低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法

Abstract

本發明係一種低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法，其係利用具單一方向性之乾式蝕刻在薄膜電晶體主動層側壁覆蓋一間距矽(poly–spacer)，該間距矽(poly–spacer)提供了一雷射側向再結晶機制與可防止雷射再結晶後主動層微縮或剝落現象，可使通道內之矽晶粒變大但不需額外光罩，如此同時提升元件特性、提高元件均勻度與節省製程成本，此技術在現今低溫多晶矽薄膜電晶體(LTPS–TFTs)領域中將會是一項關鍵技術。