電阻式隨機存取記憶體以及其製作方法

Abstract

一種電阻式記憶體元件，包含：一第一電極；一第二電極，配置於該第一電極上方；一介電層，配置於該第一電極與該第二電極之間；以及電極混合系統層，配置於該第一電極與該介電層之間，亦或配置於該第二電極與該介電層之間，其中該電極混合系統層係由一過渡態金屬元素所構成。當該電極混合系統層配置於該第一電極與該介電層之間時，該電極混合系統層可於化學氣相沈積(CVD)該介電層時所含的熱與氧之製程環境中，而自發性地於該第一電極與該介電層之間形成一由氧化鐵(FeO)或氧化鈷(CoO)等過渡金屬氧化薄層所構成之第一電阻轉態層；另一種方式為藉由額外之退火製程，使得過渡態金屬元素與該介電層間形成由過渡金屬氧化薄層所構成之第一電阻轉態層於該第一電極與該介電層之間；當該電極混合系統層配置於該第二電極與該介電層之間時，則藉由額外之退火製程，使得過渡態金屬元素與該介電層間形成由過渡態金屬氧化薄層所構成之第二電阻轉態層於該第二電極與該介電層之間。