低電能靜態隨機存取記憶體

標題:	低電能靜態隨機存取記憶體
作者:	莊景德楊皓義夏茂墀黃威陳家政石維強
公開日期:	16-一月-2012
摘要:	一靜態隨機存取記憶體，包含：至少一記憶格電路，包含了具有至少二反相器的一閉鎖電路，且包含用以接收電能的兩電能接收端；以及一電能供應電路，用以提供該電能至該記憶格電路，使得當資料被寫入至該閉鎖電路時，該閉鎖電路的供應電壓低於一預定電壓。
官方說明文件#:	G11C007/10
URI:	http://hdl.handle.net/11536/103514
專利國:	TWN
專利號碼:	201203277
顯示於類別：	專利資料

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