具有高電子遷移率之氮化鎵電晶體結構

Abstract

一種具有高電子遷移率之氮化鎵電晶體結構，包括一基板、一位於基板上之氮化鎵磊晶層、至少一位於氮化鎵磊晶層上之歐姆接觸層、一位於氮化鎵磊晶層之上的金屬閘極層、以及一位於金屬閘極層與氮化鎵磊晶層之間的擴散阻擋層。利用此一擴散阻擋層，可用以阻擋金屬閘極層之擴散，使得氮化鎵電晶體結構具有較佳之元件特性及可靠度。