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New Measurement of Antineutrino Oscillation with the Full Detector Configuration at Daya Bay
(2015-09-11)
An, F. P.
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Balantekin, A. B.
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Band, H. R.
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Bishai, M.
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Blyth, S.
We report a new measurement of electron antineutrino disappearance using the fully constructed Daya Bay Reactor Neutrino Experiment. The final two of eight antineutrino detectors were installed in the summer of 2012. Including the 404 days of data collected from October 2012 to November 2013 resulted in a total exposure of 6.9 x 10(5) GW(th) ton days, a 3.6 times increase over our previous results. Improvements in energy calibration limited variations between detectors to 0.2%. Removal of six Am-241-C-13 radioactive calibration sources reduced the background by a factor of 2 for the detectors in the experimental hall furthest from the reactors. Direct prediction of the antineutrino signal in the far detectors based on the measurements in the near detectors explicitly minimized the dependence of the measurement on models of reactor antineutrino emission. The uncertainties in our estimates of sin(2)2 theta(13) and vertical bar Delta m(ee)(2)vertical bar were halved as a result of these improvements. An analysis of the relative antineutrino rates and energy spectra between detectors gave sin(2)2 theta(13) = 0.084 +/- 0.005 and vertical bar Delta m(ee)(2)vertical bar = (2.42 +/- 0.11) x 10(-3) eV(2) in the three-neutrino framework.
以協作平台上之版本修訂記錄進行資訊隱藏之方法
(2015-09-11)
李雅琳
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蔡文祥
一種以協作平台上之版本修訂記錄進行資訊隱藏之方法，包括下列步驟：建立一協作資料庫，該協作資料庫中包括複數文章及複數修訂記錄；於一協作平台上輸入一掩護文件、一秘密訊息及一金鑰，該協作平台自動將該掩護文件轉變成模擬多人協作過程之一隱蔽文件，該隱蔽文件中包含該秘密訊息；以及擁有該金鑰的至少一授權使用者從該隱蔽文件中抽取出該秘密訊息。
記憶體系統之全套平行編碼方法與全套平行解碼方法
(2015-09-11)
朱家慶
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林義閔
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楊其衡
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張錫嘉
一種記憶體系統之全套平行編碼方法，該記憶體系統包含一記憶體元件、一寫入電路、具有一全套平行架構之一編碼器以及一解碼器，該全套平行編碼方法包含：在具有該全套平行架構之該編碼器中，將編碼方法採用之一生成多項式分解為複數個最小多項式；求取該些最小多項式之複數個根；以及依據該些根產生一編碼矩陣；分解該編碼矩陣為複數個分解矩陣，其中該等分解矩陣其中之一為一校驗矩陣之一部分矩陣，該校驗矩陣對應於該解碼器之一徵兆值計算器之一硬體電路，該等分解矩陣其中之一對應於該硬體電路之一部分；由具有該全套平行架構之該編碼器該利用該硬體電路之該部分，對一組碼字(codeword)進行編碼；以及透過該寫入電路傳送該組碼字至該記憶體元件。
背光模組
(2015-09-11)
陳柏村
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胡雅文
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潘瑞文
一種背光模組，包括：一導光模組，包括：一第一導光板，具有一第一底面以及一第一頂面；一第二導光板，具有一第二底面、一第二頂面以及一連接該第二底面與該第二頂面的連接面，且該第二底面位於該第一頂面與該第二頂面之間，該第二導光板包括多個聚光部，各該聚光部具有一入光面以及一出光面，該出光面連接該連接面，且該出光面的寬度大於該入光面的寬度；多個第一微結構，位於該第一底面上，並由該第一底面向外突出；以及多個第二微結構，位於該第二頂面上，並由該第二頂面向外突出；多個第一光源，位於該些入光面旁；以及多個第二光源，位於該連接面旁。
具高度選擇性的生物感測材料及方法
(2015-09-11)
劉典謨
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簡仁德
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周昊勳
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蕭孟軒
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鄭暐達
一種具高度選擇性的生物感測材料，包含有：一載體溶液，係為一幾丁聚醣高分子自組裝形成核殼結構於其中之水溶液；及複數奈米金屬粒子，吸附並分散於該核殼結構表面；其中，該些複數奈米金屬粒子和該載體溶液係混合形成為一幾丁聚醣-奈米金屬粒子核殼結構複合溶液，且該幾丁聚醣-奈米金屬粒子核殼結構複合溶液之pH值係接近並小於特定之一生物分子的等電位點(IEP)，而讓該些奈米金屬粒子對於該生物分子具有專一選擇性吸附能力。
睡眠呼吸暫止症偵測系統及方法
(2015-09-11)
方偉騏
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陳小予
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黃騰頡
一種睡眠呼吸暫止症偵測系統，其包括：偵測模組，係依據小波轉換偵測法偵測心電訊號之複數個R波之峰值時間點；處理模組，係依據該些峰值時間點計算出該些R波於預定時間範圍之面積，以依據該些面積產生複數個第一R波面積訊號，並依據該些峰值時間點及該些第一R波面積訊號形成心電提取呼吸訊號，且該處理模組復調整該些第一R波面積訊號之極值；轉換模組，係將該心電提取呼吸訊號轉換為頻率訊號；以及判斷模組，係判斷該頻率訊號之最大峰值之頻率是否位於該頻率訊號之第一頻率區間，若是，該判斷模組復比較該頻率訊號之最大峰值與預定之門檻值，當該頻率訊號之最大峰值之頻率位於該第一頻率區間且該頻率訊號之最大峰值大於該門檻值時，該判斷模組判定該頻率訊號為呼吸暫止訊號，而當該頻率訊號之最大峰值之頻率位於該第一頻率區間且該頻率訊號之最大峰值小於該門檻值時，該判斷模組判定該頻率訊號為混雜訊號。
具紫外光吸收層之薄膜電晶體
(2015-09-11)
謝漢萍
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劉柏村
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蔡韻竹
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蔡旻諺
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鄧立峯
一種薄膜電晶體，包括：一透明基板：一閘極，該閘極設置於該透明基板上，其中該閘極之材料係由銦錫氧化物(ITO,Indium tin oxide)、銦鋅氧化物(IZO,indium zinc oxide)，摻雜鋁之氧化鋅(AZO,Al-doped ZnO)，銅(Cu)，銀(Ag)，鋁(Al)以及鉬(Mo)所組成之族群中所選出；一閘絕緣層，該閘絕緣層設置在該閘極上及該透明基板上，其中該閘絕緣層之材料係由氧化鉬鋅(Mo-Zn-O)以及氧化鋯鋅(ZrZnO)所組成之族群中所選出；一半導體主動層，該半導體主動層設置在該閘絕緣層上，其中該半導體主動層之材料係由氧化鋅(ZnO)，氧化銦(In2 O3 )，ZTO，IGO，IZTO，AZTO以及HIZO所組成之族群中所選出；一電極層，該電極層設置在該半導體主動層上且曝露出部份該半導體主動層，其中該電極層之材料係由銦錫氧化物(ITO,Indium tin oxide)，銦鋅氧化物(IZO,indium zinc oxide)，摻雜鋁之氧化鋅(AZO,Al-doped ZnO)，銅(Cu)，銀(Ag)，鋁(Al)以及鉬(Mo)所組成之族群中選出；以及一紫外光吸收層，設置在該半導體主動層上，其中該紫外光吸收層係由氧化鉬鋅(Mo-Zn-O)以及氧化鋯鋅(ZrZnO)所組成之族群中所選出。
人工視網膜系統及眼內植入晶片
(2015-09-11)
吳重雨
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林伯剛
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焦傳金
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潘瑞文
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楊文嘉
一種人工視網膜系統，包含：一眼外光學裝置，包括：一影像產生器，用以接收一外部影像，並將該外部影像進行影像處理以產生一相關於該外部影像的目標影像並以光學投影方式輸出；及一背景光產生器，用於產生一光學性質不同於該目標影像的背景光；及一眼內植入晶片，包括：一太陽能電池，設置於該背景光照射範圍內以接收該背景光，並將該背景光轉換成一電力；一背景光消除器，設置於該目標影像照射範圍內，用於濾除該背景光以得到一相關於該目標影像的透射影像；及一影像感測刺激器，電連接於該太陽能電池以接收該電力，接收該透射影像，並將該透射影像轉換成一電刺激信號。
針對使用者裝置在異質無線網路中維持服務連續性傳輸之系統結構及其傳輸方法
(2015-09-11)
曾建超
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詹珉誠
一種針對使用者裝置在異質無線網路中維持服務連續性傳輸之系統結構，包括：一應用程式介面，溝通一使用者裝置的應用程式；一換手決策模組，當網路環境改變或該應用程式介面變更排程之優先順序時，該換手決策模組針對複數網路介面重新選擇一基地台，並變更網路位址，重新經由該基地台取得一新網路位址(IP)；一會談連續模組，連接該應用程式介面與至少一對應裝置，在該使用者裝置端，該會談連續模組根據該應用程式指定之排程優先順序將複數封包從至少一個路徑送出，而在該對應裝置端，該會談連續模組用以將已經一原基地台傳送出的至少一封包與該使用者裝置變更網路位址後所送出之至少一新封包進行整合排序，或是將從該使用者裝置透過複數路徑傳送至該對應裝置之複數封包排序；以及一跨階層合作模組，其連接該應用程式介面、該換手決策模組及該會談連續模組，用以在該應用程式介面、該換手決策模組或該會談連續模組要求複數命令服務或資訊服務時執行該命令或獲取該資訊，並在複數事件服務發生時去觸發該應用程式介面、該換手決策模組或該會談連續模組進行處理。
流量控制器以及流量控制方法
(2015-09-11)
成維華
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張翼
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鄭時龍
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王嘉傳
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施境瑋
一種具有調整栓塞與開口相對位置以調整流量之流量控制器，其包含：一本體，其相對兩端分別為一第一端和一第二端，該本體具有一第一流道和一第二流道，該第一流道具有一第一管徑，該第二流道具有一第二管徑，該第二管徑係大於該第一管徑，該第一流道貫穿該第一端以形成一第一開口，該第二流道貫穿該第二端以形成一第二開口，該第一流道係藉由一第三開口與該第二流道連通；一栓塞，係設置於該第二流道內；一層流片，係設置於該第二流道內，並固定於該第二流道內壁；以及一伸縮裝置，係設置於該本體內，且分別連接於該層流片以及該栓塞，該伸縮裝置係可伸縮長度；其中，該第二流道係大於該第一流道，該伸縮裝置係藉由伸縮該伸縮裝置，控制該栓塞相對活動該本體內，以調整該栓塞與該第三開口之相對位置，而控制該第三開口之一開口面積，該伸縮裝置係藉由伸縮長度，控制該栓塞相對活動該本體內，以調整該栓塞與該第三開口之相對位置，而控制該第三開口之一開口面積，藉此達到控制該本體內流體流過該開口面積之一流量。
可撓曲非揮發性記憶體及其製造方法
(2015-09-11)
劉柏村
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范揚順
一種可撓曲非揮發性電阻式記憶體之製造方法，包含：提供一可撓曲基板；形成一平坦層於該可撓曲基板上；沉積一金屬底電極層於該平坦層上；形成一光罩，以定義複數圖樣；對應該光罩定義之該等圖樣沉積包含電性獨立之複數氧化鋁鋅錫(Aluminum Zinc Tin Oxide；AZTO)電阻切換單元之一氧化鋁鋅錫電阻切換層於該金屬底電極層上；以及移除光罩並對應該等氧化鋁鋅錫電阻切換單元沉積一頂電極層於該氧化鋁鋅錫電阻切換層上，俾形成複數非揮發性記憶體單元；其中該可撓曲非揮發性電阻式記憶體之彎曲半徑大於或等於10毫米。
重新調序緩衝器
(2015-09-11)
陳紹基
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黃紳睿
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王柏崴
一種重新調序緩衝器，包括：一第一記憶體模組，具有m個第一單埠記憶體單元，每一該第一單埠記憶體單元儲存N/2m筆位元資料，N為傅立葉轉換之位元長度，m係為2的冪次方；一第二記憶體模組，具有m個第二單埠記憶體單元，每一該第二單埠記憶體單元儲存N/2m筆位元資料；一寫入交換器，電性連接該第一記憶體模組及該第二記憶體模組，該寫入交換器係接收2的冪次方傅立葉轉換之反向位元資料，並將該反向位元資料交換為一預設排列方式之寫入位元資料，並交替寫入該第一記憶體模組及該第二記憶體模組中；一讀寫控制器，電性連接該寫入交換器、該第一記憶體模組及該第二記憶體模組，該讀寫控制器係控制該寫入位元資料寫入該第一記憶體模組或該第二記憶體模組中，或者是自該第一記憶體模組或該第二記憶體模組中讀出該位元資料；及一讀取交換器，電性連接該第一記憶體模組、該第二記憶體模組及該讀寫控制器，該讀取交換器係交替將該第一記憶體模組及該第二記憶體模組內的該位元資料分別交換為自然順序之輸出位元資料，並以m個輸出路徑將該輸出位元資料輸出。
共軛高分子化合物
(2015-09-11)
許千樹
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林敬堯
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王建隆
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吳忠憲
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趙翊翔
一種共軛高分子化合物，具如下結構式：其中該共軛高分子化合物係由一主鏈及一側鏈所組成，該主鏈係包含n個芳香雜環化合物所組成，該側鏈係為一紫質化合物；其中n係選自範圍1-100，而R2 係為C8 直鏈之飽和烷基及R3 係為C10 直鏈之飽和烷基；其中S1 及S2 係分別獨立選自C1-30 直鏈或支鏈之飽和烷基及芳基其中之一，其中該芳基中之一苯環包含至少一取代基，且該取代基係選自氫、鹵基、鹵烷基、氰基、C1-30 直鏈或支鏈之飽和烷基、C1-30 直鏈或支鏈之飽和烷氧基、C1-30 直鏈或支鏈之飽和烷硫基、C1-30 直鏈或支鏈之飽和酯基以及C1-30 直鏈或支鏈之飽和乙醯基其中之一；以及Z係分別選自結構式Z1 、Z2 、Z3 、Z4 、Z5 、Z6 、Z7 及Z8 其中之一，該等結構式如下： R係選自氫、C1-30 直鏈或支鏈之飽和烷基與C6-16 芳基其中之一；以及U係選自OR、氯、溴及碘其中之一；。
Radix Scrophulariae extracts (harpagoside) suppresses hypoxia-induced microglial activation and neurotoxicity
(2015-09-14)
Sheu, Shiow-Yunn
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Hong, Yi-Wen
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Sun, Jui-Sheng
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Liu, Man-Hai
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Chen, Ching-Yun
Background: Hypoxia could lead to microglia activation and inflammatory mediators' overproduction. These inflammatory molecules could amplify the neuroinflammatory process and exacerbate neuronal injury. The aim of this study is to find out whether harpagoside could reduce hypoxia-induced microglia activation. Methods: In this study, primary microglia cells harvested from neonatal ICR mice were activated by exposure to hypoxia (1 % O-2 for 3 h). Harpagoside had been shown to be no cytotoxicity on microglia cells by MTT assay. The scavenger effect of harpagoside on hypoxia-enhanced microglial cells proliferation, associated inflammatory genes expression (COX-II, IL-1 beta and IL-6 genes) and NO synthesis were also examined. Results: Hypoxia enhances active proliferation of microglial cells, while harpagoside can scavenge this effect. We find that harpagoside could scavenge hypoxia-enhanced inflammatory genes expression (COX-2, IL-1 beta and IL-6 genes) and NO synthesis of microglial cells. Under 3 h' hypoxic stimulation, the nuclear contents of p65 and hypoxia inducible factor-1 alpha (HIF-1 alpha) significantly increase, while the cytosol I kappa B-alpha content decreases; these effects can be reversed by 1 h's pre-incubation of 10(-8) M harpagoside. Harpagoside could decrease I kappa B-alpha protein phosphorylation and inhibit p65 protein translocation from the cytosol to the nucleus, thus suppress NF-kappa B activation and reduce the HIF-1 alpha generation. Conclusion: These results suggested that the anti-inflammatory mechanism of harpagoside might be associated with the NF-kappa B signaling pathway. Harpagoside protect against hypoxia-induced toxicity on microglial cells through HIF-alpha pathway.
Fabricating a n(+)-Ge contact with ultralow specific contact resistivity by introducing a PtGe alloy as a contact metal
(2015-09-14)
Hsu, C. C.
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Chou, C. H.
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Wang, S. Y.
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Chi, W. C.
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Chien, C. H.
In this study, we developed an Ohmic contact structure to an in situ n(+)-Ge film that has an ultralow specific contact resistivity of [(6.8 +/- 2.1) x 10(-8) Omega.cm(2)]. This structure was developed by introducing a PtGe alloy as the contact metal. We observed that Ohmic contact behavior can be achieved with several other metals, and the contact resistance is related to the work function of the metal. A physical model of the band diagram was created for the Schottky tunneling width, which can provide insight into the validation and explanation of work function-dependent specific contact resistivity. Dopant segregation at the interface and increased interface roughness induced by the formation of the alloy are crucial in further reducing the specific contact resistivity. As a result, a stable PtGe alloy and high doping concentration in Ge are critical in pursuing a lower contact resistance for a Ge n-channel device. (C) 2015 AIP Publishing LLC.
Manifestation of a Second Dirac Surface State and Bulk Bands in THz Radiation from Topological Insulators
(2015-09-15)
Tu, Chien-Ming
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Yeh, Tien-Tien
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Tzeng, Wen-Yen
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Chen, Yi-Ru
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Chen, Hsueh-Ju
Topological insulators (TIs) are interesting quantum matters that have a narrow bandgap for bulk and a Dirac-cone-like conducting surface state (SS). The recent discovered second Dirac surface state (SS) and bulk bands (BBs) located similar to 1.5 eV above the first SS are important for optical coupling in TIs. Here, we report on the time-domain measurements of THz radiation generated from TIs n-type Cu0.02Bi2Se3 and p-type Bi2Te3 single crystals by ultrafast optical pulse excitation. The observed polarity-reversal of the THz pulse originated from transient current is unusual, and cannot be reconciled with the photo-Dember effect. The second SS and BBs are found to be indispensable for the explanation of the unusual phenomenon. Thanks to the existence of the second SS and BBs, TIs manifest an effective wide band gap in THz generation. The present study demonstrates that time-domain THz spectroscopy provide rich information of the optical coupling and the electronic structure of TIs.
Correlation of thermal annealing effect, crystallinity and electrical characteristics in c-axis crystallized InGaZnO thin-film transistors
(2015-09-15)
Hsu, Hsiao-Hsuan
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Yen, Shiang-Shiou
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Chiu, Yu-Chien
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Chiou, Ping
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Chang, Chun-Yen
A low off-state current of 1.6 x 10(-14) A/mu m and a small subthreshold gate swing of 152 mV/decade were achieved in a novel thin film transistor using a c-axis crystallized InGaZnO semiconductor that could be obtained at a low substrate temperature range of 150 degrees C. From experimental results, we found that the lowered off-state current is mainly attributed to the formation of rich Ga-O bonds to reduce oxygen vacancies, and the c-axis crystallized structure of IGZO to increase the potential barrier on the source side due to the increase of local trap states at the grain boundary. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.
Interruption-free growth of 10 mu m-thick GaN film prepared on sputtered AlN/PSS template by hydride vapor phase epitaxy
(2015-09-15)
Chen, Y. A.
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Kuo, C. H.
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Wu, J. P.
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Chang, C. W.
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照明與能源光電研究所
GaN films (10 mu m-thick) of high crystalline quality were prepared on sputtered AlN/PSS template by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). By introducing the two-step growth method into HVPE, one can reduce the steps in the procedure, realize uninterrupted growth, and improve the crystal quality of the films. The effects of initial GaN growth on the AlN/PSS template by HVPE were also investigated. In this study, 10 mu m-thick GaN films prepared on sputtered AlN/PSS template by HVPE showed improved crystal quality using X-ray diffraction and etching pits density. Compared with conventional undoped GaN film grown by metal organic chemical vapor deposition, the full width at half maximum of the (0 0 2) and (1 0 2) peaks of GaN decreased from 450 arcsec to 290 arcsec and from 376 arcsec to 344 arcsec, respectively. Transmission electron microscopy results showed that the gaps observed between the convex regions would eventually turn into dislocations during coalescence, because the number of dislocations increased with the number of gaps observed between the convex regions after step-1 growth. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved
Improvement of dielectric flexibility and electrical properties of mechanically flexible thin film devices using titanium oxide materials fabricated at a very low temperature of 100 degrees C
(2015-09-15)
Hsu, Hsiao-Hsuan
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Chiu, Yu-Chien
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Chiou, Ping
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Cheng, Chun-Hu
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電子工程學系及電子研究所
In this works, we investigated a Ti-O material system integrating with InGaZnO thin film transistor. The Ti-O material system with high bond enthalpy can be functionalized by tuning the amount oxygen vacancies to reach the applicable requirements of gate dielectric and channel. Compared to control IGZO TFTs, the flexible TiOx/IGZO TFT reaches a smaller sub-threshold swing (SS) of 125 mV/decade and a higher field effect mobility of 61 cm(2)/V s at a very low operating voltage of 1.5 V. Besides, only slight performance degradation was found after bending test. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
2014年歐洲盃十項全能能源屋競賽（Solar Decathlon Europe 2014）—交大蘭花屋（Orchid House）計畫 D#5 Project Manual 技術手冊
(2015-09-17)
Team UNICODE
“十項全[能]” Solar Decathlon由美國能源總署推動，研發新世紀永續社會之智慧生活環境與居住實驗方案，是參賽大學展現其前瞻研發能力並落實與社會接軌的指標性競賽型博覽會，目標是為提高知識的傳播，透過研究工作和試驗尋找更多再生能源之運用與可能，特別有關涉及太陽能的部分。此競賽同時期盼藉舉辦國際賽事的過程中，強化學界與業界之合作連結，並提醒及增加大眾對未來房屋建設所使用之材料，產品和技術的新公民意識，將綠色能源的常識普及於大眾的知識中。此國際賽事已是世界所矚目的菁英秀異學術研發單位展現其面臨永續未來社會, 迎向問題導向研發的競技場. 交大建築所及校內跨領域團隊 NCTU / UNICODE 於 Solar Decathlon Europe 2014與世界各大學角逐太陽能源屋競賽，本賽事共有44個隊伍提出參賽計畫書，最後篩選出 20 個隊伍入選，包含瑞士、西班牙、日本、法國等參賽國家及學校，交大的建築所跨領域團隊也在其中取得了參賽權。 Solar Decathlon 的核心精神就是「學生競賽」，因此交大跨領域團隊全力支持學生的提案，在競賽期間提供專業咨詢與協助，並與企業達成共識，引領學生將設計落實，並同時推廣社會教育，誘發普羅大眾對於能源議題的興趣。並且借由媒體的傳播與產業的投入，持續其能量，將影響擴散至一般大眾與常民家庭的生活教育，在永續、環保、節能與智慧生活等重要概念上爲下一代立基。本屆Solar Decathlon Europe 決賽於2014年6月16日到7月19日間假法國凡爾賽宮前舉行。交大跨領域團隊發揮團隊努力，將競賽期間所受的施工技能與工程安全觀念落實在十天的組裝期限內，將團隊設計作品「蘭花屋（Orchid House）」建立完成，並在競賽中獲得都市設計項目第一名（1st Place Urban Design, Transportation & Affordability），創新項目第二名（2nd Place Innovation），能源效能項目第三名（3rd Place Energy Efficiency），公眾票選項目第三名（3rd Place Public Choice Online）等斐然成績。參賽團隊每隔約兩個月需遞交SDE2014大會相關文件，以確保各團隊進度，共需繳交七次。本文件為遞交SDE2014大會之第五版之技術手冊。