於半導體基板上形成三族氮化物半導體層的方法

Abstract

本發明為一種於半導體基板上形成三族氮化物半導體層的方法。首先,提供一半導體基板,其半導體基板上具有一清潔表面;再形成一氮化鎵奈米柱緩衝層;覆蓋成長形成一氮化鎵磊晶層於氮化鎵奈米柱緩衝層上,藉以形成三族氮化物半導體層於半導體基板上。