增強式高電子移動率電晶體及其製造方法

Abstract

本發明揭示一種增強式高電子移動率電晶體及其製造方法，其包括：一緩衝層，磊晶於一基板上；一源級及汲級，形成於該緩衝層上；複數個P-N接面，其係由多層堆疊之P-N接面形成於該緩衝層上、及該源級與汲級之間；及一閘極，形成於該等P-N接面之堆疊上；其中該P-N接面係由一P型及一N型半導體層所構成。