標題: 三維堆疊複晶矽非揮發性記憶體元件技術與分析
Device Technology and Characterization of Poly-Si Non-Volatile Memory for 3D Stack
作者: 崔秉鉞
Tsui Bing-Yue
國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期: 2014
官方說明文件#: NSC102-2221-E009-158-MY3
URI: http://hdl.handle.net/11536/101794
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8105078&docId=428197
顯示於類別:研究計畫