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一種半導體元件製程
(2015-05-11)
劉柏村
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王薇雅
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鄧立峯
電阻式記憶體裝置及其操作方法
(2015-05-11)
劉柏村
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許沁卉
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范揚順
具有共享位元線之１０個電晶體之二對埠靜態隨機存取記憶體
(2015-05-11)
黃威
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王道平
1.一種具有共享位元線之10個電晶體之二對埠靜態隨機存取記憶體，其包含：一第一記憶體單元，具有一第一儲存單元、一第一切換器組、及一第二切換器組，該第一切換器組連接至一A埠第一位元線、一B埠第一位元線、及該第一儲存單元，該第二切換器組耦合至一A埠反相第一位元線、一B埠反相第一位元線、並連接該第一儲存單元；以及一第二記憶體單元，具有一第二儲存單元、一第三切換器組、及一第四切換器組，該第三切換器組連接至該A埠反相第一位元線、該B埠反相第一位元線、及該第二儲存單元，該第四切換器組耦合至一A埠第二位元線、一B埠第二位元線、並連接該第二儲存單元；其中，該第二記憶體單元藉由該第三切換器組，以和該第一記憶體單元共用該A埠反相第一位元線及該B埠反相第一位元線。
印刷式濾波天線
(2015-05-11)
鍾世忠
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莊肇堂
電阻式記憶體裝置及其操作方法
(2015-05-11)
劉柏村
;
許沁卉
;
范揚順
1.一種電阻式記憶體裝置的操作方法，其中該電阻式記憶體裝置包括至少一電阻式記憶體元件，該電阻式記憶體元件包括一底電極、配置於該底電極上的一非晶態氧化銦鎵鋅(amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide，a-IGZO)層、配置於該非晶態氧化銦鎵鋅層上的一鈦層以及配置於該鈦層上的一頂電極，該操作方法包括：提供電訊號給該電阻式記憶體元件，以改變該電阻式記憶體元件的電阻值。
靜態隨機存取記憶體
(2015-05-11)
莊景德
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楊皓義
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盧建宇
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陳建亨
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張琦昕
1.一種靜態隨機存取記憶體，其包含：一預充裝置，其連接至一第一區域位元線，以對該第一區域位元線進行預充；一第一單元行陣列/周邊電路，連接至該第一區域位元線，該第一單元行陣列具有多個單元以暫存資料，該多個單元連接至該第一區域位元線，該第一單元行陣列/周邊電路具有一第一單元行陣列；以及一第一漣波緩衝裝置，其連接至該第一區域位元線及一第二區域位元線，該第一漣波緩衝裝置將該第一區域位元線的資料傳遞至該第二區域位元線，其中，該第一單元行陣列的一選擇訊號沒有動作時，一第一PMOS電晶體導通，以由一高電位對該第一區域位元線進行預充，該第一單元行陣列的該選擇訊號動作時，該第一PMOS電晶體關閉，該第一區域位元線處於浮接狀態。
口服式藥物載體及其製備方法
(2015-05-11)
陳三元
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蘇嘉偉
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劉典謨
一種半導體元件製程
(2015-05-11)
劉柏村
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王薇雅
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鄧立峯
1.一種不含銦與鎵元素之金屬氧化物薄膜的半導體元件製程，至少包含下列步驟：製備一半導體元件，其中該半導體元件的結構具有複數個缺陷，至少包含：提供一基板，該基板係由矽，一玻璃基板以及一塑膠基板群組中所選出；形成一閘極於該基板上；形成一閘極介電層於該閘極上；進行一第一氫電漿處理；形成一主動層於該閘極介電層上，該主動層為一金屬氧化物薄膜，其中該金屬氧化物薄膜係為不含銦與鎵元素之金屬氧化物薄膜；進行一第二氫電漿處理；與定義一源極與一汲極於該主動層上；對該半導體元件進行一退火處理，其中該退火處理所使用的一退火溫度係介於攝氏300至450度；置放該半導體元件於一反應腔中，其中該反應腔內之溫度與壓力係分別介於攝氏100至200度與1500至3000磅/平方英寸間；以及通入一超臨界流體於該反應腔中，以修飾該半導體元件的該複數個缺陷，其中該超臨界流體係由氨氣、氮氣、氫氣與水氣群組中所選出，以及該超臨界流體包含一修飾劑。
口服式藥物載體及其製備方法
(2015-05-11)
陳三元
;
蘇嘉偉
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劉典謨
1.一種口服式藥物載體，包含：一油相殼，其中該油相殼之組成包含一脂質及一乳化劑，其中該乳化劑包覆該脂質；以及複數個水相微胞，其係均勻分散於該脂質內，其中構成各該諸水相微胞包含一磷脂質及一幾丁聚醣，且該微胞內包覆一含藥物之水溶液，該藥物為Doxorubicin，其中該乳化劑與該些水相微胞之間的空間被該脂質所填滿。
用於長期演進技術中省電資料排程系統及其方法
(2015-05-11)
林盈達
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郭昱賢
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童莉萍
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賴源正
1.一種用於長期演進技術中省電資料排程系統，係包括：期間決定模組，係由各使用者之所有網路服務之服務品質要求中選擇延遲要求最短者以作為各該使用者之非連續接收週期，且依據目前通道環境取得目前通道傳輸速率，以透過該目前通道傳輸速率得到各該使用者之非連續接收週期中的電路開啟時段；以及起始偏差決定模組，係透過各該使用者之非連續接收週期以計算出每一時間點中各該非連續接收週期為該電路開啟時段的總數，並以該總數為最少者之時間點作為新加入之使用者的起始偏差之時間點。
A lattice study of a chirally invariant Higgs-Yukawa model including a higher dimensional Phi(6)-term
(2015-05-11)
Chu, David Y. -J.
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Jansen, Karl
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Knippschild, Bastian
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Lin, C. -J. David
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Nagy, Attila
We discuss the non-thermal phase structure of a chirally invariant Higgs-Yukawa model on the lattice in the presence of a higher dimensional Phi(6)-term. For the exploration of the phase diagram we use analytical, lattice perturbative calculations of the constraint effective potential as well as numerical simulations. We also present first results of the effects of the Phi(6)-term on the lower Higgs boson mass bounds. (C) 2015 The Authors. Published by Elsevier B.V.
降低核心網路中移動管理負載之系統及其方法
(2015-05-11)
陳志成
;
蔡明宏
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林一平
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宋映容
靜態隨機存取記憶體
(2015-05-11)
莊景德
;
楊皓義
;
盧建宇
;
陳建亨
;
張琦昕
印刷式濾波天線
(2015-05-11)
鍾世忠
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莊肇堂
1.一種印刷式濾波天線(filtering antenna)，包含：一天線部；以及一耦合線共振器(coupled line resonator)，與該天線部結合以提供一濾波作用，該耦合線共振器包含：一短路殘段(short-circuited stub)電路，包含一開路端以及接地之一短路端；以及一開路殘段(open-circuited stub)電路，以一間隙平行於該短路殘段電路，包含一第一端以及一第二端，其中該第一端連接於該天線部，且對應於該短路殘段電路之該開路端，以與該短路殘段電路耦合。
頭戴式顯示裝置
(2015-05-11)
許銘仁
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王志中
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潘瑞文
;
洪祥傑
頭戴式顯示裝置
(2015-05-11)
許銘仁
;
王志中
;
潘瑞文
;
洪祥傑
1.一種頭戴式顯示裝置，包括：一第一導光板，具有一第一面以及一相對該第一面的第二面；一第一微型顯示器，面向該第一面，並設置於該第一導光板的一第一端；一第一反射鏡，設置在該第一導光板內，且位於該第一端，該第一反射鏡具有一第一反射面，該第一反射面面向該第一導光板相對於該第一端的一第二端，並與該第一面夾一角度；一第一透鏡組，設置在該第一導光板與該第一微型顯示器之間；以及多個第一微結構，設置在該第一面上，其中該第一反射面與該第一面所夾的角度為α，該第一導光板的厚度為T，且該第一導光板的長度為L，其中
用於長期演進技術中省電資料排程系統及其方法
(2015-05-11)
林盈達
;
郭昱賢
;
童莉萍
;
賴源正
降低核心網路中移動管理負載之系統及其方法
(2015-05-11)
陳志成
;
蔡明宏
;
林一平
;
宋映容
1.一種降低核心網路中移動管理負載之系統，包括：至少一物件，透過一無線網路發出要求連線之一要求連線訊息，該要求連線訊息中包含單位時間(time slot)資訊及提出過幾次要求連線之資訊；至少一基地台，接收該要求連線訊息，再透過一網路將該要求連線訊息送出；以及一移動管理單元，其位於一核心網路中，接收該要求連線訊息，若該核心網路忙碌拒絕與該物件連線，則依據一管理規則計算該物件再次送出一要求連線訊息的時間點，該管理規則係依據該訊號單位時間進行計算每次要求連線訊息之間的等待時間(back off)，並將包含該時間點的回覆訊息透過該基地台回傳給該物件。
具有共享位元線之１０個電晶體之二對埠靜態隨機存取記憶體
(2015-05-11)
黃威
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王道平
Synthesis of Poly(3-hexylthiophene), Poly(3-hexylselenophene), and Poly(3-hexylselenophene-alt-3-hexylthiophene) by Direct C-H Arylation Polymerization via N-Heterocyclic Carbene Palladium Catalysts
(2015-05-12)
Lai, Yu-Ying
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Tung, Tsu-Chien
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Liang, Wei-Wei
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Cheng, Yen-Ju
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應用化學系
Direct C-H arylation polymerization of 2-bromo-3-1-hexylselenophene and 2-bromo-3-hexylthiophene catalyzed by N-heterocyclic carbene (NHC) palladium-based and Pd(OAc)(2)-based, systems has been carried out and investigated. Under the optimized conditions, high molecular weight poly(3-hexylthiohphene) (P3HT), (M-n=26.9K g/mol) with high head-to-tail regioregularity (94%) can he obtained by using [1,3-bis(2,6-diisopropylphenyl)imidazol-2-ylidene]chloro[3-phenylallyl]-palladium(II) (Pd-IPr) 8 the catalyst. Pd-IPr exhibits a wide range of working temperatures froth 70 to 140 degrees C and good catalytic reproducibility as a result of its high thermal stability. It was found that the presence of additional phosphine ligand, such as tris(o-methoxyphenyl)phosphine,, can increase the polymerization efficiency in the Pd(OAc)2 system. This improvement is linked to the stability enhancement for the active species during the course of catalysis. For the first time, poly(3-hexylselenophene) (P3HS) was also obtained by direct-arylation polymerization in this research. The modest molecular weight is attributed to the poor solubility P3HS in the used solvents. Density-functional-theory (DFT) calculations were performed to investigate the postulated reaction mechanisms for our catalytic systems. The,experimental observations can thus be elucidated by the help of computation: Most significantly, a main-chain alternating and side-chain regioregular (RR = 94%) poly(3-hexylselenophene-alt-3-hexylthiophene) (Alt-P3HST) with high molecular weight (20.0K g/mol) was successfully synthesized via the Pd-IPr-catalyzed direct-arylation polymerization of a well-designed 2-bromo-8-hexyl-5-(3-hexylseleophen-2-yl)thiophene monomer. The molecular properties of the Alt-P3HST were characterized to compare with those of P3HT and P3HS. This research demonstrates in-depth investigation on the NHC-based palladium catalysts for the synthesis of Conjugated polymers via direct C-H bond polymerization.