標題: 一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法
作者: 李威儀
徐瑩珈
葉彥顯
陳奎銘
公開日期: 16-三月-2012
摘要: 本發明揭露一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法,在特定溫度和壓力的環境中,於氮化物半導體磊晶層上通入特定的蝕刻氣體,經過特定的時間,可於氮化物半導體磊晶層表面產生特定的形貌。本發明可直接在氮化物半導體之表面產生圖樣化結構,可大幅降低製造成本。
官方說明文件#: H01L021/3065
URI: http://hdl.handle.net/11536/103479
專利國: TWN
專利號碼: 201212120
顯示於類別:專利資料


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