Browsing by Issue Date, starting with "2004-06-07"
Now showing 1 - 20 of 70022
- Results Per Page
- Sort Options
Item type:Item, Memory effect of oxide/SiC : O/oxide sandwiched structures" (vol 84, pg 2094, 2004)(2004-06-07) ;Chang, TC ;Yan, ST ;Yang, FM ;Liu, PTSze, SMItem type:Item, Nanomechanical properties of nanocrystalline Ni-Fe mold insert(2004-06-09) ;Yeh, YM ;Tu, GC ;Fang, TH ;材料科學與工程學系Department of Materials Science and EngineeringNanocrystalline Ni-Fe alloy micro-mold inserts were fabricated by UV lithographic technology and pulse current electroforming process. The structure, surface and mechanical properties of Ni-Fe alloys were evaluated under different pulse current electroforming processes via X-ray diffraction (XRD), scanning probe microscope (SPM), nanoindentation, and scanning transmission electron microscope (STEM). The results show that when Fe content of the alloys increase by over 10% the grain size of Ni-Fe alloys was < 20 nm. The finer the grain of Ni-Fe alloys the higher the hardness, which is above 9 GPa. By controlling the variation of current density and duty cycle, the surface roughness of Ni-Fe alloys is < 10 nm and the surface friction coefficient is about 0.2. The results of the microelectroforming process revealed that the Fe contents was able to suppress grain growth and induced the formation of dense Ni-Fe alloys and improved the mechanical properties of the Ni-Fe alloys. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.Item type:Item, InGaP/InGaAs PHEMT with high IP3 for low noise applications(2004-06-10) ;Lin, YC ;Chang, EY ;Chen, GJ ;Lee, HMHuang, GWA low noise InGaP/InGaAs pseudomorphic high-electron-mobility transistor (PHEMT) with high IN was developed. The device utilises InGaP as the Schottky layer to achieve a low noise figure and uses AlGaAs as the spacer to reform the electron mobility and contains dual delta doped layers to improve the device linearity.Item type:Item, 全球資訊網連線切換方法(2004-06-11) ;曾建超 ;謝明燈蔡清松本發明全球資訊網連線切換方法,至少包含下列步驟:註冊/登錄步驟、記錄網頁/瀏覽步驟、選擇交遞步驟與交遞網頁與狀態步驟。藉由前述步驟,使用者可以先後使用多個用戶端設備在代理伺服器註冊與瀏覽網站後,將已註冊的瀏覽連線切換到一個新註冊或已註冊的用戶端設備;對於不支援設備能力與喜好設定概況檔(CC/PP)的全球資訊網瀏覽器,本發明亦可以讓使用者使用各種不同能力的設備透過代理伺服器來瀏覽全球資訊網網站,代理伺服器並且可以根據使用者的設備能力與喜好設定來向支援設備能力與喜好設定概況檔(CC/PP)之網站取得不同版本的網頁。Item type:Item, 應用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長之方法及其產生之結構(2004-06-11) ;吳耀銓 ;趙志偉侯智元本案乃關於利用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生 長的方法與其產生之結構,其中擇區生長之步驟包含:提 供一第一基板,並於該第一基板上形成一第一遮蔽層;以 一黃光微影技術處理該第一遮蔽層以形成複數個區域於該 第一基板。接著以一緩衝溶液對該複數個特定區域進行一 第一蝕刻以形成一第二遮蔽層於該第一基板,再以一化學 蝕刻液對該第一基板與該第二遮蔽層進行一第二蝕刻以形 成複數個尖型結構於該第一基板上。此後可分兩方式進 行,方式一為:先塗覆一金屬觸媒於該複數個尖型結構, 接著以該複數個尖型結構壓印於一第二基板,最後再將被 壓印之該第二基板進行奈米碳管生長;方式二則為:先塗 附一金屬觸媒於一第三基板,再以該複數個尖型結構壓印 該第三基板以使該複數個尖型結構分別帶有一金屬觸媒 球;最後再將該第一基板進行奈米碳管生長。 五、(一)、本案代表圖為:第 七 圖 (二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明: 61:第一金屬觸媒球 7:第二矽基板 71:壓印痕 8:第一奈米碳管Item type:Item, 無感測器之三相無刷直流馬達驅動相角自動調整裝置(2004-06-11) ;鄭光耀鄒應嶼本發明係揭露一種無感測器之三相無刷直流馬達驅動相角自動調整裝置,其係無需透過位置感測器回授,僅需利用量測三相無刷直流馬達任何一相之線電壓與功率級換流器之直流鏈電流作為回授訊號,利用軟體方式即時估算出馬達之旋轉速度及所連接負載之變動情形,並與根據該直流鏈電流所估算出的輸入功率進行比較,透過驅動相角補償器自動調整驅動相角。因此,本發明除了可使馬達運轉效能提高之外,同時亦可達到最佳效率及最大扭矩輸出之無感測驅動控制。Item type:Item, 無感測無刷直流馬達的換相偵測裝置及其方法(2004-06-11) ;林穎燦鄒應嶼本發明係揭露一種無感測無刷直流馬達的換相偵測裝置及其方法,其設計係採用混合訊號積體電路的技術,核心主要由多工器、餘值放大器及一零交越偵測器三大部分所組成;多工器屬於數位電路,係選擇未激發相的定子訊號,餘值放大器利用未激發相及另兩相定子訊號計算出未激發相的反抗電動勢,零交越偵測器可求得該未激發相反抗電動勢的零交越點,並產生一零交越訊號,此訊號再相位延遲30度即為馬達之換相訊號,以解決習知無感測換相控制之問題。Item type:Item, Properties of nitrogen-implanted p-type ZnO films grown on Si3N4/Si by radio-frequency magnetron sputtering(2004-06-14) ;Lin, CC ;Chen, SY ;Cheng, SY ;Lee, HY材料科學與工程學系An nitrogen-implanted p-type ZnO film has been grown on a Si substrate buffered with Si3N4 using radio-frequency magnetron sputtering. The Si3N4 buffer layer can effectively improve film stoichiometry and reduce the formation of oxygen vacancies compared to ZnO on Si. The electrical properties of the p-type ZnO films implanted with 5x10(12)-1x10(14) cm(-2) N+ dose show a hole concentration of 5.0x10(16)-7.3x10(17) cm(-3), hole mobility of 2.51-6.02 cm(2)/V s, and resistivity of 10.11-15.3 Omega cm. The p-type ZnO films also showed an excellent crystallinity and a strong ultraviolet emission peak near 3.30 eV at room temperature. Moreover, as evidenced by extended x-ray absorption fine structure analysis, the local structure of the p-type ZnO films was changed due to the substitution of nitrogen ions for oxygen ions in p-type ZnO films. Our finding of p-type ZnO films grown on a Si3N4/Si substrate could provide a simple method to fabricate reproducible p-type ZnO films on silicon substrate for the development of large-scale optoelectronic integration device. (C) 2004 American Institute of Physics.Item type:Item, Strong red emission in heterojunctions of conjugated polymer blends(2004-06-14) ;Li, ZL ;Meng, HF ;Horng, SF ;Hsu, CSChen, LCWe demonstrate strong red electroluminescence in bilayer polymer light-emitting diodes with poly(3-hexylthiophene) and polyfluorene copolymers. The emission spectrum of the diode, peaked at 612 nm, is different from either of the two polymer layers, and is attributed to the exciplex state existing only at the heterojunction. The efficiency of this junction emission is very high for red polymer light-emitting diodes. Peak luminance of 3500 cd/m(2) with yield 1.3 cd/A is achieved. The emission color can be made more saturated by blending red-emitting polymers into the polyfluorene to eliminate the small residual green emission. (C) 2004 American Institute of Physics.Item type:Item, Magnetically tunable room-temperature 2 pi liquid crystal terahertz phase shifter(2004-06-14) ;Chen, CY ;Hsieh, CF ;Lin, YF ;Pan, RPPan, CLTunable phase shift up to 360degrees at 1 THz is achieved with a liquid crystal (LC) device. The key to this design is (1) the use of a nematic LC, E7, which exhibits a birefringence of similar to0.17 (0.2-1.2 THz); (2) a LC cell (3-mm in thickness) with sandwiched structure to increase the interaction length while minimizing interface Fresnel losses; and (3) the use of magnetic field to align the thick LC cell and achieve continuous tuning of phase from 0 to 360degrees. This device can be operated over a broad range near room temperature. (C) 2004 Optical Society of America.Item type:Item, 研究生畢業生代表楊天放致謝詞(國立陽明大學, 2004-06-15)陽明電子報編輯小組校長、各位師長、各位貴賓、各位同學,大家好!我是復健科技輔具研究所應屆畢業生致詞代表楊天放,非常高興有機會在這裡和大家分享我們畢業的感言Item type:Item, 陽明歷史照片巡禮(國立陽明大學, 2004-06-15) ;崇平陽明電子報編輯小組發黃的照片是否可以讓你陷入時間的隧道中?在這時光隧道中是否勾起你想念的人物、想念的事情?在這初春的時節,電子報於本期起將分次把得來不易的百來張珍貴校園照片逐一向大家介紹,希望隨著這些圖像的重現,再次將大夥的情感凝聚起來! 你是否有也有些屬於陽明的歷史照片嗎?你願意將這些圖像再次利用電子報呈現給大家嗎?歡迎隨時e-mail至 ymenews@ym.edu.tw,我們將配合本專題適時刊出。Item type:Item, Item type:Item, 六月,當鳳凰花開時(國立陽明大學, 2004-06-15)陽明電子報編輯小組是涼夏的緣故?還是不忍心催促?今年校園內的鳳凰花遲遲不願綻放,是捨不得為畢業的學子們繫帶上離別的襟綵嗎? 畢業了,師長們和學生情深意濃的合影留念;師長們對學生語重心長的致詞勗勉;師長們萬般不捨的為學生親自撥穗,……然而,雛鳥們終究要離開舊巢,展翅飛向自己的天空了。Item type:Item, 管管作品四十八首(2004-06-15)管管Item type:Item, 羅青<告別>(國立陽明大學, 2004-06-15)陽明電子報編輯小組請聽我說 請靠著我 請不要畏懼此刻的沉默 再看一眼 一眼就要老了 再笑一笑 一笑就走了 在曾經同向的航行後 嗚- 各自曲折 各自寂寞 原來的歸原來 往後的歸往後Item type:Item, Item type:Item, 徵稿公告(國立陽明大學, 2004-06-15)陽明電子報編輯小組一、國立花蓮師範學院「九十三年度原住民放教育學術研討會」徵稿,截稿日期:九十三年六月三十日 二、南臺科技大學「知識經濟與全球化管理國際研討會」徵稿,截稿日期:九十三年八月十日 三、國立嘉義大學「數理學習與教學學術討會」徵稿 截稿日期:九十三年九月五日 相關資訊:http://www.gise.ncyu.edu.tw及http://www.gsme.ncyu.edu.tw 四、國立臺灣科技大學「人文社會學報」徵稿,截稿日期:九十三年九月三十日,相關網址:http://www.ntust.edu.tw/human/Item type:Item, 徐志摩<再別康橋>(國立陽明大學, 2004-06-15)陽明電子報編輯小組尋夢? 撐一隻長篙 向青草更青處慢溯 滿載一船星輝 在星輝斑斕裡放歌 但我不能放歌 悄悄是別離的笙簫 夏蟲也為我沉默 沉默是今晚的康橋! 悄悄地我走了 正如我悄悄的來 我揮一揮衣袖 不帶走一片雲彩Item type:Item, 藥理所神經再生專論課程(國立陽明大學, 2004-06-15)陽明電子報編輯小組神經再生專論 Special Lecture on Neural Regeneration 授課教師:鄭宏志 副教授 (台北榮總 神經醫學中心神經修復科主任) 課程對象:陽明大學部學生及研究所學生 課程時間:93年7月5日至93年8月9日 每週一、三 9:10-11:00 課程學分:1學分(課程結束後於93年度第1學期陽明大學藥理學研究所課程進行加選) 授課地點:台北榮總致德樓會議室 或 陽明大學藥理所 報名方式:即日起至6月25日,以E-mail 或傳真將下列資料寄至 藥理所 許馨文助教 E-mail:hwhsu@ym.edu.tw