 毒性混合物之反應模式(分為Synergism,Simple Addition, 及Antagonism三大類),對於未經實驗之毒性混合物組 成,則並未有任何方法可以預測其混合後之毒性 反應,如此一來,混合毒性實驗龐大之時間財力,人 力的耗費,使得藉由毒性評估也達到實際,經濟且 有效地保護水體生態的目標變成遙不可及.近年來Quantitive Structure-activity Relationships(QSARs)之 研究已有長足之進展,並廣泛的應用於化學製藥 工業,由QSARs我們可推測同類化合物之毒性,節省 大量毒性實驗的種種消耗,同樣的,由於QSARs對同 類毒物的高度線性,我們亦可能由QSARs的資料中, 分辨出不同的反應機制之毒性化合物,配合混合 毒性理論,得以進一步預測混合毒性的效應.
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    高敏感光罩用電子束阻劑系統之研究
    (1993)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    交通大學應用化學系
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    高效率特徵檔文書擷取法之設計與分析
    (1993)
    楊維邦
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    交通大學資訊科學研究所
    在這資訊爆炸的時代,想要快速地取得所需要 參考的資料,電腦文書資料庫系統的幫忙不可或 缺,因而文書資料的擷取法日漸受重視,已成為一 個非常重要的研究課題.在所有的文書資料擷取法中,特徵檔已被公認是 最好的方法之一.特徵檔的基本構想是抽取各文 書檔的一小部份代表性資料存在特徵檔中.在作 文書查詢時,系統先搜尋特徵檔來作過濾工作,如 此,可將一大部分不可能為查詢標的的文書檔濾掉.接下來系統只需在剩下的一小部份文書檔中 作進一步的搜尋,即可找出所需的文書資料.特徵檔的研究大致可分為兩個方向:一是特徵抽 取法的研究;另一是特徵檔儲存結構的研究.前者 主要的目的是希望增加特徵檔的過濾能力,使需 要進一步搜尋的文書檔數量愈少愈好;而後者則 是希望利用好的儲存結構來加快搜尋特徵檔的時 間.這兩個方向雖然都能提高特徵檔的效率,但很 可惜的是,在過去的研究中,這兩個方向都是各自 為政的.假若好的特徵抽取法能有好的儲存結構 與之配合,那麼所產生的方法對文書擷取效率的 改進,必定能比只有單方面的改進大得多.
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    類比數位混合式積體電路及系統之創新研究、晶方研製及應用研究---總計畫
    (1993)
    吳重雨
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    CHUNG-YUWU
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    國立交通大學電子研究所
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    金馬奔騰三十載
    (1993)
    楊英風
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    鐵路橋樑耐震診斷專家系統(I)
    (1993)
    趙文成
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    交通大學土木工程研究所
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    放射性核種在未飽和層遷移水文參數量測審查技術---實驗室
    (1993)
    葉弘德
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    YEH HUND-DER
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    交通大學環工所
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    應用即時性規格語言驗證有關高速網路的效率特性與互通問題
    (1993)
    楊啟瑞
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    YUANG MARIA C.
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    交通大學資訊工程研究所
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    SERIES RESISTANCE OF SELF-ALIGNED SILICIDED SOURCE DRAIN STRUCTURE
    (1993-01-01)
    TSUI, BY
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    CHEN, MC
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    電子工程學系及電子研究所
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    電控工程研究所
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    Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
    The external resistance of the self-aligned silicided source/drain structure is examined by two-dimensional simulation considering recession of the contact interface due to the consumption of silicon during the silicidation process. It is observed that the recessed contact interface forces a significant amount of current to flow into the high-resistivity part of the junction resulting in an increase of resistance as large as several hundred ohms-micrometers in comparison with the surface contact structure. The increase scales up with the scale-down of the minimum feature size, and the expected benefits of the SALICIDE structure become diminished for the sub-half-micrometer devices. A simple analytical explanation is proposed. The error between the analytical calculation and the two-dimensional simulation is within 20%. By considering the recession of the contact interface, the reported high external resistance of the short-channel MOSFET's is explained successfully. Different source/drain contact types are compared, and it is concluded that the conventional SALICIDE process should be modified for the sub-half-micrometer devices.