下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討

標題:	下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討 Key Design and Measurement Issues for Achieving High Performance and High Reliability Next Generation N-Channel MOSFETs
作者:	莊紹勳 Chung Steve S 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2010
官方說明文件#:	NSC98-2221-E009-161-MY3
URI:	http://hdl.handle.net/11536/100325 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2008464&docId=328515
顯示於類別：	研究計畫

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。