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標題: 薄氧化層中漏電流與Soft Breakdown特性與機制研究
Stress Induced Leakage Current and Soft Breakdown in Thin Oxides
作者: 汪大暉
WANG TAHUI
交通大學電子工程系
關鍵字: 氧化層漏電流;快閃式記憶體;軟性崩潰;電荷傳導;SILC;Flash EEPROM;Soft breakdown;Charge transport
公開日期: 2000
官方說明文件#: NSC89-2215-E009-031
URI: http://hdl.handle.net/11536/101116
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=542124&docId=99588
顯示於類別：研究計畫


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