標題: 半導體製程方法
作者: 吳耀銓
陳俞中
公開日期: 1-一月-2013
摘要: 本發明提供一種半導體製程方法,包含下列步驟:提供一成長基板;形成一凹凸結構於該成長基板上;形成一半導體元件層於該凹凸結構上;以及改變該成長基板與該半導體元件層的溫度。
官方說明文件#: H01L033/22
H01L021/306
URI: http://hdl.handle.net/11536/103334
專利國: TWN
專利號碼: 201301558
顯示於類別:專利資料


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